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公开(公告)号：CN109961997A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711404679.0
申请日：2017-12-22
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置及其直流偏置电压控制方法，在等离子刻蚀装置附加高精度检测器来监测和控制离子刻蚀腔体内射频偏置回路中产生的直流偏置电压，且把测量到的电压值转换直流电压后转给控制器，经过控制器的计算之后反馈到射频偏压电源，然后射频偏压电源根据反馈信号的大小调节射频偏置功率的输出，使直流偏置电压保持在设定值。本发明应用到通过边缘环阻抗改变解决被刻蚀晶片边缘倾斜问题的等离子体处理装置时，既可以控制或消除边缘刻蚀的倾斜角问题，还保持刻蚀速率不变。
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公开(公告)号：CN107665800B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201610607371.5
申请日：2016-07-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于等离子处理器的射频电源控制装置，所述等离子处理器包括：一下电极，下电极上方设置有一静电夹盘，待处理晶圆设置在所述静电夹盘上，一个射频电源通过一个匹配电路输出射频功率到所述下电极，其中所述射频电源控制装置包括一个偏置电压检测电路耦合到所述下电极以获偏置电压测得值，一个工艺参数控制器，其特征在于，还包括一个控制信号转换器，所述控制信号转换器包括第一输入端连接到所述偏置电压检测电路，一个第二输入端连接到所述工艺参数控制器，一个输出端连接到所述射频电源，所述控制信号转换器将所述工艺参数控制器输出的偏置电压设定值转换为输出功率数值输出到所述射频电源。
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公开(公告)号：CN109961997B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201711404679.0
申请日：2017-12-22
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置及其直流偏置电压控制方法，在等离子刻蚀装置附加高精度检测器来监测和控制离子刻蚀腔体内射频偏置回路中产生的直流偏置电压，且把测量到的电压值转换直流电压后转给控制器，经过控制器的计算之后反馈到射频偏压电源，然后射频偏压电源根据反馈信号的大小调节射频偏置功率的输出，使直流偏置电压保持在设定值。本发明应用到通过边缘环阻抗改变解决被刻蚀晶片边缘倾斜问题的等离子体处理装置时，既可以控制或消除边缘刻蚀的倾斜角问题，还保持刻蚀速率不变。
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