公开(公告)号：CN107331595B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201610277839.9

申请日：2016-04-29

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 谢林 ,  祝飞翼 ,  李天笑

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置的温度校准方法，等离子处理装置内包括加热器，加热器内包括多个可控独立加热区，所述温度校准方法包括：等离子处理步骤，点燃反应腔内的等离子体对基片进行处理，同时热成像装置停止工作；在温度校准步骤中，熄灭等离子体，热成像装置对整个基片上表面的温度进行探测并获得基片表面温度分布，温度控制器比较目标工艺温度分布数据与探测获得的基片表面温度分布数据，根据比较结果控制加热驱动电路，使得基片表面温度分布符合目标工艺温度分布。

公开(公告)号：CN107665800B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201610607371.5

申请日：2016-07-28

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 周旭升 ,  祝飞翼 ,  刘小波

IPC: H01J37/04 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种用于等离子处理器的射频电源控制装置，所述等离子处理器包括：一下电极，下电极上方设置有一静电夹盘，待处理晶圆设置在所述静电夹盘上，一个射频电源通过一个匹配电路输出射频功率到所述下电极，其中所述射频电源控制装置包括一个偏置电压检测电路耦合到所述下电极以获偏置电压测得值，一个工艺参数控制器，其特征在于，还包括一个控制信号转换器，所述控制信号转换器包括第一输入端连接到所述偏置电压检测电路，一个第二输入端连接到所述工艺参数控制器，一个输出端连接到所述射频电源，所述控制信号转换器将所述工艺参数控制器输出的偏置电压设定值转换为输出功率数值输出到所述射频电源。