公开(公告)号：CN106653594B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201510721444.9

申请日：2015-10-30

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 周虎 ,  王红超 ,  严利均 ,  刘身健

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种在高宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法，通过对被刻蚀硅在每次刻蚀前进行两次钝化，并且第一钝化步骤是在高压条件下进行，第二钝化步骤是在低压高偏置功率的条件下进行；通过第一钝化步骤能够确保聚合物快速地分布在被刻蚀硅的开口侧壁上，通过第二钝化步骤能够确保聚合物均匀地分布在被刻蚀硅的开口底部。本发明公开的一种在高宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法，通过在每次刻蚀钱进行两次钝化，能够确保聚合物均匀分布在被刻蚀硅的开口侧壁、底部，从而确保再次刻蚀后的硅侧壁不会出现条纹状或洞状的粗糙面，提高了刻蚀后的硅的侧壁光滑度。

公开(公告)号：CN107644802B

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201610579402.0

申请日：2016-07-21

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 王红超 ,  严利均 ,  刘身健

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/20

Abstract: 本发明提供等离子体刻蚀装置及其边缘环组件与静电夹盘，用以改善刻蚀速度不均匀的缺陷。其中，所述边缘环组件包括：插入环，具有内侧部分与外侧部分，所述内侧部分位于基片边缘的下方，所述外侧部分向外超出了基片边缘的覆盖范围；聚焦环，覆盖插入环的所述外侧部分；其中，CFocus、CInsert两者之和与CESC的比值在0.9到1.1之间，CFocus为所述聚焦环的电容值，CInsert为所述插入环的电容值，CESC为所述静电夹盘的电容值。

公开(公告)号：CN109962001A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201711432453.1

申请日：2017-12-26

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 陈星建 ,  王红超 ,  贺小明 ,  刘身健 ,  倪图强

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种等离子体腔室的运行方法和等离子反应器，包含：硅深孔刻蚀过程和无晶圆清洁过程，在刻蚀过程中交替循环执行刻蚀步骤和侧壁保护步骤，直到等离子腔室中的晶圆上的刻蚀孔达到目标深度，完成至少一个硅深孔刻蚀过程后移除晶圆，进行无晶圆清洁过程，将腔室交替循环暴露于用以清除含COF的聚合物的第一等离子体和用以清除含硅的聚合物的第二等离子体中，以清除腔室内的分层团聚/固化的聚合物，进一步包含终点检测步骤：在利用第一和第二等离子体进行清洁的过程中，持续检测第一和第二等离子体中代表碳和硅的发射谱线的强度，当监测到碳和硅的发射谱线强度低于预设值时，结束无晶圆清洗过程。

公开(公告)号：CN107644811B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201610573575.1

申请日：2016-07-20

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 严利均 ,  黄智林 ,  王红超 ,  刘身健

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种博世工艺的刻蚀终点监测方法以及博世刻蚀方法，其可更准确地确定刻蚀终点，避免过度刻蚀引起的基片损伤。在所述博世工艺中，连续监测并获得OES信号，其特征在于，以每一刻蚀步骤或每一沉积步骤为单位，对所获得的OES信号进行处理，以此来确定刻蚀终点。