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公开(公告)号：CN113921360B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202010664352.2
申请日：2020-07-10
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置中的加热装置及抗射频干扰方法，将用于抗射频干扰的电感性元件或电容性元件，接入到加热装置的加热丝区域，使加热丝所在的供电回路对射频信号等效为开路或短路，减少耦合降低干扰，避免损坏加热丝的电源控制部分。
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公开(公告)号：CN112071734B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201910499413.1
申请日：2019-06-11
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 提供了一种用于电感耦合等离子体处理装置的绝缘材料窗部件，包括：绝缘材料窗、电感耦合线圈和加热器层，所述电感耦合线圈的底面贴合在所述绝缘材料窗的上表面，所述加热器层设置在所述电感耦合线圈上方，其中，所述电感耦合线圈与所述加热器层之间包括一绝缘层。该绝缘材料窗部件使得电感耦合线圈的射频耦合不会受到加热器层的影响，使得等离子分布保持均匀性。
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公开(公告)号：CN107333378B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201610276103.X
申请日：2016-04-29
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种电感耦合等离子处理装置，所述电感耦合等离子处理装置的电感线圈包括多个子线圈，每个子线圈覆盖下方绝缘材料窗的不同区域；一个射频电源通过匹配电路连接到所述多个子线圈的输入端，每个子线圈包括输出端电连接到地，一个控制器控制输入所述多个子线圈的功率，其特征在于，所述控制器控制所述电感线圈的多个子线圈轮流执行的多个处理阶段，在所述处理阶段中至少一个子线圈的输入功率高于其它子线圈的输入功率。
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公开(公告)号：CN113133175B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201911424310.5
申请日：2019-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H05H1/46
Abstract: 本申请实施例公开了一种等离子体电感线圈结构，电感线圈的第一部分产生的磁场强度大于第二部分产生的磁场强度，从而使得电感线圈形成不对称的磁场，而且至少2个电感线圈包括的第一电感线圈的第一部分在预设平面内的投影与第二电感线圈的第二部分在预设平面内的投影在第一方向上至少部分重叠，以补偿第二电感线圈的第二部分产生的磁场强度的大小，同时第一电感线圈的第二部分在预设平面内的投影与第二电感线圈的第一部分在预设平面内的投影在第一方向上至少部分重叠，以补偿第一电感线圈的第二部分产生的磁场强度的大小，又由于在与第一电感线圈电连接的第一电容和与第二电感线圈电连接的第二电容中，至少有一个电容(56)对比文件US 2012298303 A1,2012.11.29US 5880034 A,1999.03.09J. Gruenwald,等.Foundations of alaser-accelerated plasma diagnostics andbeam stabilization with miniaturizedRogowski coils.Nuclear Instruments andMethods in Physics Research Section A:Accelerators, Spectrometers, Detectorsand Associated Equipment .2018,第883卷全文.汪献伟;王兆亮;何庆;李秀莲.CFETR CSMC装配误差下的电磁状态研究.低温物理学报.2019,(第06期),全文.陈国雄;钱高荣;宣冬冬;苏翔;程瑜华.一种可产生均匀磁场的并联发射线圈结构.杭州电子科技大学学报(自然科学版).2018,(第05期),全文.
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公开(公告)号：CN113133175A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911424310.5
申请日：2019-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H05H1/46
Abstract: 本申请实施例公开了一种等离子体电感线圈结构，电感线圈的第一部分产生的磁场强度大于第二部分产生的磁场强度，从而使得电感线圈形成不对称的磁场，而且至少2个电感线圈包括的第一电感线圈的第一部分在预设平面内的投影与第二电感线圈的第二部分在预设平面内的投影在第一方向上至少部分重叠，以补偿第二电感线圈的第二部分产生的磁场强度的大小，同时第一电感线圈的第二部分在预设平面内的投影与第二电感线圈的第一部分在预设平面内的投影在第一方向上至少部分重叠，以补偿第一电感线圈的第二部分产生的磁场强度的大小，又由于在与第一电感线圈电连接的第一电容和与第二电感线圈电连接的第二电容中，至少有一个电容为可调电容，解决刻蚀不均匀现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113921360A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202010664352.2
申请日：2020-07-10
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置中的加热装置及抗射频干扰方法，将用于抗射频干扰的电感性元件或电容性元件，接入到加热装置的加热丝区域，使加热丝所在的供电回路对射频信号等效为开路或短路，减少耦合降低干扰，避免损坏加热丝的电源控制部分。
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公开(公告)号：CN108271307B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201611254290.8
申请日：2016-12-30
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种电感耦合等离子体处理装置与等离子体产生装置，用来在不扩展匹配网络可匹配范围的状况下，获得更宽的对功率分配比例的调节能力。其中的等离子体处理装置包括：绝缘窗；第一线圈与第二线圈；射频功率源，其输入端连接有一匹配网络；功率分配器，其输入端与所述匹配网络连接，其至少包括两个输出端，该两个输出端分别连接第一线圈、第二线圈；所述第一线圈与第二线圈之间电感值的比值在0.90到1.12之间。
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公开(公告)号：CN112071734A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910499413.1
申请日：2019-06-11
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 提供了一种用于电感耦合等离子体处理装置的绝缘材料窗部件，包括：绝缘材料窗、电感耦合线圈和加热器层，所述电感耦合线圈的底面贴合在所述绝缘材料窗的上表面，所述加热器层设置在所述电感耦合线圈上方，其中，所述电感耦合线圈与所述加热器层之间包括一绝缘层。该绝缘材料窗部件使得电感耦合线圈的射频耦合不会受到加热器层的影响，使得等离子分布保持均匀性。
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公开(公告)号：CN104754850B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201310751510.8
申请日：2013-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H05H1/46
Abstract: 一种电感耦合型等离子处理器，包括：反应腔，基座，高频射频电源和电感线圈；所述基座位于反应腔中，待处理基片固定在所述基座上；反应腔顶部包括绝缘材料窗，所述电感线圈设置在反应腔外侧，通过所述绝缘材料窗将射频磁场传递入反应腔；所述高频射频电源通过一个匹配电路连接到所述电感线圈输入端，电感线圈的输出端连接到接地端；其特征在于所述匹配电路和电感线圈输入端之间还包括第一平衡电路，所述电感线圈输出端和接地端之间还包括第二平衡电路，所述第一和第二平衡电路包括互相串联的电感和电容。
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公开(公告)号：CN209218441U
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201821494656.3
申请日：2018-09-13
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H05H1/46
Abstract: 本实用新型公开了一种电感耦合等离子体处理器，包括：处理腔，处理腔顶部包括一绝缘材料窗，绝缘材料窗上方设置有一个电感线圈，所述电感线圈连接到一个源射频电源；处理腔内底部包括一个基座，基座上方用于支撑待处理晶圆；第一偏压射频电源经过第一匹配电路连接到一个切换装置，第二偏压射频电源通过第二匹配电路连接到所述切换装置，所述切换装置选择性地将第一、第二偏压射频电源中的一个偏压射频电源连通到所述基座中；其中第一偏压射频电源的输出信号频率大于第二偏压射频电源的输出信号频率。
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