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公开(公告)号：CN106876238B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201510910240.X
申请日：2015-12-10
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01J37/244
Abstract: 本发明公开了一种监测工艺制程的等离子体处理装置，包括一处理基片的等离子体反应腔及监测基片处理制程的一监测装置，所述监测装置包括一入射光源，用于向等离子体处理装置内的基片表面发射脉冲光信号；一光谱仪，用于接收等离子体处理装置内发出的光信号，其工作模式为脉冲模式；所述入射光源与所述光谱仪之间设置一同步控制系统，所述同步控制系统控制所述入射光源的时钟信号和所述光谱仪的时钟信号具有相同的上升沿。本发明在光谱仪中直接进行减法运算可以大大降低计算机系统的运算负载，同时避免计算机系统的运算周期与入射光源的工作周期无法一致（或同步）造成的计算不准确的问题。
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公开(公告)号：CN105742203B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201410749979.2
申请日：2014-12-10
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/321 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32633
Abstract: 本发明涉及一种改变处理腔室内气体流动模式的装置及晶圆处理方法和系统；基于通过进气口引入到处理腔室的气体对放置于该处理腔室内的晶圆进行处理；在处理腔室内设置进行气体流通模式调整的气体中心环，其中包含位于进气口的下方及晶圆的上方的固定部件，和能分别处在第一位置或第二位置移动环；该移动环在第一位置时，气体通过所述固定部件设置的第一开口向下输送至晶圆；该移动环在第二位置时，气体通过所述移动环设置的第二开口向下输送至晶圆。本发明通过固定部件与可移动部件的不同组合构成的气体中心环，来改变处理腔室内气体流动模式，实现对晶圆处理效果的有效控制，气体中心环调整期间无需打开处理腔室。
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公开(公告)号：CN107546141B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201610487977.X
申请日：2016-06-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种监测工艺制程的等离子体处理装置及方法，包括一处理基片的等离子体反应腔及监测基片处理制程的一监测装置，所述监测装置包括一入射光源，用于向等离子体处理装置内的基片表面发射脉冲光信号；一光谱仪，以第二脉冲频率采集所述反应腔内发出的光信号；所述第二脉冲频率大于等于所述第一脉冲频率的2倍，使得所述光谱仪在一个入射脉冲光信号周期内采集至少两组光信号；一数据处理装置，与所述光谱仪相连，用于对所述光谱仪采集到的光信号进行运算，以消除反应腔内等离子体产生的背景光信号对反射光信号的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107306473B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201610259760.3
申请日：2016-04-25
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及基片制作方法，其中，包括反应腔体，其中所述反应腔体的至少部分顶板由绝缘材料制成的绝缘材料窗。基片支撑装置，设置于所述反应腔体中的所述绝缘材料窗的下方。射频功率发射装置位于所述绝缘材料窗上方，以发射射频功率穿过所述绝缘材料窗进入到所述反应腔体中。反应气体注入器，其用于向所述反应腔内供应反应气体；在所述反应气体注入器下方设置若干载流气体注入器，用于向反应腔内注入一定流速的载流气体，通过调节所述载流气体的流速大小可以有效改变载流气体对反应气体的扩散的约束力大小，进而控制反应气体在所述反应腔内的不同分布以满足不同工艺的需求。
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公开(公告)号：CN106937474B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201511012715.X
申请日：2015-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H05H1/46
Abstract: 一种电感耦合等离子处理器，包括：反应腔侧壁以及位于反应腔侧壁上方的绝缘材料窗共同围绕构成反应腔，反应腔内包括一基座，待处理基片固定到基座上方，绝缘材料窗上方包括射频感应装置；所述电感线圈装置通过一个第一匹配器联通到第一射频电源；其特征在于所述电感线圈装置包括第一部分和围绕所述第一部分的第二部分，其中所述电感线圈装置与绝缘材料窗之间包括一屏蔽板，在电感线圈装置第一部分对应下方的屏蔽板具有第一开口率，在电感线圈装置第二部分对应下方的屏蔽板具有第二开口率，其中第一开口率大于第二开口率。
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公开(公告)号：CN107644811B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201610573575.1
申请日：2016-07-20
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种博世工艺的刻蚀终点监测方法以及博世刻蚀方法，其可更准确地确定刻蚀终点，避免过度刻蚀引起的基片损伤。在所述博世工艺中，连续监测并获得OES信号，其特征在于，以每一刻蚀步骤或每一沉积步骤为单位，对所获得的OES信号进行处理，以此来确定刻蚀终点。
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公开(公告)号：CN104754850B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201310751510.8
申请日：2013-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H05H1/46
Abstract: 一种电感耦合型等离子处理器，包括：反应腔，基座，高频射频电源和电感线圈；所述基座位于反应腔中，待处理基片固定在所述基座上；反应腔顶部包括绝缘材料窗，所述电感线圈设置在反应腔外侧，通过所述绝缘材料窗将射频磁场传递入反应腔；所述高频射频电源通过一个匹配电路连接到所述电感线圈输入端，电感线圈的输出端连接到接地端；其特征在于所述匹配电路和电感线圈输入端之间还包括第一平衡电路，所述电感线圈输出端和接地端之间还包括第二平衡电路，所述第一和第二平衡电路包括互相串联的电感和电容。
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公开(公告)号：CN106935494B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201511026761.5
申请日：2015-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种博世工艺中刻蚀硅基片的方法，针对沉积步骤和刻蚀步骤分别采用两组气体的切换交替进入工艺腔，在不需要调整MFC的响应速度的前提下，就可以使沉积步骤和刻蚀步骤相应的工艺时间步长缩短，也即是本发明利用了MFC的响应时间延迟来巧妙的缩短工艺时间步长，使得MFC的响应时间延迟不仅不会影响工艺稳定性反而确保MFC稳定性和可控性，提高了工艺稳定性，减小了scallop缺陷的产生。
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