公开(公告)号：CN116525394A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202210078043.6

申请日：2022-01-24

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 王洪青 ,  杨宽 ,  范光伟 ,  彭锡亮

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种下电极组件、等离子体处理装置及其组装方法，该下电极组件包括：静电吸盘，具有位于其中部的第一承载面和环绕其中部的第二承载面，所述第二承载面的高度低于所述第一承载面的高度；边缘环组件，环绕所述静电吸盘的中部设置在所述第二承载面的上方，且与所述静电吸盘的中部之间设有间隙；以及隔离层，环绕所述静电吸盘的中部设置，且位于所述边缘环组件的下表面与所述第二承载面之间；其中，所述隔离层为可塑绝缘材料。本发明能够有效地避免静电吸盘与边缘环组件之间的间隙内产生电弧，进而避免下电极组件的损坏和基片的报废。

公开(公告)号：CN116614926A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202210121688.3

申请日：2022-02-09

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 彭锡亮 ,  王洪青 ,  杨宽 ,  周艳 ,  范光伟

IPC: H05H1/02

Abstract: 本发明公开了一种等离子体约束系统，设置在等离子体处理装置反应腔内的约束区域，所述约束区域位于反应腔的处理区域与排气区域之间，且位于固定基片的基座外周围与反应腔侧壁之间，所述等离子体约束系统设置有多个连通所述处理区域和排气区域的通道，且各所述通道沿基座的径向分布在所述约束区域，使所述处理区域产生的废气经过各所述通道输送到所述排气区域；其中，各所述通道的长度与其所在位置的原始废气流速正相关。本发明还公开了一种等离子体约束方法和等离子体处理装置。本发明在不增加等离子体泄露风险的前提下尽可能大的增大气体流导，进而提升等离子体刻蚀反应腔的真空度，以更好地满足工艺的要求。

公开(公告)号：CN221827865U

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202323625144.X

申请日：2023-12-28

Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司

Inventor： 叶如彬 ,  周艳 ,  江家玮 ,  郭二飞 ,  彭锡亮

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01J37/20

Abstract: 一种用于保护静电夹盘表面的假基片及半导体处理系统，所述静电夹盘具有冷却气体孔，所述冷却气体孔在所述静电夹盘表面具有第一投影，所述假基片包括：假基片本体；清洁孔，贯穿所述假基片本体的厚度，且所述清洁孔在静电夹盘的表面具有第二投影，所述第二投影与第一投影部分重叠。所述半导体处理系统在不开腔的情况下，能够清理冷却气体孔内表面的污染物，且保证所述静电夹盘的表面不受损伤。