-
公开(公告)号：CN118263080A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211700090.6
申请日：2022-12-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子体边缘刻蚀设备，该装置包含：真空反应腔，所述真空反应腔内具有可移动的上电极组件或下电极组件，两者分别包含相对设置的上电极环和下电极环，所述下电极组件用以支撑基片；设置于所述基片径向外围的环形等离子体约束单元，用以约束所述基片周围形成的等离子体；以及连通所述等离子体约束单元内侧及外侧的抽气通道。其优点是：该装置中设置的等离子体约束单元对基片周围的等离子体进行限制，使等离子体均匀分布在基片周围，提高清洁的效果；此外，该装置还设置有抽气通道，以对抽气进行控制，同时，该抽气通道还增加了等离子体在抽气通道中熄灭的概率，减少等离子体对非反应区域的零部件造成损伤，增加设备使用寿命。
-
公开(公告)号：CN118053723A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211400264.7
申请日：2022-11-09
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括：真空反应腔，位于真空反应腔内用于承载晶圆的下电极组件，与所述下电极组件相对设置其可上下移动的上电极组件，所述上电极组件包括下端具有凸台部的上电极和环绕所述凸台部的边缘环，位于所述上电极组件上的至少两组驱动机构，所述驱动机构的末端可沿水平方向移动并与所述边缘环连接。所述驱动机构用于驱动所述边缘环相对于所述上电极在水平方向上移动，从而调整所述边缘环与所述上电极之间的相对位置，保证上电极组件具有极高的同心度，避免边缘环位置偏移导致的晶圆边缘区域刻蚀不均匀问题。
-
公开(公告)号：CN117457463A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210844506.5
申请日：2022-07-18
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供了一种电感耦合等离子处理设备及电感耦合线圈组件，属于等离子刻蚀技术领域，为了解决刻蚀工艺过程中基片表面不同区域刻蚀速率不均匀的问题，本发明的电感耦合等离子处理设备及电感耦合线圈组件包括在反应腔内产生等离子体的射频线圈；位于射频线圈上方的通入直流电流的直流线圈，以及位于直流线圈和射频线圈之间的屏蔽层，通过设置屏蔽层，避免在等离子体工艺过程中射频线圈在直流线圈中产生感应电流，以保护直流源，减少射频损失。
-
公开(公告)号：CN116525394A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210078043.6
申请日：2022-01-24
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种下电极组件、等离子体处理装置及其组装方法，该下电极组件包括：静电吸盘，具有位于其中部的第一承载面和环绕其中部的第二承载面，所述第二承载面的高度低于所述第一承载面的高度；边缘环组件，环绕所述静电吸盘的中部设置在所述第二承载面的上方，且与所述静电吸盘的中部之间设有间隙；以及隔离层，环绕所述静电吸盘的中部设置，且位于所述边缘环组件的下表面与所述第二承载面之间；其中，所述隔离层为可塑绝缘材料。本发明能够有效地避免静电吸盘与边缘环组件之间的间隙内产生电弧，进而避免下电极组件的损坏和基片的报废。
-
公开(公告)号：CN115249606A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110466298.5
申请日：2021-04-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体处理装置、下电极组件及其形成方法，其中，下电极组件包括：基座，用于承载待处理基片；聚焦环，环绕于所述基座的外围；耦合环，设于所述聚焦环下方；导电层，设于所述耦合环内；导线，用于电连接所述导电层与基座，使所述基座与导电层之间等电位。所述下电极组件不易发生电弧放电。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119381235A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310920875.2
申请日：2023-07-25
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/505 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种气体分配器、等离子体处理装置及气体切换操作方法，属于等离子体处理设备技术领域，为了解决气体分配器中管路放电造成的设备损伤，具体包括：气体喷淋头；与所述气体喷淋头电连接的射频源；远程等离子体源，其等离子体出口通过一输气管道与所述气体喷淋头的出气口连通，以及移动塞，通过移动塞在输气管道中移动来切换不同的工艺处理状态，以实现在等离子体处理过程中，既满足不同工艺对等离子体种类的要求，又避免气体在输气管道中被激发成等离子体后损伤设备。
-
公开(公告)号：CN115565840A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202110747723.8
申请日：2021-07-02
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，包括一真空反应腔，所述真空反应腔内设置一导电基座；一主射频传输棒，与至少一射频电源电连接，用于将第一射频信号施加至所述导电基座；环绕所述基座设置边缘环；边缘环下方设置一边缘射频传输线，所述边缘射频传输线通过一阻抗调节模块将第二射频信号施加至所述边缘环，所述阻抗调节模块，位于所述导电基座下方的大气环境，包括至少一耐高压可调电容组件；所述边缘射频传输线位于所述真空反应腔内部的部分套设有介电套筒；主射频传输棒包括空心结构，所述边缘射频传输线至少部分地位于所述主射频传输棒内部。本发明的边缘射频调节机制可以主动调节边缘环上方的鞘层高度，且能适应较高电压的射频环境。
-
公开(公告)号：CN115172128A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110362282.X
申请日：2021-04-02
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种清洁晶圆，一种等离子体处理装置及处理方法，包括一反应腔，所述反应腔包括：进气装置，用于向所述反应腔输送清洁气体；射频电源，用于将所述清洁气体解离为清洁等离子体；清洁晶圆；静电吸盘，用于承载所述清洁晶圆，清洁晶圆与静电吸盘之间设置一支撑装置，所述支撑装置使得清洁晶圆背面与静电吸盘表面之间形成一定高度，进而使得清洁晶圆边缘区域的背面与聚焦环的上表面形成一定缝隙，避免对聚焦环上表面和聚焦环与静电吸盘之间的缝隙造成遮挡，使得清洁等离子体能有效清除聚焦环第二上表面和缝隙内的沉积物。保证等离子体处理装置处理晶圆的均一性，同时降低沉积物可能导致的电弧放电现象，提高设备的稳定性。
-
公开(公告)号：CN115172128B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202110362282.X
申请日：2021-04-02
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种清洁晶圆，一种等离子体处理装置及处理方法，包括一反应腔，所述反应腔包括：进气装置，用于向所述反应腔输送清洁气体；射频电源，用于将所述清洁气体解离为清洁等离子体；清洁晶圆；静电吸盘，用于承载所述清洁晶圆，清洁晶圆与静电吸盘之间设置一支撑装置，所述支撑装置使得清洁晶圆背面与静电吸盘表面之间形成一定高度，进而使得清洁晶圆边缘区域的背面与聚焦环的上表面形成一定缝隙，避免对聚焦环上表面和聚焦环与静电吸盘之间的缝隙造成遮挡，使得清洁等离子体能有效清除聚焦环第二上表面和缝隙内的沉积物。保证等离子体处理装置处理晶圆的均一性，同时降低沉积物可能导致的电弧放电现象，提高设备的稳定性。
-
公开(公告)号：CN117888083A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202211227972.5
申请日：2022-10-09
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 本发明公开一种等离子体处理装置及使用方法，所述等离子体处理装置包括：反应腔；基座，其设置于所述反应腔内部，用于承载基片；喷淋头，与所述基座相对设置于所述反应腔内部，用于向所述基座和所述喷淋头之间的反应区域通入工艺气体，以形成等离子体；移动环，其可在高位和低位之间升降，且在所述低位时，所述移动环围绕所述反应区域设置；以及磁场发生装置，其设置于所述移动环上且随所述移动环升降，所述移动环在所述低位时，所述磁场发生装置围绕所述反应区域。本发明中通过磁场发生装置在反应区域内产生第一磁场，可以改变等离子体刻蚀的方向和速率，且使反应区域内等离子体密度分布可以灵活调节，从而保证基片的刻蚀均匀性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
36
records
(took 0.054 seconds)
