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公开(公告)号：CN117116731A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210528731.8
申请日：2022-05-16
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体约束系统，包括：内、外隔离环，分别通过射频接地装置接地；支撑组件，设置在内、外隔离环之间；约束环，位于内、外隔离环之间，且位于所述支撑组件的顶部；热变形释放部，设置在任意一个射频接地装置的下方。同时，本发明还公开了一种等离子体处理装置，以及一种保持等离子体约束系统的结构及功能稳定的方法。本发明通过采用双侧射频接地结构和设置热变形释放部，解决了现有技术的等离子体约束系统在非处理区域产生有害等离子体，以及因热变形破坏等离子体约束系统的结构和功能的技术问题。
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公开(公告)号：CN113130282B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201911415943.X
申请日：2019-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种等离子体约束结构及其制造方法、等离子体处理装置，其中等离子体约束结构可以包括接地环和在接地环上设置的约束环，接地环和与约束环之间形成有绝缘层，接地环中形成有多个第一通道，约束环中形成有多个第二通道，第一通道和第二通道连通，第一通道和第二通道不在同一条直线上，在约束环上形成有等离子体时，等离子体可以通过第二通道进入约束环，通过约束环可以对其上的等离子体进行约束，由于第一通道和第二通道不在同一条直线上，第一通道和第二通道作为等离子体通道时，其通道的长度有所增大，等离子体与第一通道和第二通道的侧壁接触的可能性也较高，因此提高了对等离子体的约束能力。
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公开(公告)号：CN113130282A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911415943.X
申请日：2019-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种等离子体约束结构及其制造方法、等离子体处理装置，其中等离子体约束结构可以包括接地环和在接地环上设置的约束环，接地环和与约束环之间形成有绝缘层，接地环中形成有多个第一通道，约束环中形成有多个第二通道，第一通道和第二通道连通，第一通道和第二通道不在同一条直线上，在约束环上形成有等离子体时，等离子体可以通过第二通道进入约束环，通过约束环可以对其上的等离子体进行约束，由于第一通道和第二通道不在同一条直线上，第一通道和第二通道作为等离子体通道时，其通道的长度有所增大，等离子体与第一通道和第二通道的侧壁接触的可能性也较高，因此提高了对等离子体的约束能力。
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公开(公告)号：CN119673741A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510165658.6
申请日：2025-02-14
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种边缘环组件、下电极组件、等离子体处理装置和制备方法，该边缘环组件包含：环本体；第一电极，其设置于所述环本体内部；第二电极，其设置于所述环本体内部，所述第二电极位于所述第一电极下方并与其电连接，所述第二电极还与外部的第一功率源连接，所述第一电极与所述第二电极之间具有至少两个电连接点。其优点是：该边缘环组件通过沿周向分布的第二电极提高第一电极上射频功率分布的均匀性，以使第一电极形成更均匀的电场环境，有助于提高聚焦环耦合的功率电压的均匀性，进而提升聚焦环上方鞘层厚度的均匀性，保证晶圆处理的均匀性。
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公开(公告)号：CN113808900B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202010554322.6
申请日：2020-06-17
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种等离子体处理装置及其约束环组件与方法，反应腔内设置用于支撑基片的下电极组件，射频功率源将射频功率施加至下电极组件，反应腔还包括：等离子体约束环组件，环绕设置于下电极组件外围，包括等离子体约束环和接地环；接地环在等离子体约束环下方，接地环包含内环和外环，内环电接地，内环通过中间件与外环连接，内环与等离子体约束环内侧之间存在第一电容，外环与等离子体约束环外侧之间存在第二电容，第一电容大于第二电容，使得射频电流经由第一电容进入接地环的内环。本发明改变射频回路局部路径，解决等离子体约束环与接地环内环间出现的放电问题，可使用的射频功率的范围变宽；射频回路稳定，机械加工简单、方便。
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公开(公告)号：CN112928007B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201911241805.4
申请日：2019-12-06
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本申请实施例公开了一种用于等离子体处理设备的下电极组件，该下电极组件不仅包括静电吸盘、等离子体约束环、中接地环和导电元件，还包括隔热元件，所述隔热元件用于降低所述等离子体约束环传递至所述中接地环的热量，从而在等离子体处理设备刻蚀过程中，能够在利用所述导电元件使得所述等离子体约束环和所述中接地环之间形成一较大电容的同时，还能够利用所述隔热元件降低所述等离子体约束环的热量损失，避免所述等离子体约束环的温度偏低而导致等离子体刻蚀过程中产生的聚合物容易在所述等离子体约束环的通道内凝结的问题，从而使得该等离子体约束环的通道不容易堵塞。
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公开(公告)号：CN116525394A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210078043.6
申请日：2022-01-24
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种下电极组件、等离子体处理装置及其组装方法，该下电极组件包括：静电吸盘，具有位于其中部的第一承载面和环绕其中部的第二承载面，所述第二承载面的高度低于所述第一承载面的高度；边缘环组件，环绕所述静电吸盘的中部设置在所述第二承载面的上方，且与所述静电吸盘的中部之间设有间隙；以及隔离层，环绕所述静电吸盘的中部设置，且位于所述边缘环组件的下表面与所述第二承载面之间；其中，所述隔离层为可塑绝缘材料。本发明能够有效地避免静电吸盘与边缘环组件之间的间隙内产生电弧，进而避免下电极组件的损坏和基片的报废。
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公开(公告)号：CN115249606A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110466298.5
申请日：2021-04-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体处理装置、下电极组件及其形成方法，其中，下电极组件包括：基座，用于承载待处理基片；聚焦环，环绕于所述基座的外围；耦合环，设于所述聚焦环下方；导电层，设于所述耦合环内；导线，用于电连接所述导电层与基座，使所述基座与导电层之间等电位。所述下电极组件不易发生电弧放电。
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公开(公告)号：CN113808900A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010554322.6
申请日：2020-06-17
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种等离子体处理装置及其约束环组件与方法，反应腔内设置用于支撑基片的下电极组件，射频功率源将射频功率施加至下电极组件，反应腔还包括：等离子体约束环组件，环绕设置于下电极组件外围，包括等离子体约束环和接地环；接地环在等离子体约束环下方，接地环包含内环和外环，内环电接地，内环通过中间件与外环连接，内环与等离子体约束环内侧之间存在第一电容，外环与等离子体约束环外侧之间存在第二电容，第一电容大于第二电容，使得射频电流经由第一电容进入接地环的内环。本发明改变射频回路局部路径，解决等离子体约束环与接地环内环间出现的放电问题，可使用的射频功率的范围变宽；射频回路稳定，机械加工简单、方便。
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公开(公告)号：CN119560359A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202311127814.7
申请日：2023-09-01
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子处理设备及其等离子体约束环，等离子体约束环环绕设置于基座外围与真空反应腔的侧壁之间，等离子体约束环包含内环组件和外环组件以及分别连接内环组件和外环组件的排气通道组件，内环组件与基座外围接触，内环组件的顶部与基座的顶部齐平，外环组件与真空反应腔的侧壁接触，排气通道组件的顶部表面低于内环组件的顶部表面。本发明减小了等离子体泄露的风险，降低了高功率下发生电弧放电的风险，也减少了等离子体对于等离子体约束环表面涂覆的保护涂层的腐蚀，提高了设备可靠性。
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