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公开(公告)号：CN118248510A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211659220.6
申请日：2022-12-22
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种等离子体边缘刻蚀设备，包括等离子体处理腔室，位于所述等离子体处理腔室内且相对设置的上电极组件和下电极组件；升降装置，用于使所述上电极组件上下运动；所述上电极组件包括等离子区域定位板，其中，所述等离子区域定位板具有主体部和连接部，所述等离子区域定位板通过所述连接部与所述升降装置连接。本发明通过优化具有对准要求的等离子区域定位板与下电极组件之间的连接件，减少等离子区域定位板与下电极组件之间的尺寸链，避免尺寸链的误差累积，提高一次装配的精确度。
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公开(公告)号：CN117116731A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210528731.8
申请日：2022-05-16
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体约束系统，包括：内、外隔离环，分别通过射频接地装置接地；支撑组件，设置在内、外隔离环之间；约束环，位于内、外隔离环之间，且位于所述支撑组件的顶部；热变形释放部，设置在任意一个射频接地装置的下方。同时，本发明还公开了一种等离子体处理装置，以及一种保持等离子体约束系统的结构及功能稳定的方法。本发明通过采用双侧射频接地结构和设置热变形释放部，解决了现有技术的等离子体约束系统在非处理区域产生有害等离子体，以及因热变形破坏等离子体约束系统的结构和功能的技术问题。
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公开(公告)号：CN117888083A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202211227972.5
申请日：2022-10-09
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458
Abstract: 本发明公开一种等离子体处理装置及使用方法，所述等离子体处理装置包括：反应腔；基座，其设置于所述反应腔内部，用于承载基片；喷淋头，与所述基座相对设置于所述反应腔内部，用于向所述基座和所述喷淋头之间的反应区域通入工艺气体，以形成等离子体；移动环，其可在高位和低位之间升降，且在所述低位时，所述移动环围绕所述反应区域设置；以及磁场发生装置，其设置于所述移动环上且随所述移动环升降，所述移动环在所述低位时，所述磁场发生装置围绕所述反应区域。本发明中通过磁场发生装置在反应区域内产生第一磁场，可以改变等离子体刻蚀的方向和速率，且使反应区域内等离子体密度分布可以灵活调节，从而保证基片的刻蚀均匀性。
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公开(公告)号：CN117096006A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202210513880.7
申请日：2022-05-11
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种等离子体约束系统，包括：内、外隔离环，分别通过射频接地装置接地；支撑组件，设置有热变形释放部；约束环，位于所述内隔离环和外隔离环之间，且底部与所述支撑组件的顶部连接。同时，本发明还公开了一种等离子体处理装置，以及一种保持等离子体约束系统的结构及功能稳定的方法。本发明通过采用双侧射频接地结构和设置热变形释放部，解决了现有技术的等离子体约束系统在非处理区域产生有害等离子体，以及因热变形破坏等离子体约束系统的结构和功能的技术问题。
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公开(公告)号：CN106935494B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201511026761.5
申请日：2015-12-31
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种博世工艺中刻蚀硅基片的方法，针对沉积步骤和刻蚀步骤分别采用两组气体的切换交替进入工艺腔，在不需要调整MFC的响应速度的前提下，就可以使沉积步骤和刻蚀步骤相应的工艺时间步长缩短，也即是本发明利用了MFC的响应时间延迟来巧妙的缩短工艺时间步长，使得MFC的响应时间延迟不仅不会影响工艺稳定性反而确保MFC稳定性和可控性，提高了工艺稳定性，减小了scallop缺陷的产生。
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公开(公告)号：CN115249606B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202110466298.5
申请日：2021-04-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体处理装置、下电极组件及其形成方法，其中，下电极组件包括：基座，用于承载待处理基片；聚焦环，环绕于所述基座的外围；耦合环，设于所述聚焦环下方；导电层，设于所述耦合环内；导线，用于电连接所述导电层与基座，使所述基座与导电层之间等电位。所述下电极组件不易发生电弧放电。
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公开(公告)号：CN116614926A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202210121688.3
申请日：2022-02-09
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H05H1/02
Abstract: 本发明公开了一种等离子体约束系统，设置在等离子体处理装置反应腔内的约束区域，所述约束区域位于反应腔的处理区域与排气区域之间，且位于固定基片的基座外周围与反应腔侧壁之间，所述等离子体约束系统设置有多个连通所述处理区域和排气区域的通道，且各所述通道沿基座的径向分布在所述约束区域，使所述处理区域产生的废气经过各所述通道输送到所述排气区域；其中，各所述通道的长度与其所在位置的原始废气流速正相关。本发明还公开了一种等离子体约束方法和等离子体处理装置。本发明在不增加等离子体泄露风险的前提下尽可能大的增大气体流导，进而提升等离子体刻蚀反应腔的真空度，以更好地满足工艺的要求。
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公开(公告)号：CN118263080A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211700090.6
申请日：2022-12-28
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子体边缘刻蚀设备，该装置包含：真空反应腔，所述真空反应腔内具有可移动的上电极组件或下电极组件，两者分别包含相对设置的上电极环和下电极环，所述下电极组件用以支撑基片；设置于所述基片径向外围的环形等离子体约束单元，用以约束所述基片周围形成的等离子体；以及连通所述等离子体约束单元内侧及外侧的抽气通道。其优点是：该装置中设置的等离子体约束单元对基片周围的等离子体进行限制，使等离子体均匀分布在基片周围，提高清洁的效果；此外，该装置还设置有抽气通道，以对抽气进行控制，同时，该抽气通道还增加了等离子体在抽气通道中熄灭的概率，减少等离子体对非反应区域的零部件造成损伤，增加设备使用寿命。
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公开(公告)号：CN118053723A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211400264.7
申请日：2022-11-09
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括：真空反应腔，位于真空反应腔内用于承载晶圆的下电极组件，与所述下电极组件相对设置其可上下移动的上电极组件，所述上电极组件包括下端具有凸台部的上电极和环绕所述凸台部的边缘环，位于所述上电极组件上的至少两组驱动机构，所述驱动机构的末端可沿水平方向移动并与所述边缘环连接。所述驱动机构用于驱动所述边缘环相对于所述上电极在水平方向上移动，从而调整所述边缘环与所述上电极之间的相对位置，保证上电极组件具有极高的同心度，避免边缘环位置偏移导致的晶圆边缘区域刻蚀不均匀问题。
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公开(公告)号：CN116525394A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210078043.6
申请日：2022-01-24
Applicant: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种下电极组件、等离子体处理装置及其组装方法，该下电极组件包括：静电吸盘，具有位于其中部的第一承载面和环绕其中部的第二承载面，所述第二承载面的高度低于所述第一承载面的高度；边缘环组件，环绕所述静电吸盘的中部设置在所述第二承载面的上方，且与所述静电吸盘的中部之间设有间隙；以及隔离层，环绕所述静电吸盘的中部设置，且位于所述边缘环组件的下表面与所述第二承载面之间；其中，所述隔离层为可塑绝缘材料。本发明能够有效地避免静电吸盘与边缘环组件之间的间隙内产生电弧，进而避免下电极组件的损坏和基片的报废。
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