公开(公告)号：CN110495260B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201880023933.9

申请日：2018-02-14

Applicant: 印可得株式会社

Inventor： 郑光春 ,  金修汉 ,  文晶胤 ,  成铉俊 ,  文炳雄

IPC: H05K3/06

Abstract: 本发明涉及一种选择性地仅蚀刻银或银合金或银化合物的蚀刻液组合物及利用该蚀刻液组合物的电路形成方法。本发明的电路形成方法的特征在于在导电性种子层(Seed layer)和电路层由异种金属形成的基板材料上，选择性地仅蚀刻种子层以实现微细间距。而且，涉及一种不蚀刻镀铜(Cu)电路，选择性地仅蚀刻银(Ag，silver)或银合金(Silver alloy)或银化合物(Silver compound)种子层的电路形成方法和蚀刻液组合物。

公开(公告)号：CN110537396B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN201880023917.X

申请日：2018-02-09

Applicant: 印可得株式会社

Inventor： 郑光春 ,  文炳雄 ,  金修汉 ,  文晶胤 ,  成铉俊 ,  金在麟

IPC: H05K3/46 ,  H05K3/10 ,  H05K3/06 ,  H05K1/09 ,  H05K3/02

Abstract: 本发明涉及一种利用种子层的电路形成方法，本发明的利用种子层的电路形成方法的特征在于，能够实现微细间隔，且能增大电路的附着力，能够防止迁移现象。

公开(公告)号：CN110537396A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201880023917.X

申请日：2018-02-09

Applicant: 印可得株式会社

Inventor： 郑光春 ,  文炳雄 ,  金修汉 ,  文晶胤 ,  成铉俊 ,  金在麟

IPC: H05K3/46 ,  H05K3/10 ,  H05K3/06 ,  H05K1/09 ,  H05K3/02

Abstract: 本发明涉及一种利用种子层的电路形成方法，本发明的利用种子层的电路形成方法的特征在于，能够实现微细间隔，且能增大电路的附着力，能够防止迁移现象。

公开(公告)号：CN110495260A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201880023933.9

申请日：2018-02-14

Applicant: 印可得株式会社

Inventor： 郑光春 ,  金修汉 ,  文晶胤 ,  成铉俊 ,  文炳雄

IPC: H05K3/06

Abstract: 本发明涉及一种选择性地仅蚀刻银或银合金或银化合物的蚀刻液组合物及利用该蚀刻液组合物的电路形成方法。本发明的电路形成方法的特征在于在导电性种子层(Seed layer)和电路层由异种金属形成的基板材料上，选择性地仅蚀刻种子层以实现微细间距。而且，涉及一种不蚀刻镀铜(Cu)电路，选择性地仅蚀刻银(Ag，silver)或银合金(Silver alloy)或银化合物(Silver compound)种子层的电路形成方法和蚀刻液组合物。