公开(公告)号：CN101395979B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200780007586.2

申请日：2007-03-02

Applicant: 日本电气株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： 塔拉斯·库什塔 ,  成田薰 ,  金子伴行 ,  小江信一

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H05K1/116 ,  H05K1/0219 ,  H05K1/0222 ,  H05K1/0245 ,  H05K1/0251 ,  H05K3/429 ,  H05K2201/09381 ,  H05K2201/09636 ,  H05K2201/09718 ,  H05K2201/09727

Abstract: 根据一个实施例，在多层衬底中联接过孔结构和平面传输线的宽频带过渡形成为信号过孔焊盘和配置在相同导体层上的平面传输线之间的中间连接。过渡的横向尺寸在一端等于过孔焊盘直径并且在另一端等于带宽度；过渡的长度可以等于在平面传输线的方向的余隙孔的特征尺寸或者被定义为根据通过三维全波仿真得到的数值图在时域中提供的最小过剩感抗。

公开(公告)号：CN101395979A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200780007586.2

申请日：2007-03-02

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 塔拉斯·库什塔 ,  成田薰 ,  金子伴行 ,  小江信一

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H05K1/116 ,  H05K1/0219 ,  H05K1/0222 ,  H05K1/0245 ,  H05K1/0251 ,  H05K3/429 ,  H05K2201/09381 ,  H05K2201/09636 ,  H05K2201/09718 ,  H05K2201/09727

Abstract: 根据一个实施例，在多层衬底中联接过孔结构和平面传输线的宽频带过渡形成为信号过孔焊盘和配置在相同导体层上的平面传输线之间的中间连接。过渡的横向尺寸在一端等于过孔焊盘直径并且在另一端等于带宽度；过渡的长度可以等于在平面传输线的方向的余隙孔的特征尺寸或者被定义为根据通过三维全波仿真得到的数值图在时域中提供的最小过剩感抗。

公开(公告)号：CN1156906A

公开(公告)日：1997-08-13

申请号：CN96119247.X

申请日：1996-10-14

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 成田薰

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L27/10808 ,  H01L29/41775

Abstract: 本发明提供一种包括下列部分的场效应晶体管。在半导体衬底上配置绝缘膜。第一和第二多晶硅膜，使第一多晶硅膜通过第二多晶硅膜连至半导体衬底的预定区域中的周边部分。选择地设置栅绝缘膜，它在半导体衬底除周边部分之外的预定区域上延伸，并在第二多晶硅膜和围绕第二多晶硅膜的那部分第一多晶硅膜上延伸。在栅绝缘膜上设置栅极，在栅绝缘膜下限定复合沟道区。在除栅绝缘膜下的部分之外的第一多晶硅膜中选择地设置源区和漏区，使源区和漏区通过复合沟道区相连。

公开(公告)号：CN101292393A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200680038793.X

申请日：2006-10-10

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 塔拉斯.库什塔 ,  成田薰

IPC: H01P3/06 ,  H01L23/12 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/0222 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/115 ,  H05K1/116 ,  H05K3/429 ,  H05K2201/093 ,  H05K2201/09618 ,  H05K2201/09636 ,  H05K2201/09663 ,  H05K2201/09718

Abstract: 提供在多层PCB中，在宽频带中具有高电气性能和高屏蔽性能的垂直信号路径、具有该垂直信号路径的印刷电路板和具有该印刷电路板的半导体封装，以及半导体芯片垂直信号路径。在用于多层PCB的垂直信号路径中，波导通道是一个导体，其包括信号通孔(201)、围绕该信号通孔的接地通孔(202)的组件、从PCB的导体层连接到接地通孔的接地板、连接接地通孔和电源层的闭合接地带线(205)中的至少一个。

公开(公告)号：CN1055566C

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：CN96104324.5

申请日：1996-01-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 成田薰

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/0288 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在P-型半导体衬底上设置一输入端和连到输入端上的N-型扩散层的输入保护电阻。用于内部电路的第1和第2N型MOS晶体管，在各自的源扩散层上与地线相连。第1MOS晶体管比第2MOS晶体管离输入保护电阻器的距离较近。通过高熔点金属布线，例如硅化钨等等，连接第1MOS晶体管的源扩散层和地线，以便增加电阻改善静电击穿电位。因此，可能使输入保护电阻和第1MOS晶体管之间的距离较短，以便在输入保护电阻器周围消除无用区和减少芯片面积。

公开(公告)号：CN1213178A

公开(公告)日：1999-04-07

申请号：CN98119312.9

申请日：1998-09-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 藤井威男 ,  成田薰 ,  堀口洋子

IPC: H01L23/60

CPC classification number: H03K5/08 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0288 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种带有防止静电放电保护电路的半导体集成电路,其中一个箝位件与MIS晶体管相连,以在带电器件模型下防止击穿,一寄生双极晶体管、MOS晶体管或其栅极由比转换门的绝缘膜厚的绝缘膜构成的MIS晶体管可用作箝位件。

公开(公告)号：CN1938897A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580010468.8

申请日：2005-03-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 成田薰

IPC: H01P3/08

CPC classification number: H01P3/081

Abstract: 本发明涉及一种数据传输装置。该数据传输装置使用传输线，该传输线包括接地导体(305)、信号导体(201)和将它们彼此绝缘的绝缘材料(3)。绝缘材料包括电介质(320)，该电介质在所产生的电场和电介质极化之间呈现出非线性关系。传输线的每单位长度的有效电抗根据信号电压而改变。数据通过传输线在多个集成电路(102)之间传输，从而实现了比常规技术更高速度的数据传输。

公开(公告)号：CN1197155C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN00124355.1

申请日：2000-09-08

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 成田薰

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/06 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/87 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 使形成在半导体保护电路中的闸流管的阳极与阴极之间的距离和二极管的阳极与阴极之间的距离小到LSI制造技术所允许的程度，从而实现在导通条件下的快速启动速度和低的内部电阻，从而即使在施加高速脉冲时，也可限制内部电路上的电压升高。

公开(公告)号：CN1288263A

公开(公告)日：2001-03-21

申请号：CN00124355.1

申请日：2000-09-08

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 成田薰

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/06 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/87 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 使形成在半导体保护电路中的闸流管的阳极与阴极之间的距离和二极管的阳极与阴极之间的距离小到LSI制造技术所允许的程度,从而实现在导通条件下的快速启动速度和低的内部电阻,从而即使在施加高速脉冲时,也可限制内部电路上的电压升高。

公开(公告)号：CN1211823A

公开(公告)日：1999-03-24

申请号：CN98119313.7

申请日：1998-09-11

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 藤井威男 ,  成田薰 ,  堀口洋子

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/58 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/60 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0248 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H02H9/046 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399

Abstract: 一种带有保护电路的引线在芯片上(LOC)的或是芯片在引线上(COL)的半导体器件。将非接线端制作得比接线端短,以降低非接线端的电感,或为非接线端与接线端的保护电路取得互不相同的保护能力。将非接线端保护电路的时间常数制作得比接线端保护电路的长。还使接线端的箝位能力比邻近接线端的另一接线端的强。