公开(公告)号：CN102646628A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210097778.X

申请日：2007-10-09

Applicant: 日本电气株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： 菊池克 ,  山道新太郎 ,  村井秀哉 ,  前田胜美 ,  船矢琢央 ,  森健太郎 ,  前田武彦 ,  川野连也 ,  萱岛祐治

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82

Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括：在金属基材的一个表面上形成金属图案；形成覆盖金属图案的树脂层；通过从金属基材的另一表面侧在金属基材中形成开口，使得金属图案被保留来得到金属框架；在半导体芯片的电路形成表面面朝上的情况下，将半导体芯片安装在开口内；形成覆盖金属框架和半导体芯片的绝缘层；形成连接到半导体芯片的上表面的导电部分的通孔导体；形成电连接到通孔导体的互连层；以及去除树脂层，使得金属图案被暴露。

公开(公告)号：CN101356641B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200680050392.6

申请日：2006-12-20

Applicant: 日本电气株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： 船矢琢央 ,  村井秀哉 ,  山道新太郎 ,  菊池克 ,  本多广一 ,  宫崎真一

IPC: H01L23/12

Abstract: 半导体搭载用布线基板(5)，至少具有：绝缘膜(1)；在绝缘膜(1)中形成的布线(2)；多个电极凸台(4)，这些电极凸台(4)在绝缘膜(1)的正反两面中露出表面地设置，而且其侧面的至少一部分被绝缘膜(1)埋设；以及连接布线(2)与电极凸台(4)的过孔(3)。用第1材料来形成连接布线(2)与电极凸台(4)的过孔(3)。将在绝缘膜(1)中形成的布线(2)彼此连接的至少一个过孔(3a)，包含与第1材料不同的第2材料。半导体搭载用布线基板(5)有利于在半导体器件的高集成化、高速化或多功能化情况下的端子数量的增加及端子间隔的狭小间距化，特别是能够在基板两面高密度而且高精度地搭载半导体器件、可靠性也优异。

公开(公告)号：CN101536181A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780041277.7

申请日：2007-10-09

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 菊池克 ,  山道新太郎 ,  村井秀哉 ,  前田胜美 ,  船矢琢央 ,  森健太郎 ,  前田武彦 ,  川野连也 ,  萱岛祐治

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82

Abstract: 一种半导体装置，包括：金属框架，其包括贯通的开口；半导体芯片，其设置在开口中；绝缘层，其设置在金属框架的上表面上，以覆盖上表面，所述上表面是半导体芯片的电路形成表面；布线层，其通过绝缘材料只设置在金属框架的上表面侧，并且电连接到半导体芯片的电路；通孔导体，其用于在将半导体芯片的电路和布线层电连接；以及树脂层，其设置在金属框架的下表面上。

公开(公告)号：CN100541791C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200710101059.X

申请日：2007-04-26

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 副岛康志 ,  栗田洋一郎 ,  川野连也 ,  山道新太郎 ,  菊池克

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 第一电子电路组件以及第二电子电路组件分别通过第一焊料以及第二焊料电连接到导电部件。导电部件形成在树脂膜中。导电部件被配置为包括第二扩散阻挡金属膜。第二扩散阻挡金属膜防止第二焊料的扩散。在导电部件以及第一焊料之间配置第一扩散阻挡金属膜。第一扩散阻挡金属膜防止第一焊料的扩散。在树脂膜的第一表面上以及在导电部件上，形成粘合金属膜使其与树脂膜以及导电部件相接触。与第一焊料以及第一扩散阻挡金属膜的任何一个相比，粘合金属膜与树脂膜的粘合性更强。

公开(公告)号：CN101106121A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710136413.2

申请日：2007-07-16

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 塚野纯 ,  小川健太 ,  前田武彦 ,  山道新太郎 ,  菊池克

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/12 ,  H01L21/50 ,  H05K1/02 ,  H05K1/18 ,  H05K3/32 ,  H05K13/02 ,  H05K13/04

CPC classification number: H05K1/0271 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/205 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/09018 ,  H05K2201/09481 ,  H05K2201/09781 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 一种布线基板，包括基底绝缘膜、在基底绝缘膜的顶部表面侧上形成的第一互连、在基底绝缘膜中形成的通孔中提供的通孔导体、以及在基底绝缘膜的底部表面侧上形成的第二互连，该第二互连经由通孔导体连接到第一互连。布线基板包括分开的基板单元区域，在每个基板单元区域中形成第一互连、通孔导体和第二互连。布线基板包括基底绝缘膜上的扭曲控制图案，并且具有扭曲形状，由此当使布线基板静止在水平板上时，至少基板的平面表面的每个边的中心部分与水平板接触并且该边的两个端部被升起，其中每个边沿垂直于基板的平面表面中的第一方向的第二方向延伸。

公开(公告)号：CN101356641A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200680050392.6

申请日：2006-12-20

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 船矢琢央 ,  村井秀哉 ,  山道新太郎 ,  菊池克 ,  本多广一 ,  宫崎真一

IPC: H01L23/12

Abstract: 半导体搭载用布线基板(5)，至少具有：绝缘膜(1)；在绝缘膜(1)中形成的布线(2)；多个电极凸台(4)，这些电极凸台(4)在绝缘膜(1)的正反两面中露出表面地设置，而且其侧面的至少一部分被绝缘膜(1)埋设；以及连接布线(2)与电极凸台(4)的通路孔(3)。用第1材料来形成连接布线(2)与电极凸台(4)的通路孔(3)。将在绝缘膜(1)中形成的布线(2)彼此连接的至少一个通路孔(3a)，包含与第1材料不同的第2材料。半导体搭载用布线基板(5)有利于在半导体器件的高集成化、高速化或多功能化情况下的端子数量的增加及端子间隔的狭小间距化，特别是能够在基板两面高密度而且高精度地搭载半导体器件、可靠性也优异。

公开(公告)号：CN100394593C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200510084420.3

申请日：2005-07-15

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 菊池克 ,  山道新太郎 ,  村井秀哉 ,  本多广一 ,  副岛康志 ,  宫崎真一

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5286 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种半导体器件，其中，包括第一布线层和第一绝缘层的微细布线结构部分，形成在半导体衬底上，其中每一第一布线层和每一第一绝缘层都被交替地层压。第一巨型布线结构部分形成在微细布线结构部分上，并且第一巨型布线结构部分是这样形成的，通过以下面的顺序在微细布线结构部分上相继地形成第一巨型布线部分，其包括厚度为第一布线层厚度两倍或更多的第二布线层和第二绝缘层，其中每一第二布线层和每一第二绝缘层被交替地层压；第二巨型布线结构部分，包括厚度为第一布线层厚度两倍或更多的第三布线层和第三绝缘层，其中第三绝缘层在25℃时的弹性模量不大于第二绝缘层在25℃时的弹性模量，每一第三布线层和每一第三绝缘层都被交替地层压。

公开(公告)号：CN1949952A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610132159.4

申请日：2006-10-12

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 菊池克 ,  山道新太郎 ,  栗田洋一郎 ,  副岛康志

IPC: H05K1/16 ,  H05K3/46 ,  H05K3/00 ,  H01L23/498 ,  H05K1/11

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H05K3/0023 ,  H05K3/205 ,  H05K3/4007 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2203/0733 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种多层配线板，具有：设置在第一表面和第二表面上的电极、交替地被层压的绝缘层和配线层、以及设置在绝缘层中且与配线层电连接的通孔。将设置在第二表面的第二电极嵌入暴露在所述第二表面的绝缘层中，且有暴露在所述第二表面的绝缘层所覆盖的第二配线层并不具有用于改善与绝缘层的粘着性的层。

公开(公告)号：CN1756654A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200380109996.X

申请日：2003-11-19

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 村井秀哉 ,  下户直典 ,  马场和宏 ,  菊池克

IPC: B32B9/00

CPC classification number: H05K3/4673 ,  B32B7/12 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0358 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249955 ,  Y10T428/249958 ,  Y10T428/31681

Abstract: 一种薄片材料(2)，设有粘接层(2)，在该粘接层(2)上层叠高强度层(3)。粘接层(2)由热硬化材料的环氧树脂构成。另外，高强度层(3)由在环氧树脂的热硬化温度下不软化的、在温度为23℃时的抗拉断裂强度为100MPa以上、在温度为23℃时的断裂延伸率为10％以上，若设温度为－65℃时的抗拉断裂强度为a(MPa)、温度为150℃时的抗拉断裂强度为b(MPa)时，则a/b的值为2.5以下的聚酰亚胺构成。

公开(公告)号：CN1722429A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510084420.3

申请日：2005-07-15

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 菊池克 ,  山道新太郎 ,  村井秀哉 ,  本多广一 ,  副岛康志 ,  宫崎真一

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5286 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种半导体器件，其中，包括第一布线层和第一绝缘层的微细布线结构部分，形成在半导体衬底上，其中每一第一布线层和每一第一绝缘层都被交替地层压。第一巨型布线结构部分形成在微细布线结构部分上，并且第一巨型布线结构部分是这样形成的，通过以下面的顺序在微细布线结构部分上相继地形成第一巨型布线部分，其包括厚度为第一布线层厚度两倍或更多的第二布线层和第二绝缘层，其中每一第二布线层和每一第二绝缘层被交替地层压；第二巨型布线结构部分，包括厚度为第一布线层厚度两倍或更多的第三布线层和第三绝缘层，其中第三绝缘层在25℃时的弹性模量不大于第二绝缘层在25℃时的弹性模量，每一第三布线层和每一第三绝缘层都被交替地层压。