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公开(公告)号:CN115485334A
公开(公告)日:2022-12-16
申请号:CN202180031681.6
申请日:2021-06-08
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: C08L53/02 , C08F297/04 , C09J7/30
Abstract: 一种氢化共聚物(X),其包含氢化共聚物(A)和氢化共聚物(B),满足下述(1)~(4)。(1):氢化共聚物(A)具有由共轭二烯化合物和乙烯基芳香族化合物形成的无规共聚结构,(A)中的乙烯基芳香族化合物的含量为10~80质量%。(2):氢化共聚物(B)具有由共轭二烯化合物和乙烯基芳香族化合物形成的无规共聚结构,(B)中的乙烯基芳香族化合物的含量为10~80质量%。(3):氢化共聚物(A)的(Mn1)相对于氢化共聚物(B)的(Mn2)之比(Mn1/Mn2)小于0.25,1000≦Mn1≦40000。(4):氢化共聚物(A)的含量与氢化共聚物(B)的含量的质量比(A)/(B)为5/95~50/50。
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公开(公告)号:CN118613516A
公开(公告)日:2024-09-06
申请号:CN202380019016.4
申请日:2023-02-27
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: C08F293/00 , B32B15/082 , B32B27/00 , B32B27/30 , C08J5/24 , C08L53/02 , C08L101/00 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供一种嵌段共聚物,其具有:由乙烯基芳香族单体单元和共轭二烯单体单元构成的聚合物嵌段(C);以及以乙烯基芳香族单体单元为主体的聚合物嵌段(A)和/或以共轭二烯单体单元为主体的聚合物嵌段(B),该嵌段共聚物满足条件(i)~(iv)。 上述聚合物嵌段(C)中的质量比为乙烯基芳香族单体单元/共轭二烯单体单元=5/95~95/5。 相对于嵌段共聚物100质量份,上述聚合物嵌段(C)的含量为5质量份以上95质量份以下。 Mw为3.5万以下。 相对于嵌段共聚物100质量份,乙烯基芳香族单体单元的含量为5质量份以上95质量份以下。
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公开(公告)号:CN116693781A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202310135115.0
申请日:2023-02-20
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: C08F297/04 , C08F8/04 , C08L71/12 , C08L63/02 , C08L79/08 , C08J5/18 , C08J5/04 , B32B27/04 , B32B17/02 , B32B15/14 , B32B15/20 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/38 , B32B27/28 , B32B27/36 , B32B27/00 , B32B15/082 , B32B15/085 , B32B15/09 , B32B15/092 , B32B15/08
Abstract: 本发明涉及嵌段共聚物、树脂组合物、固化物、树脂膜、预浸料、层积体以及电子电路基板用的材料,目的在于提供一种嵌段共聚物,其可得到介电常数低且介质损耗角正切低、强度特性也优异的固化物。一种嵌段共聚物,其具有:以乙烯基芳香族单体单元为主体的聚合物嵌段(A);以及、以共轭二烯单体单元为主体的聚合物嵌段(B)和/或由乙烯基芳香族单体单元和共轭二烯单体单元构成的聚合物嵌段(C),该嵌段共聚物满足下述的条件(i)~(ii)。 上述嵌段共聚物的重均分子量为3.5万以下。 上述嵌段共聚物中的乙烯基芳香族单体单元的含量为55质量%以上95质量%以下。
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公开(公告)号:CN118772566A
公开(公告)日:2024-10-15
申请号:CN202410363884.0
申请日:2024-03-28
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: C08L53/02 , B32B15/082 , B32B15/20 , B32B15/14 , B32B17/04 , B32B27/04 , C08J5/18 , C08J5/24 , H05K1/03 , C08L71/12
Abstract: 本发明涉及树脂组合物、固化物、树脂膜、预浸料、层积体和印刷布线板。本发明的树脂组合物可得到具有低介电常数、低介质损耗角正切、且耐热性优异的固化物。一种树脂组合物,其含有:具有乙烯基芳香族单体单元和共轭二烯单体单元的共聚物(A)和共聚物(B)以及(I)固化树脂、(II)自由基引发剂、(III)固化剂中的一种以上,并满足下述条件:共聚物(A)的Mn为40,000以下;共聚物(A)、(B)具有1个以上以乙烯基芳香族单体单元为主体的聚合物嵌段;共聚物(B)的Mn为80,000以上;共聚物(A)与(B)的以乙烯基芳香族单体单元为主体的聚合物嵌段的含量(BS)之差ΔBS为20质量%以下;共聚物(A)和(B)的乙烯基芳香族单体单元的含量的平均值为40质量%以下;共聚物(B)的(BSb)为10质量%以上。
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公开(公告)号:CN118725496A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202410357761.6
申请日:2024-03-27
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: 本发明涉及树脂组合物、固化物、树脂膜、预浸料、层积体以及印刷布线板,树脂组合物可得到具有低介电常数、低介质损耗角正切且尺寸稳定性优异的固化物。树脂组合物含有:具有乙烯基芳香族单体单元和共轭二烯单体单元的共聚物(A)、(B)以及(I)固化树脂、(II)自由基引发剂、(III)固化剂中的至少一种,共聚物(A)的Mn为30000以下,具有至少一个以乙烯基芳香族单体单元作为主体的聚合物嵌段;共聚物(B)具有至少一个以乙烯基芳香族单体单元作为主体的聚合物嵌段,共聚物(B)的Mn为50000以上,共聚物(A)的乙烯基芳香族单体单元的含量(Sa)与共聚物(B)的乙烯基芳香族单体单元的含量(Sb)之差(ΔS)为ΔS=|Sa‑Sb|≤25质量%,共聚物(A)和(B)的乙烯基芳香族单体单元的含量的平均值为50质量%以上。
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公开(公告)号:CN118652515A
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN202410233458.5
申请日:2024-03-01
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: C08L53/02 , C08K5/134 , C08F8/04 , C08F297/04 , C09J153/02 , C09J11/06 , C09J7/30
Abstract: 本发明涉及氢化共聚物、粘合组合物、粘合性膜以及氢化共聚物的制造方法,目的在于提供粘合性、残胶性优异、膜成膜性优异的氢化共聚物、含有上述氢化共聚物的粘合组合物、以及粘合性膜。一种氢化共聚物(X),其包含:氢化共聚物(A),该氢化共聚物(A)为具有乙烯基芳香族单体单元和共轭二烯单体单元的共聚物的氢化物;和氢化共聚物(B),该氢化共聚物(B)为具有乙烯基芳香族单体单元和共轭二烯单体单元的共聚物的氢化物,上述(A)和(B)分别满足规定的条件。
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公开(公告)号:CN118632881A
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202380019017.9
申请日:2023-02-27
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: C08F297/04 , B32B15/082 , B32B27/00 , B32B27/30 , C08J5/24 , C08L27/12 , C08L53/02 , C08L63/00 , C08L67/03 , C08L71/12 , C08L79/08 , C08L101/00
Abstract: 本发明提供一种嵌段共聚物,其具有:以共轭二烯单体单元为主体的聚合物嵌段(B);以及以乙烯基芳香族单体单元为主体的聚合物嵌段(A)和/或由乙烯基芳香族单体单元和共轭二烯单体单元构成的聚合物嵌段(C),该嵌段共聚物满足下述条件(i)~(iii)。 上述嵌段共聚物的重均分子量为3.5万以下。 上述嵌段共聚物中的乙烯基芳香族单体单元的含量为30质量%以上。 相对于上述嵌段共聚物100质量份,5质量份以上的上述聚合物嵌段(B)位于上述嵌段共聚物的末端。
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公开(公告)号:CN117903364A
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202311341995.3
申请日:2023-10-16
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: C08F236/10 , C08F212/08 , C08F212/12 , C08F8/04 , C08L9/06 , C08L25/10 , C08L25/16 , C08L63/00 , C08L79/08 , C08L71/12 , C08L67/00 , C08L101/04 , C08K7/14 , C08J5/24 , B32B15/082 , H05K1/03
Abstract: 本发明涉及共轭二烯系共聚物、树脂组合物、固化物、树脂膜、预浸料、层积体以及电子电路基板材料。一种共轭二烯系共聚物,其以乙烯基芳香族单体单元(a)和共轭二烯单体单元(b)作为主体,其中,该共聚物满足下述条件(ⅰ)~(ⅰⅰⅰ)。 上述共轭二烯系共聚物的重均分子量为4.0万以下。 上述乙烯基芳香族单体单元(a)包含具有自由基反应性基团的乙烯基芳香族单体单元(a‑2),上述共轭二烯系共聚物中的上述具有自由基反应性基团的乙烯基芳香族单体单元(a‑2)的含量为5质量%以上。 上述共轭二烯系共聚物中的上述乙烯基芳香族单体单元(a)的含量为5质量%~95质量%。
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