公开(公告)号：CN116745892A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202280011708.X

申请日：2022-03-01

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 田泽强 ,  山本和弘 ,  中村奏美 ,  谷口纮平 ,  平理子

IPC: H01L21/52

Abstract: 本发明提供一种黏合膜的评价方法，其为在半导体装置的制造工艺中所使用的黏合膜的评价方法，其包括通过加热的探针进行黏性试验的工序，评价对象的黏合膜的厚度为20μm以下。该黏性试验例如使用具备支撑黏合膜的试样的载台及相对于载台沿上下方向移动自如并且能够进行温度设定的探针的装置，在使聚酰亚胺膜介在于载台与试样之间的状态下进行。

公开(公告)号：CN119547192A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202480002246.4

申请日：2024-06-17

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 平田俊太郎 ,  田泽强 ,  山崎晓 ,  上野惠子 ,  林出明子 ,  茶花幸一

IPC: H01L21/60

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，其包括：对具有第1电路部件、第2电路部件及热固性黏合剂层的层叠体，通过按压部件进行加热及加压，由此形成临时压接体的工序；及在加压氛围气下对临时压接体进行加热而形成连接体的工序。第1电路部件可以为半导体芯片。层叠体通过按压部件以1.50MPa以下的规定的压力进行加压。在通过按压部件对层叠体进行加热及加压期间的一部分或全部中，按压部件中的至少一者以成为热固性黏合剂层的起始温度以上的临时压接温度的方式进行加热。

公开(公告)号：CN118696402A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202380021774.X

申请日：2023-02-14

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 金子知世 ,  谷口纮平 ,  山本和弘 ,  田泽强

IPC: H01L21/52 ,  C09J7/35 ,  C09J11/04 ,  C09J115/00 ,  C09J161/06 ,  C09J163/00 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明公开一种膜状黏合剂。该膜状黏合剂含有环氧树脂、酚醛树脂、弹性体及无机填料。环氧树脂的环氧基相对于酚醛树脂的羟基的比例为1.2以上。

公开(公告)号：CN119836456A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202380064189.8

申请日：2023-06-28

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 林出明子 ,  木村亮介 ,  田泽强 ,  石毛纮之

IPC: C09J7/30 ,  C09J4/02 ,  C09J7/40 ,  C09J201/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 一种黏合剂膜，其用于将半导体芯片接合至基体，并且密封半导体芯片与基体的间隙，其中，所述黏合剂膜为由具有光固性及热固性的黏合剂组合物形成的单层膜。

公开(公告)号：CN118661243A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202380020759.3

申请日：2023-02-14

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 田泽强 ,  木村尚弘 ,  山本和弘 ,  岩永有辉启

IPC: H01L21/301

Abstract: 本发明公开一种切割晶粒接合膜，其具备：晶粒接合膜；及切割膜，具有贴合于晶粒接合膜的压敏胶黏剂层。黏合剂层的厚度为10μm以下。压敏胶黏剂层的厚度小于10μm。切割膜可以进一步具有基材膜，也可以在基材膜上设置压敏胶黏剂层。

公开(公告)号：CN117999641A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202280062217.8

申请日：2022-09-21

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 山本和弘 ,  田泽强 ,  金子知世 ,  秋吉利泰

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/301

Abstract: 公开一种膜状黏合剂。该膜状黏合剂含有热固性树脂、固化剂、弹性体及平均粒径为400nm以下的无机填料。以膜状黏合剂的总量为基准，无机填料的含量为18～40质量％。以膜状黏合剂的总量为基准，热固性树脂及固化剂的合计含量为25质量％以下。

公开(公告)号：CN119856252A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380041124.1

申请日：2023-07-11

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 茶花幸一 ,  佐藤慎 ,  田泽强

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：在主面的一方具有多个电极的半导体晶圆的设置有电极的一侧，从黏合剂层侧贴附包括背面研磨带及黏合剂层的层叠体，所述背面研磨带包括基材及形成于该基材上的压敏胶黏剂层，所述黏合剂层形成在压敏胶黏剂层上；对半导体晶圆进行研削来使其薄化；对薄化的半导体晶圆及黏合剂层进行切割而使其单片化为附有黏合剂层的半导体芯片；及将附有黏合剂层的半导体芯片的电极与其他半导体芯片或配线电路基板的电极电连接，半导体晶圆及层叠体在俯视下具有圆形的形状，在俯视时，半导体晶圆的直径A与层叠体的直径X满足下述式(1)的关系。A＜X≤A+5mm…(1)。

公开(公告)号：CN119856251A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380041123.7

申请日：2023-07-11

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 茶花幸一 ,  佐藤慎 ,  田泽强

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：在半导体晶圆的设置有电极的一侧，从黏合剂层侧贴附包括背面研磨带及黏合剂层的层叠体，所述背面研磨带包括基材及形成于该基材上的压敏胶黏剂层，所述黏合剂层形成在压敏胶黏剂层上；对半导体晶圆进行研削来使其薄化；对薄化的半导体晶圆及黏合剂层进行切割而使其单片化为附有黏合剂层的半导体芯片；及将附有黏合剂层的半导体芯片的电极与其他半导体芯片或配线电路基板的电极电连接，半导体晶圆及层叠体在俯视下具有圆形的形状，在俯视时，半导体晶圆的直径A与层叠体的直径X满足下述式(1)的关系。A‑1.5mm≤X＜A…(1)

公开(公告)号：CN308892052S

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202330502211.5

申请日：2023-08-08

Applicant: 株式会社力森诺科

Designer： 田泽强 ,  尾崎义信 ,  大久保惠介 ,  越野美春 ,  木村尚弘 ,  岩永有辉启

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：用于制造半导体器件的粘合带的切割带。
2.本外观设计产品的用途：用作在制造半导体器件的工艺中使用的粘合带材料，粘合带主体外周部分的突出部用作从粘合带主体部分剥离PET分离器部分的起点。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：组件1立体图。
5.其他需要说明的情形其他说明：实线部分为要求保护的部分，虚线部分仅仅为了示出不要求保护的部分，长短交替的点划线表示要求保护的部分和不要求保护的部分之间的边界线，该边界线不构成任何设计；组件1的左视图与右视图对称、俯视图与仰视图对称、后视图无设计要点，故分别省略组件1的左视图、俯视图和后视图；C 部放大参考图中的 a 表示切割带，b 表示基材，c 表示粘合层，d 表示结合层，e表示PET分离器，该PET分离器是透明的；所示产品为左右两方连续无限定边界。