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公开(公告)号:CN116711069A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202280009768.8
申请日:2022-01-12
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L23/12
Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具备:准备基材的工序;准备分别具有连接端子的多个半导体元件的工序;准备设置有第1配线的带配线的基板的工序;将多个半导体元件配置于基材上的工序;用绝缘材料覆盖基材上的多个半导体元件的工序;以在用绝缘材料覆盖的多个半导体元件的连接端子的至少一部分上连接第1配线的方式,将带配线的基板配置于多个半导体元件内的至少1个半导体元件上的工序;以及在第1配线的周边制作第2配线的工序。第1配线具有比第2配线更微细的配线。
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