公开(公告)号：CN112313281B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201980041134.9

申请日：2019-06-21

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 大塚康平 ,  高根泽伸 ,  尾濑昌久 ,  藤田广明 ,  坂本德彦 ,  增田寿代 ,  菅野友

IPC: C08L63/00 ,  C08J5/24 ,  C08K7/18 ,  C08K5/3415 ,  C08K5/3445 ,  C08K5/544 ,  C08L83/04 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明提供具有优异的低热膨胀性、高弹性模量及优异的成形性的热固化性树脂组合物、使用该热固化性树脂组合物的预浸渍体、层叠板、印刷线路板、半导体封装体以及前述热固化性树脂组合物的制造方法。具体而言，前述热固化性树脂组合物是含有(a)无机填充材料的热固化性树脂组合物，在0.01μm以上且小于0.1μm的范围和0.1μm以上且10μm以下的范围的两个范围内存在前述(a)无机填充材料的粒径分布的峰的极大位置。

公开(公告)号：CN118414698A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202280083649.7

申请日：2022-12-26

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 高桥正树 ,  藤田广明 ,  岛冈伸治 ,  乃万裕一

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36

Abstract: 一种半导体封装件，其具有：有机基板，其具有电路；半导体芯片，其搭载于所述有机基板的一个面的一部分，并与所述电路电连接；以及金属板，其粘接于所述有机基板的一个面中的、未搭载所述半导体芯片的区域的至少一部分，且未与所述电路电连接，构成所述金属板的金属的30～260℃的温度下的平均热膨胀率为3～15ppm/℃。

公开(公告)号：CN116711069A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202280009768.8

申请日：2022-01-12

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 满仓一行 ,  大竹俊亮 ,  藤田广明 ,  岛冈伸治 ,  增子崇 ,  藏渕和彦

IPC: H01L23/12

Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具备：准备基材的工序；准备分别具有连接端子的多个半导体元件的工序；准备设置有第1配线的带配线的基板的工序；将多个半导体元件配置于基材上的工序；用绝缘材料覆盖基材上的多个半导体元件的工序；以在用绝缘材料覆盖的多个半导体元件的连接端子的至少一部分上连接第1配线的方式，将带配线的基板配置于多个半导体元件内的至少1个半导体元件上的工序；以及在第1配线的周边制作第2配线的工序。第1配线具有比第2配线更微细的配线。