公开(公告)号：CN116745892A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202280011708.X

申请日：2022-03-01

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 田泽强 ,  山本和弘 ,  中村奏美 ,  谷口纮平 ,  平理子

IPC: H01L21/52

Abstract: 本发明提供一种黏合膜的评价方法，其为在半导体装置的制造工艺中所使用的黏合膜的评价方法，其包括通过加热的探针进行黏性试验的工序，评价对象的黏合膜的厚度为20μm以下。该黏性试验例如使用具备支撑黏合膜的试样的载台及相对于载台沿上下方向移动自如并且能够进行温度设定的探针的装置，在使聚酰亚胺膜介在于载台与试样之间的状态下进行。

公开(公告)号：CN116848208A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280008971.3

申请日：2022-01-05

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 国土由衣 ,  中村奏美 ,  山本和弘 ,  青柳翔太

IPC: C09J11/04

Abstract: 本发明提供一种黏合剂组合物。该黏合剂组合物含有环氧树脂、软化点为90℃以上的第1固化剂、软化点小于90℃的第2固化剂及弹性体。以黏合剂组合物的总质量为基准，弹性体的含量为22～45质量％。并且，本发明提供一种使用这样的黏合剂组合物的膜状黏合剂、切割晶粒接合一体型膜、以及半导体装置及其制造方法。此外，本发明提供一种使用这样的切割晶粒接合一体型膜的半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN116762169A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202280011093.0

申请日：2022-01-19

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 桥本裕贵 ,  山本和弘 ,  国土由衣

IPC: H01L25/065

Abstract: 一种热固性树脂组合物，其用于制造芯片埋入型半导体装置，所述热固性树脂组合物含有羟基当量150g/eq以下的固化剂且120℃下的熔融粘度为1000～11500Pa·s。

公开(公告)号：CN116210358A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202180058002.4

申请日：2021-08-05

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 谷口纮平 ,  尾崎义信 ,  板垣圭 ,  山本和弘 ,  中村奏美 ,  桥本裕贵

IPC: H10B80/00

Abstract: 本发明所涉及的半导体装置的制造方法包括：(A)在基板上配置第一芯片的工序；(B)在基板上且第一芯片的周围或应配置第一芯片的区域的周围配置多个加高片的工序；(C)准备带黏合剂片的芯片的工序，所述带黏合剂片的芯片具备第二芯片及设置于第二芯片的一个面上的黏合剂片；及(D)对带黏合剂片的芯片沿基板的方向施加按压力，以使第一芯片及加高片的至少一部分埋入黏合剂片的工序。

公开(公告)号：CN112740381B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN201980062552.6

申请日：2019-09-24

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 国土由衣 ,  山本和弘 ,  藤尾俊介

IPC: H01L21/52 ,  C09J7/35 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J133/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明公开一种用于黏合半导体元件和搭载所述半导体元件的支承部件的膜状黏合剂。膜状黏合剂含有热固性树脂、固化剂、丙烯酸橡胶及无机填料，相对于热固性树脂、固化剂、丙烯酸橡胶及无机填料的总质量100质量份，无机填料的含量为0.5～10质量份，膜状黏合剂的厚度为15μm以下。

公开(公告)号：CN118696402A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202380021774.X

申请日：2023-02-14

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 金子知世 ,  谷口纮平 ,  山本和弘 ,  田泽强

IPC: H01L21/52 ,  C09J7/35 ,  C09J11/04 ,  C09J115/00 ,  C09J161/06 ,  C09J163/00 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明公开一种膜状黏合剂。该膜状黏合剂含有环氧树脂、酚醛树脂、弹性体及无机填料。环氧树脂的环氧基相对于酚醛树脂的羟基的比例为1.2以上。

公开(公告)号：CN118661243A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202380020759.3

申请日：2023-02-14

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 田泽强 ,  木村尚弘 ,  山本和弘 ,  岩永有辉启

IPC: H01L21/301

Abstract: 本发明公开一种切割晶粒接合膜，其具备：晶粒接合膜；及切割膜，具有贴合于晶粒接合膜的压敏胶黏剂层。黏合剂层的厚度为10μm以下。压敏胶黏剂层的厚度小于10μm。切割膜可以进一步具有基材膜，也可以在基材膜上设置压敏胶黏剂层。

公开(公告)号：CN117999641A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202280062217.8

申请日：2022-09-21

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 山本和弘 ,  田泽强 ,  金子知世 ,  秋吉利泰

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/301

Abstract: 公开一种膜状黏合剂。该膜状黏合剂含有热固性树脂、固化剂、弹性体及平均粒径为400nm以下的无机填料。以膜状黏合剂的总量为基准，无机填料的含量为18～40质量％。以膜状黏合剂的总量为基准，热固性树脂及固化剂的合计含量为25质量％以下。

公开(公告)号：CN116685654A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202280008972.8

申请日：2022-01-05

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 国土由衣 ,  中村奏美 ,  山本和弘 ,  青柳翔太

IPC: C09J11/04

Abstract: 本发明提供一种膜状黏合剂。在该膜状黏合剂中，120℃下的剪切粘度为17000Pa·s以下，以170℃、1小时的条件固化后的150℃下的储能模量为23MPa以上，厚度为30μm以下。并且，本发明提供一种使用这样的膜状黏合剂的切割晶粒接合一体型膜、以及半导体装置及其制造方法。此外，本发明提供一种使用这样的切割晶粒接合一体型膜的半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN116783258A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202280010958.1

申请日：2022-03-02

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 青柳翔太 ,  山本和弘 ,  中村奏美 ,  谷口纮平

IPC: C09J7/30

Abstract: 本发明公开一种膜状黏合剂。该膜状黏合剂含有热固性树脂、固化剂及弹性体。热固性树脂含有具有芴骨架的环氧树脂。