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公开(公告)号：CN118053799A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311493378.5
申请日：2023-11-10
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法。所述半导体装置的制造方法依次具备以下工序：准备层叠体的工序，所述层叠体具备：依次具有基材层、含紫外线固化型压敏胶黏剂的压敏胶黏剂层及黏合剂层的切割‑芯片接合一体型膜；和设置在切割‑芯片接合一体型膜的黏合剂层上且是将半导体晶片制成单片而成的多个半导体芯片；对层叠体的压敏胶黏剂层照射紫外线，形成包含紫外线固化型压敏胶黏剂的固化物的压敏胶黏剂固化物层的工序；以及透过多个半导体芯片彼此之间的间隙对黏合剂层照射激光而将黏合剂层制成单片，从而制作带黏合剂层片的半导体芯片的工序。
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公开(公告)号：CN119096355A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202380036148.8
申请日：2023-08-31
Applicant: 株式会社力森诺科
Abstract: 公开一种制造CoWoS‑L等半导体封装件的方法，其包括：准备中间结构体的步骤，所述中间结构体具有：基材，具有第一主面及其背面侧的第二主面；及再配线层，设置于第一主面上且具有绝缘树脂层及配线，所述中间结构体中，基材具有包含从第一主面贯穿至第二主面的贯穿部的树脂部，再配线层形成有具有贯穿部露出的底面的沟槽；及形成多个配线结构体的步骤，所述多个配线结构体具有沿着沟槽切断贯穿部从而被分割的基材。
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公开(公告)号：CN116569309A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180083521.6
申请日：2021-10-01
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明公开一种膜状黏合剂。膜状黏合剂的一方式含有金属粒子，并且在110℃下的剪切粘度为30000Pa·s以下。膜状黏合剂的另一方式含有金属粒子，并且在110℃下的损耗模量为200kPa以下。膜状黏合剂的另一方式含有金属粒子、热固性树脂、固化剂及弹性体，以金属粒子、热固性树脂、固化剂及弹性体的合计量为基准，金属粒子的含量为70.0质量％以上，热固性树脂及固化剂的合计含量为13.0质量％以上。
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公开(公告)号：CN116210358A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180058002.4
申请日：2021-08-05
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H10B80/00
Abstract: 本发明所涉及的半导体装置的制造方法包括：(A)在基板上配置第一芯片的工序；(B)在基板上且第一芯片的周围或应配置第一芯片的区域的周围配置多个加高片的工序；(C)准备带黏合剂片的芯片的工序，所述带黏合剂片的芯片具备第二芯片及设置于第二芯片的一个面上的黏合剂片；及(D)对带黏合剂片的芯片沿基板的方向施加按压力，以使第一芯片及加高片的至少一部分埋入黏合剂片的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119096352A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202380036144.X
申请日：2023-08-30
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L23/12 , H01L21/301 , H01L25/04 , H01L25/18 , H10B80/00
Abstract: 在本发明的半导体装置的制造方法中，首先准备结构体(200)，该结构体(200)具有形成有用于将表面分割成多个设置区域(65)的多个沟槽部(61)的中介层(60)、以及配置于各设置区域(65)上的半导体元件(202a、202b)。半导体元件(202a)为处理器，半导体元件(202b)为存储器。在该结构体(200)中，密封半导体元件(202a、202b)以使密封材料(8)插入各沟槽部(61)。然后，研磨中介层(60)的背面，以使插入各沟槽部(61)的密封材料(8)露出。之后，沿着沟槽部(61)切断密封材料(8)而使其单片化，从而获取多个半导体装置(201)。根据该方法，单片化时仅切断密封材料(8)，因此能够省略刀片变更而提高制造效率。
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公开(公告)号：CN119096354A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202380036147.3
申请日：2023-08-31
Applicant: 株式会社力森诺科
Abstract: 公开一种制造InFO‑L等半导体封装件的方法，其包括：准备中间结构体的步骤，所述中间结构体具有：基材，具有第一主面及其背面侧的第二主面；及再配线层，设置于第一主面上，且具有绝缘树脂层及配线，所述中间结构体中，基材具有包含从第一主面贯穿至第二主面的贯穿部的树脂部，再配线层形成有具有贯穿部露出的底面的沟槽；及形成多个配线结构体的步骤，所述多个配线结构体具有沿着沟槽切断贯穿部从而被分割的基材。
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公开(公告)号：CN119073008A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202280095323.6
申请日：2022-09-02
Applicant: 株式会社力森诺科
Abstract: 公开一种制造电子零件的方法，其包括：准备中间结构体的步骤，所述中间结构体具有：基材，具有第一主面及其背面侧的第二主面；及配线层，设置于第一主面上，且具有绝缘树脂层及配线，所述中间结构体中，基材具有包含从第一主面贯穿至第二主面的贯穿部的树脂部，配线层形成有具有贯穿部露出的底面的沟槽；及形成多个配线结构体的步骤，所述多个配线结构体具有沿着沟槽切断贯穿部从而被分割的基材。
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公开(公告)号：CN118511254A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202280087847.0
申请日：2022-12-20
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: H01L21/301 , H01L21/52
Abstract: 本发明公开了一种切割晶粒接合一体型膜。该切割晶粒接合一体型膜依次具备第1基材层、含有导电性粒子的晶粒接合膜、压敏胶黏剂层及第2基材层。第1基材层在晶粒接合膜侧的表面具有沿晶粒接合膜的外缘而设置的切入部。在25℃下测量的晶粒接合膜相对于第1基材层的30°剥离强度的最大值为0.50N/20mm以下。
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公开(公告)号：CN119096353A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202380036145.4
申请日：2023-08-31
Applicant: 株式会社力森诺科
Abstract: 公开一种制造半导体封装件的方法，其包括：准备中间结构体的步骤，所述中间结构体具有：基材，具有第一主面及其背面侧的第二主面；及再配线层，设置于第一主面上，且具有绝缘树脂层及配线，所述中间结构体中，基材具有包含从第一主面贯穿至第二主面的贯穿部的树脂部，配线层形成有具有贯穿部露出的底面的沟槽；及形成多个配线结构体的步骤，所述多个配线结构体具有沿着沟槽切断贯穿部从而被分割的基材。
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