公开(公告)号：CN116864419A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310994427.7

申请日：2018-11-28

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 吉田幸史 ,  髙桥弘明 ,  尾辻正幸 ,  奥谷学 ,  前田主悦 ,  阿部博史 ,  安田周一 ,  金松泰范

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供从基板的上表面良好去除颗粒且使上表面良好干燥的基板处理方法和装置。该基板处理方法包括：第一处理液供给工序，向基板的上表面供给第一处理液；保持层形成工序，使所述第一处理液固化或硬化，在所述基板的上表面形成颗粒保持层；保持层去除工序，将所述颗粒保持层从基板的上表面剥离并去除；液膜形成工序，将所述颗粒保持层从所述基板上去除之后，形成第二处理液的液膜；固化工序，将所述液膜冷却至所述升华性物质的融点以下的温度，使所述液膜在所述基板上固化来形成固体膜；升华工序，使所述固体膜升华来从基板上去除。

公开(公告)号：CN109904093B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201811469611.5

申请日：2018-11-28

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 吉田幸史 ,  髙桥弘明 ,  尾辻正幸 ,  奥谷学 ,  前田主悦 ,  阿部博史 ,  安田周一 ,  金松泰范

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供从基板的上表面良好去除颗粒且使上表面良好干燥的基板处理方法和装置。该基板处理方法包括：第一处理液供给工序，向基板的上表面供给第一处理液；保持层形成工序，使所述第一处理液固化或硬化，在所述基板的上表面形成颗粒保持层；保持层去除工序，将所述颗粒保持层从基板的上表面剥离并去除；液膜形成工序，将所述颗粒保持层从所述基板上去除之后，形成第二处理液的液膜；固化工序，将所述液膜冷却至所述升华性物质的融点以下的温度，使所述液膜在所述基板上固化来形成固体膜；升华工序，使所述固体膜升华来从基板上去除。

公开(公告)号：CN109545655B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201811110408.9

申请日：2018-09-21

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 奥谷学 ,  髙桥弘明 ,  尾辻正幸 ,  阿部博史 ,  前田主悦 ,  中井仁司 ,  佐佐木悠太

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，包括：处理液膜形成工序，向基板的图案形成面供给含有升华性物质的处理液，在所述图案形成面形成处理液膜；温度保持工序，将形成于所述图案形成面的所述处理液膜的温度保持在所述升华性物质的熔点以上且小于所述升华性物质的沸点的温度范围内；薄膜化工序，在所述处理液膜的温度处于所述温度范围内的期间使所述处理液膜变薄；凝固工序，在所述温度保持工序之后，使通过所述薄膜化工序变薄的所述处理液膜在所述图案形成面上凝固而形成所述升华性物质的凝固体；以及升华工序，使所述凝固体升华而从所述图案形成面去除所述凝固体。

公开(公告)号：CN116825612A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310969277.4

申请日：2018-09-21

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 奥谷学 ,  髙桥弘明 ,  尾辻正幸 ,  阿部博史 ,  前田主悦 ,  中井仁司 ,  佐佐木悠太

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，包括：混合液膜形成工序，向基板的表面供给混合处理液，在所述基板的表面形成所述混合处理液的液膜，所述混合处理液是将第一升华性物质和与所述第一升华性物质不同的第一添加剂混合而成的混合处理液，且该混合处理液的凝固点低于所述第一升华性物质的凝固点；凝固工序，使所述混合处理液的所述液膜凝固来形成凝固体；以及升华工序，使所述凝固体中所含的所述第一升华性物质升华以从所述基板的表面去除所述第一升华性物质。

公开(公告)号：CN109904093A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201811469611.5

申请日：2018-11-28

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 吉田幸史 ,  髙桥弘明 ,  尾辻正幸 ,  奥谷学 ,  前田主悦 ,  阿部博史 ,  安田周一 ,  金松泰范

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供从基板的上表面良好去除颗粒且使上表面良好干燥的基板处理方法和装置。该基板处理方法包括：第一处理液供给工序，向基板的上表面供给第一处理液；保持层形成工序，使所述第一处理液固化或硬化，在所述基板的上表面形成颗粒保持层；保持层去除工序，将所述颗粒保持层从基板的上表面剥离并去除；液膜形成工序，将所述颗粒保持层从所述基板上去除之后，形成第二处理液的液膜；固化工序，将所述液膜冷却至所述升华性物质的融点以下的温度，使所述液膜在所述基板上固化来形成固体膜；升华工序，使所述固体膜升华来从基板上去除。

公开(公告)号：CN109545655A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811110408.9

申请日：2018-09-21

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 奥谷学 ,  髙桥弘明 ,  尾辻正幸 ,  阿部博史 ,  前田主悦 ,  中井仁司 ,  佐佐木悠太

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，包括：处理液膜形成工序，向基板的图案形成面供给含有升华性物质的处理液，在所述图案形成面形成处理液膜；温度保持工序，将形成于所述图案形成面的所述处理液膜的温度保持在所述升华性物质的熔点以上且小于所述升华性物质的沸点的温度范围内；薄膜化工序，在所述处理液膜的温度处于所述温度范围内的期间使所述处理液膜变薄；凝固工序，在所述温度保持工序之后，使通过所述薄膜化工序变薄的所述处理液膜在所述图案形成面上凝固而形成所述升华性物质的凝固体；以及升华工序，使所述凝固体升华而从所述图案形成面去除所述凝固体。