公开(公告)号：CN109207932A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201710524216.1

申请日：2017-06-30

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 长江亦周 ,  高坂佳弘 ,  青山贵昭 ,  远藤光人

IPC: C23C14/26

Abstract: 本发明公开一种成膜装置，包括：容器，其内部能容置基板；能将所述容器内部排气至真空状态的排气机构；储藏溶液的储藏机构；能将所述溶液排出至所述基板上的喷嘴；加热机构，其能对所述喷嘴和/或所述容器内部加热。本发明提供的成膜装置能够减少或消除基板在成膜过程中形成的液迹。

公开(公告)号：CN102066602A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200980122366.3

申请日：2009-06-16

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 菅原聡 ,  枝并泰宏 ,  高桥一树 ,  熊川进 ,  姜友松 ,  塩野一郎 ,  高坂佳弘

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C14/505 ,  C23C14/345 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/34

Abstract: 本发明提供一种能减少附着在成膜面上的异物的发生率、具有自转公转机构的偏压溅射装置。在具备具有自转公转机构的基板支架(12)的偏压溅射装置(1)中，基板支架(12)由公转部件(21)和自转部件(23)构成，在安装于自转部件(23)上的各个基板(14)的背面侧，与基板(14)隔开0.5～10mm的位置处，设置有与基板(14)同等尺寸的圆板状基板电极(30)。

公开(公告)号：CN102066602B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200980122366.3

申请日：2009-06-16

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 菅原聡 ,  枝并泰宏 ,  高桥一树 ,  熊川进 ,  姜友松 ,  塩野一郎 ,  高坂佳弘

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C14/505 ,  C23C14/345 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/34

Abstract: 本发明提供一种能减少附着在成膜面上的异物的发生率、具有自转公转机构的偏压溅射装置。在具备具有自转公转机构的基板支架(12)的偏压溅射装置(1)中，基板支架(12)由公转部件(21)和自转部件(23)构成，在安装于自转部件(23)上的各个基板(14)的背面侧，与基板(14)隔开0.5～10mm的位置处，设置有与基板(14)同等尺寸的圆板状基板电极(30)。

公开(公告)号：CN113337809A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202010092653.2

申请日：2020-02-14

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 长江亦周 ,  宫内充祐 ,  高坂佳弘 ,  青山贵昭 ,  远藤光人

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  G02B1/10 ,  G02B1/11

Abstract: 本申请公开一种低折射率薄膜形成装置，包括：用于容纳基板的真空成膜室；用于向所述真空成膜室导入气体的导入机构；用于在所述真空成膜室中形成等离子体的等离子源；所述等离子源能在所述基板上利用所述气体进行等离子体化学气相沉积成膜。本申请所公开的薄膜形成装置能够制造大面积的实用化的且成本的低折射率的薄膜。

公开(公告)号：CN207016846U

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201720789110.X

申请日：2017-06-30

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 长江亦周 ,  高坂佳弘 ,  青山贵昭 ,  远藤光人

IPC: C23C14/26

Abstract: 本实用新型公开一种成膜装置，包括：容器，其内部能容置基板；能将所述容器内部排气至真空状态的排气机构；储藏溶液的储藏机构；能将所述溶液排出至所述基板上的喷嘴；加热机构，其能对所述喷嘴和/或所述容器内部加热。本实用新型提供的成膜装置能够减少或消除基板在成膜过程中形成的液迹。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利