公开(公告)号：CN116741781A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310111983.5

申请日：2023-02-14

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 津吹将志 ,  境武志 ,  三浦健太郎 ,  渡壁创 ,  田丸尊也 ,  田畠弘志 ,  梅田豊

IPC: H01L27/12 ,  H10K59/12

Abstract: 本发明提供一种显示装置，其目的在于减少显示装置中的显示不均。显示装置包括：发光元件；在发光元件与驱动电源线之间串联连接的第1晶体管以及第2晶体管；与第1晶体管的栅极电极电连接的第3晶体管；以及在第1晶体管的漏极与发光元件之间并联连接的第4晶体管，第1晶体管的沟道宽度W1与沟道长度L1之比(W1/L1比)以及第2晶体管的沟道宽度W2与沟道长度L2之比(W2/L2比)比第3晶体管的沟道宽度W3与沟道长度L3之比(W3/L3比)以及第4晶体管的沟道宽度W4与沟道长度L4之比(W4/L4比)大。

公开(公告)号：CN112514080A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980051695.7

申请日：2019-06-10

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 境武志 ,  户田达也 ,  津吹将志

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明能够抑制将氧化物半导体作为活性层的晶体管中的随时间推移的低漏极电压时的电流降低。本发明的薄膜晶体管包括：由至少包含铟和镓的氧化物半导体形成的活性层；和形成在上述活性层上的具有钛层的电极层，从上述活性层与上述电极层的界面向上述活性层去的15nm的范围内的离子浓度中，铟浓度为氧浓度的1.3倍以下。

公开(公告)号：CN105319791A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510290365.7

申请日：2015-05-29

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 中村英达 ,  伊东理 ,  境武志

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/134372 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136227

Abstract: 一种液晶显示装置，其由1条梳状电极形成像素电极且为IPS方式，能够防止产生电畴，且维持像素电极的导通的可靠性并防止混色。像素电极(112)由1条梳齿状部和宽度从梳齿状部的端部向作为扫描线延伸方向的第1方向扩大的接触部(1121)构成。通过使接触部(1121)的宽度不在与第1方向相反的方向上扩大而防止产生电畴。通过使影像信号线(20)向像素电极(112)的接触部(1121)的宽度扩大的方向折曲，而能够将像素电极(112)的梳齿状部配置在影像信号线(20)和影像信号线(20)之间的中央部上，且能够使接触部(1121)的宽度在影像信号线(20)的折曲方向上形成为足够的幅宽，因此能够取得像素电极(112)的接触富余量。

公开(公告)号：CN112514080B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN201980051695.7

申请日：2019-06-10

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 境武志 ,  户田达也 ,  津吹将志

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H10K59/121

Abstract: 本发明能够抑制将氧化物半导体作为活性层的晶体管中的随时间推移的低漏极电压时的电流降低。本发明的薄膜晶体管包括：由至少包含铟和镓的氧化物半导体形成的活性层；和形成在上述活性层上的具有钛层的电极层，从上述活性层与上述电极层的界面向上述活性层去的15nm的范围内的离子浓度中，铟浓度为氧浓度的1.3倍以下。

公开(公告)号：CN113544859A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202080019549.9

申请日：2020-03-13

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 津吹将志 ,  境武志 ,  户田达也

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L21/441 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/32 ,  H01L29/417 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

Abstract: 显示装置包含晶体管和所述晶体管上的显示元件，所述晶体管包含：绝缘表面上的栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上且与所述栅电极重叠的氧化物半导体层；源电极‑漏电极，其包含在所述氧化物半导体层和所述栅极绝缘层上的含有氮的第1导电层和所述第1导电层上的第2导电层；以及所述氧化物半导体层和所述源电极‑漏电极上的含有氧的绝缘层。

公开(公告)号：CN119767751A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411341883.2

申请日：2024-09-25

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 渡壁创 ,  津吹将志 ,  三浦健太郎 ,  境武志 ,  花田明纮 ,  渡部将弘

IPC: H10D30/67 ,  H10D62/10 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供具有高的可靠性的半导体装置。半导体装置包含：栅电极；具有多晶结构的氧化物半导体层；栅电极与氧化物半导体层之间的栅极绝缘层；和氧化物半导体层上的源电极及漏电极，氧化物半导体层包含：源极区域，其包含杂质元素，与源电极电连接；漏极区域，其包含杂质元素，与漏电极电连接；源极区域与漏极区域之间的沟道区域；第1区域，其包含沿着从源极区域朝向漏极区域的第1方向延伸的第1缘部，且与沟道区域邻接，第1区域具有比源极区域及漏极区域的各自高的电阻率，在40℃时使用包含磷酸作为主成分的蚀刻液对氧化物半导体层进行蚀刻时的蚀刻速率小于3nm/min。

公开(公告)号：CN105319791B

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201510290365.7

申请日：2015-05-29

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 中村英达 ,  伊东理 ,  境武志

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343

Abstract: 一种液晶显示装置，其由1条梳状电极形成像素电极且为IPS方式，能够防止产生电畴，且维持像素电极的导通的可靠性并防止混色。像素电极(112)由1条梳齿状部和宽度从梳齿状部的端部向作为扫描线延伸方向的第1方向扩大的接触部(1121)构成。通过使接触部(1121)的宽度不在与第1方向相反的方向上扩大而防止产生电畴。通过使影像信号线(20)向像素电极(112)的接触部(1121)的宽度扩大的方向折曲，而能够将像素电极(112)的梳齿状部配置在影像信号线(20)和影像信号线(20)之间的中央部上，且能够使接触部(1121)的宽度在影像信号线(20)的折曲方向上形成为足够的幅宽，因此能够取得像素电极(112)的接触富余量。

公开(公告)号：CN209357702U

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201920262556.6

申请日：2019-03-01

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 境武志 ,  渡部将弘 ,  津吹将志

IPC: H01L21/67

Abstract: 本实用新型应对因母板内的退火温度的偏差而引起的TFT的阈值电压(Vth)的偏差。一种显示装置的制造方法以及其装置，其包括如下的工序：在基板形成氧化物半导体，将所述氧化物半导体退火，此后对氧化物半导体进行图案化，该显示装置的制造装置的特征在于，在所述退火的升温时，由多个第一销(5201)支承所述基板(400)，多个第一销(5201)配置为具有第一间隔，在所述退火的降温时，由多个第二销(520)支承所述基板(400)，多个第二销(520)配置为具有第二间隔，在俯视观察的情况下，所述第二销位于与所述多个第一销的中点相距所述多个第一销之间距离的10％以内。