公开(公告)号：CN107532324A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201580079145.8

申请日：2015-04-27

Applicant: 株式会社杰希优

Inventor： 江田哲朗 ,  户田久之 ,  岸本一喜 ,  高谷康子 ,  君塚亮一

IPC: C25D21/12 ,  C25D3/38

CPC classification number: C25D3/38 ,  C25D21/12

Abstract: 本发明提供一种技术，其中，作为事后对应而客观性地判断硫酸铜镀液的老化来进行硫酸铜镀液的管理，用以替代根据不良品的多寡或经验性判断来进行镀液的更新或净化的迄今为止的硫酸铜镀液的管理。一种硫酸铜镀液的管理方法，其特征在于，针对用以对被镀敷材料进行硫酸铜镀敷的硫酸铜镀液，测定硫酸铜镀液中的杂质浓度，且由其杂质浓度判断硫酸铜镀液的老化。

公开(公告)号：CN102906078A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201080066482.0

申请日：2010-04-30

Applicant: 株式会社杰希优

Inventor： 安田弘树 ,  君塚亮一 ,  高须辰治 ,  佐藤琢朗 ,  石塚博士 ,  小合康裕 ,  尾山祐斗 ,  外冈优 ,  小坂美纪子 ,  下村彩 ,  清水由美子

IPC: C07D295/08 ,  C25D3/38 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12

CPC classification number: C07D295/08 ,  C07D295/088 ,  C25D3/38 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76898 ,  H05K3/421 ,  H05K3/423 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09563

Abstract: 本发明的目的在于，提供可向半导体用硅基板、有机材料基板、陶瓷基板等基板填充高深宽比的通孔、穿孔等的镀铜技术。所述技术为叔胺化合物、其季铵化合物以及含有这些化合物的镀铜用添加剂、铜镀浴、镀铜方法，所述叔胺化合物是通过使杂环化合物与具有三个以上缩水甘油醚基的化合物中的缩水甘油醚基的环氧基反应而得的叔胺化合物。

公开(公告)号：CN102906078B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201080066482.0

申请日：2010-04-30

Applicant: 株式会社杰希优

Inventor： 安田弘树 ,  君塚亮一 ,  高须辰治 ,  佐藤琢朗 ,  石塚博士 ,  小合康裕 ,  尾山祐斗 ,  外冈优 ,  小坂美纪子 ,  下村彩 ,  清水由美子

IPC: C07D295/08 ,  C25D3/38 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12

CPC classification number: C07D295/08 ,  C07D295/088 ,  C25D3/38 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76898 ,  H05K3/421 ,  H05K3/423 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09563

Abstract: 本发明的目的在于，提供可向半导体用硅基板、有机材料基板、陶瓷基板等基板填充高深宽比的通孔、穿孔等的镀铜技术。所述技术为叔胺化合物、其季铵化合物以及含有这些化合物的镀铜用添加剂、铜镀浴、镀铜方法，所述叔胺化合物是通过使杂环化合物与具有3个以上缩水甘油醚基的化合物中的缩水甘油醚基的环氧基反应而得的叔胺化合物。