公开(公告)号：CN110709535A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880035472.7

申请日：2018-03-15

Applicant: 株式会社杰希优

Inventor： 仓持保之 ,  石塚博士 ,  泉谷美代子

IPC: C23C18/30

Abstract: 本发明提供一种树脂表面的蚀刻方法，其是不使用铬酸的树脂的蚀刻技术，是能够以工业水平运用的新技术，其特征在于，在蚀刻树脂表面时，不进行树脂的溶胀工序，将以下工序(a)和(b)作为1组，将其进行2组以上。(a)用含有氧化剂的溶液进行处理，使氧化剂吸附于树脂表面的工序；(b)使工序(a)中吸附于树脂表面的氧化剂活化的工序。

公开(公告)号：CN102906078A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201080066482.0

申请日：2010-04-30

Applicant: 株式会社杰希优

Inventor： 安田弘树 ,  君塚亮一 ,  高须辰治 ,  佐藤琢朗 ,  石塚博士 ,  小合康裕 ,  尾山祐斗 ,  外冈优 ,  小坂美纪子 ,  下村彩 ,  清水由美子

IPC: C07D295/08 ,  C25D3/38 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12

CPC classification number: C07D295/08 ,  C07D295/088 ,  C25D3/38 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76898 ,  H05K3/421 ,  H05K3/423 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09563

Abstract: 本发明的目的在于，提供可向半导体用硅基板、有机材料基板、陶瓷基板等基板填充高深宽比的通孔、穿孔等的镀铜技术。所述技术为叔胺化合物、其季铵化合物以及含有这些化合物的镀铜用添加剂、铜镀浴、镀铜方法，所述叔胺化合物是通过使杂环化合物与具有三个以上缩水甘油醚基的化合物中的缩水甘油醚基的环氧基反应而得的叔胺化合物。

公开(公告)号：CN102906078B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201080066482.0

申请日：2010-04-30

Applicant: 株式会社杰希优

Inventor： 安田弘树 ,  君塚亮一 ,  高须辰治 ,  佐藤琢朗 ,  石塚博士 ,  小合康裕 ,  尾山祐斗 ,  外冈优 ,  小坂美纪子 ,  下村彩 ,  清水由美子

IPC: C07D295/08 ,  C25D3/38 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12

CPC classification number: C07D295/08 ,  C07D295/088 ,  C25D3/38 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76898 ,  H05K3/421 ,  H05K3/423 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09563

Abstract: 本发明的目的在于，提供可向半导体用硅基板、有机材料基板、陶瓷基板等基板填充高深宽比的通孔、穿孔等的镀铜技术。所述技术为叔胺化合物、其季铵化合物以及含有这些化合物的镀铜用添加剂、铜镀浴、镀铜方法，所述叔胺化合物是通过使杂环化合物与具有3个以上缩水甘油醚基的化合物中的缩水甘油醚基的环氧基反应而得的叔胺化合物。