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公开(公告)号：CN110256955B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910495663.8
申请日：2013-06-28
Applicant: 株式会社杰希优
IPC: C09D183/04 , C08G77/04
Abstract: 本发明的目的在于，提供具有以往的水与四烷氧基硅烷的缩合物所不具有的新型功能的硅低聚物，提供下述通式(I)所表示的硅低聚物及其制造方法，(其中，R1～R10分别独立地为碳原子数1～4的烷基或羟烷基，X1～X3分别独立地为下述通式(II)所表示的基团，n为0或1，n为0时m为1～3的整数，n为1时m为1)(其中，A为碳原子数2～4的分支或未分支的亚烷基，1为1～3的整数)。
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公开(公告)号：CN111108235A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201880022413.6
申请日：2018-08-28
Applicant: 株式会社杰希优 , 互应化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种通孔的填充性优异的电镀铜浴。电镀铜浴含有分子内含有氨基的化合物与分子内含有环氧基的化合物在酸的存在下的反应生成物。上述分子内含有氨基的化合物包括由特定的通式表示的胺化合物。上述分子内含有环氧基的化合物包括由特定的通式表示的环氧化合物。
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公开(公告)号：CN110256955A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910495663.8
申请日：2013-06-28
Applicant: 株式会社杰希优
IPC: C09D183/04 , C08G77/04
Abstract: 本发明的目的在于，提供具有以往的水与四烷氧基硅烷的缩合物所不具有的新型功能的硅低聚物，提供下述通式(I)所表示的硅低聚物及其制造方法，(其中，R1～R10分别独立地为碳原子数1～4的烷基或羟烷基，X1～X3分别独立地为下述通式(II)所表示的基团，n为0或1，n为0时m为1～3的整数，n为1时m为1)(其中，A为碳原子数2～4的分支或未分支的亚烷基，1为1～3的整数)。
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公开(公告)号：CN111108234A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201880017720.5
申请日：2018-08-28
Applicant: 株式会社杰希优
IPC: C25D3/38 , C07C217/28 , C08G59/50 , C08L63/00
Abstract: 一种硫酸铜镀液和使用该硫酸铜镀液的硫酸铜镀敷方法，所述硫酸铜镀液的特征在于，其为含有至少包含氮原子、氢原子、碳原子的化合物的硫酸铜镀液，上述化合物是去除全体或重复单元的氢原子后的分子式中，下述式(1)所示的总原子数中的氮原子数的比例(X)和相对分子量(Mw)满足下述式(2)或(3)的化合物。[数学式1]X＝(分子式中的氮原子数/分子式中的总原子数)×100…(1)；[数学式2]3≤X＜5且2000＜Mw…(2)；5≤X≤7且5000＜Mw…(3)。
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公开(公告)号：CN111108235B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201880022413.6
申请日：2018-08-28
Applicant: 株式会社杰希优 , 互应化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种通孔的填充性优异的电镀铜浴。电镀铜浴含有分子内含有氨基的化合物与分子内含有环氧基的化合物在酸的存在下的反应生成物。上述分子内含有氨基的化合物包括由特定的通式表示的胺化合物。上述分子内含有环氧基的化合物包括由特定的通式表示的环氧化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102906078A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201080066482.0
申请日：2010-04-30
Applicant: 株式会社杰希优
IPC: C07D295/08 , C25D3/38 , C25D7/00 , C25D7/12
CPC classification number: C07D295/08 , C07D295/088 , C25D3/38 , H01L21/2885 , H01L21/76898 , H05K3/421 , H05K3/423 , H05K3/4644 , H05K2201/09509 , H05K2201/09563
Abstract: 本发明的目的在于，提供可向半导体用硅基板、有机材料基板、陶瓷基板等基板填充高深宽比的通孔、穿孔等的镀铜技术。所述技术为叔胺化合物、其季铵化合物以及含有这些化合物的镀铜用添加剂、铜镀浴、镀铜方法，所述叔胺化合物是通过使杂环化合物与具有三个以上缩水甘油醚基的化合物中的缩水甘油醚基的环氧基反应而得的叔胺化合物。
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公开(公告)号：CN111108234B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201880017720.5
申请日：2018-08-28
Applicant: 株式会社杰希优
IPC: C25D3/38 , C07C217/28 , C08G59/50 , C08L63/00
Abstract: 一种硫酸铜镀液和使用该硫酸铜镀液的硫酸铜镀敷方法，所述硫酸铜镀液的特征在于，其为含有至少包含氮原子、氢原子、碳原子的化合物的硫酸铜镀液，上述化合物是去除全体或重复单元的氢原子后的分子式中，下述式(1)所示的总原子数中的氮原子数的比例(X)和相对分子量(Mw)满足下述式(2)或(3)的化合物。[数学式1]X＝(分子式中的氮原子数/分子式中的总原子数)×100…(1)[数学式2]3≤X＜5且2000＜Mw…(2)5≤X≤7且5000＜Mw…(3)。
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公开(公告)号：CN106574390A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201480078098.0
申请日：2014-04-25
Applicant: 株式会社杰希优
Abstract: 本发明提供一种改变以往的铜镀敷温度、浓度、电流密度等或其他条件，加快对基板上形成的孔或沟进行填充的速度的技术。本发明提供一种以铜镀敷高速填充基板上形成的孔或沟的方法，其特征在于，将形成有孔或沟的基板浸渍于含铜离子、硫酸离子及卤化物离子且为30～70℃的酸性铜镀敷液中，以电流密度3A/dm2以上，使用不溶性电极作为阳极进行镀敷。
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公开(公告)号：CN105339372A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201380077750.2
申请日：2013-06-28
Applicant: 株式会社杰希优
IPC: C07F7/04 , C08G77/02 , C09D183/00
Abstract: 本发明的目的在于，提供具有以往的水与四烷氧基硅烷的缩合物所不具有的新型功能的硅低聚物，提供下述通式(I)所表示的硅低聚物及其制造方法，(其中，R1～R10分别独立地为碳原子数1～4的烷基或羟烷基，X1～X3分别独立地为下述通式(II)所表示的基团，n为0或1，n为0时m为1～3的整数，n为1时m为1)(其中，A为碳原子数2～4的分支或未分支的亚烷基，l为1～3的整数)。
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公开(公告)号：CN102906078B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201080066482.0
申请日：2010-04-30
Applicant: 株式会社杰希优
IPC: C07D295/08 , C25D3/38 , C25D7/00 , C25D7/12
CPC classification number: C07D295/08 , C07D295/088 , C25D3/38 , H01L21/2885 , H01L21/76898 , H05K3/421 , H05K3/423 , H05K3/4644 , H05K2201/09509 , H05K2201/09563
Abstract: 本发明的目的在于，提供可向半导体用硅基板、有机材料基板、陶瓷基板等基板填充高深宽比的通孔、穿孔等的镀铜技术。所述技术为叔胺化合物、其季铵化合物以及含有这些化合物的镀铜用添加剂、铜镀浴、镀铜方法，所述叔胺化合物是通过使杂环化合物与具有3个以上缩水甘油醚基的化合物中的缩水甘油醚基的环氧基反应而得的叔胺化合物。
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