公开(公告)号：CN102906078B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201080066482.0

申请日：2010-04-30

Applicant: 株式会社杰希优

Inventor： 安田弘树 ,  君塚亮一 ,  高须辰治 ,  佐藤琢朗 ,  石塚博士 ,  小合康裕 ,  尾山祐斗 ,  外冈优 ,  小坂美纪子 ,  下村彩 ,  清水由美子

IPC: C07D295/08 ,  C25D3/38 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12

CPC classification number: C07D295/08 ,  C07D295/088 ,  C25D3/38 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76898 ,  H05K3/421 ,  H05K3/423 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09563

Abstract: 本发明的目的在于，提供可向半导体用硅基板、有机材料基板、陶瓷基板等基板填充高深宽比的通孔、穿孔等的镀铜技术。所述技术为叔胺化合物、其季铵化合物以及含有这些化合物的镀铜用添加剂、铜镀浴、镀铜方法，所述叔胺化合物是通过使杂环化合物与具有3个以上缩水甘油醚基的化合物中的缩水甘油醚基的环氧基反应而得的叔胺化合物。

公开(公告)号：CN102906078A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201080066482.0

申请日：2010-04-30

Applicant: 株式会社杰希优

Inventor： 安田弘树 ,  君塚亮一 ,  高须辰治 ,  佐藤琢朗 ,  石塚博士 ,  小合康裕 ,  尾山祐斗 ,  外冈优 ,  小坂美纪子 ,  下村彩 ,  清水由美子

IPC: C07D295/08 ,  C25D3/38 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12

CPC classification number: C07D295/08 ,  C07D295/088 ,  C25D3/38 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76898 ,  H05K3/421 ,  H05K3/423 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09563

Abstract: 本发明的目的在于，提供可向半导体用硅基板、有机材料基板、陶瓷基板等基板填充高深宽比的通孔、穿孔等的镀铜技术。所述技术为叔胺化合物、其季铵化合物以及含有这些化合物的镀铜用添加剂、铜镀浴、镀铜方法，所述叔胺化合物是通过使杂环化合物与具有三个以上缩水甘油醚基的化合物中的缩水甘油醚基的环氧基反应而得的叔胺化合物。