公开(公告)号：CN101652840B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200880011080.3

申请日：2008-05-14

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小风丰 ,  植田昌久 ,  远藤光广 ,  邹红罡 ,  宫崎俊也 ,  酒田现示 ,  中村敏幸

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32467 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32568

Abstract: 一种等离子体处理装置，该装置在被处理基板上进行贵金属材料和强电介质材料的等离子体处理，并且具有被加热且暴露于等离子体的构成部件，所述构成部件由铝纯度99％以上的铝合金形成。

公开(公告)号：CN101681829B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200880012237.4

申请日：2008-06-19

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小风丰 ,  远藤光广 ,  植田昌久 ,  邹红罡 ,  宫崎俊也 ,  中村敏幸

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/68735 ,  C23F4/00 ,  G11C11/22 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3266 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1159

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，使用如下装置，该装置具备通过等离子体激发蚀刻气体的腔、配置在上述腔内的用于载置并加热被处理基板的台、和配置在上述台的周围的由耐蚀刻材料形成的框部件，上述框部件的上表面与上述台的上表面相比配置在下方，在上述台的上表面配置上述被处理基板以使上述被处理基板的周缘部在上述框部件的上方露出，在从上述框部件的上表面到上述被处理基板底面的高度为G，从上述台的侧面到上述被处理基板外周的露出长度为H时，配置上述被处理基板以使H/G为1.5以上。

公开(公告)号：CN101652840A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200880011080.3

申请日：2008-05-14

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小风丰 ,  植田昌久 ,  远藤光广 ,  邹红罡 ,  宫崎俊也 ,  酒田现示 ,  中村敏幸

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32467 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32568

Abstract: 一种等离子体处理装置，该装置在被处理基板上进行贵金属材料和强电介质材料的等离子体处理，并且具有被加热且暴露于等离子体的构成部件，所述构成部件由铝纯度99％以上的铝合金形成。