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公开(公告)号：CN107710399A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201780002185.1
申请日：2017-04-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H02N13/00
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/683 , H02N13/00
Abstract: 本发明的静电吸盘(13)具备：电介质层(41)，其具备板状的托盘支承部(41a)和基板支承部(41b)，托盘支承部(41a)具有表面(41S)，基板支承部(41b)从表面(41S)突出；基板用电极(42)，其位于基板支承部(41b)的内部，用于将基板吸附于基板支承部(41b)；以及托盘用电极(43)，其位于托盘支承部(41a)的内部，用于将供载置基板的托盘吸附于托盘支承部(41a)。
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公开(公告)号：CN108140685A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680055952.0
申请日：2016-10-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/0747
Abstract: 本发明的HBC型晶体太阳能电池具备：基板，具有光入射的第一面和位于所述第一面的相反侧的第二面，由显现光电转换功能的第一导电型的晶体硅构成；和i型非晶Si层，被配设为覆盖所述基板的所述第二面。与所述第一导电型相同的导电型的第一部位及与所述第一导电型不同的导电型的第二部位以存在于所述非晶Si层的内部且一部分露出于所述非晶Si层的外表面侧的方式被配置为彼此分离。
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公开(公告)号：CN102934206B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180028449.3
申请日：2011-06-08
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor： 酒田现示
IPC: H01L21/223 , H01L21/266 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/266 , H01L21/2236 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种批量生产性良好且成本低的太阳能电池的制造装置及太阳能电池的制造方法。具有装料闸室（2），其通过切换大气气氛和真空气氛取放基板（S）；处理室（4），其在真空气氛中对太阳能电池用的基板（S）导入pn结形成用的杂质离子；以及搬运室（1），其内置有在装料闸室（2）和处理室（4）之间搬运基板的搬运装置（6）。杂质离子的导入通过照射离子枪（5）发出的杂质离子来进行，离子枪（5）设置为作为其离子照射面的栅板（52）与搬运至处理室（4）的基板（S）相对设置。
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公开(公告)号：CN112640082B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201980056824.1
申请日：2019-08-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , C23C14/50 , C23C16/458 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种抑制气体体积的急剧增加、稳定地支承基板的静电吸盘、真空处理装置及基板处理方法。静电吸盘具有吸盘板，所述吸盘板具有支承基板的第一面和与第一面相反一侧的第二面。在吸盘板中设置有排气通路，在第一面支承基板时，在基板与第一面之间，所述排气通路将从基板排放的气体从基板与第一面之间排出。
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公开(公告)号：CN102934206A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180028449.3
申请日：2011-06-08
Applicant: 株式会社爱发科
Inventor： 酒田现示
IPC: H01L21/265 , H01L31/04
CPC classification number: H01L21/266 , H01L21/2236 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种批量生产性良好且成本低的太阳能电池的制造装置及太阳能电池的制造方法。具有装料闸室（2），其通过切换大气气氛和真空气氛取放基板（S）；处理室（4），其在真空气氛中对太阳能电池用的基板（S）导入pn结形成用的杂质离子；以及搬运室（1），其内置有在装料闸室（2）和处理室（4）之间搬运基板的搬运装置（6）。杂质离子的导入通过照射离子枪（5）发出的杂质离子来进行，离子枪（5）设置为作为其离子照射面的栅板（52）与搬运至处理室（4）的基板（S）相对设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101652840A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200880011080.3
申请日：2008-05-14
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32467 , H01J37/32009 , H01J37/321 , H01J37/32568
Abstract: 一种等离子体处理装置，该装置在被处理基板上进行贵金属材料和强电介质材料的等离子体处理，并且具有被加热且暴露于等离子体的构成部件，所述构成部件由铝纯度99％以上的铝合金形成。
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公开(公告)号：CN110223935A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910137650.3
申请日：2019-02-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/67
Abstract: 课题是提供一种即使将气体的导入速度或排气速度加快、基板也不浮起的真空处理装置。解决手段如下。在运入运出室（2）的盖部件（11）设置具有弹性的推压部（20a、20b），当盖部件（11）与处理对象物（4）接近时，推压部（20a、20b）将配置在处理对象物（4）的托盘（27）上的基板（10a、10b）向托盘（27）推压。当在此状态下向运入运出室（2）的内部导入气体或将运入运出室（2）的内部的气体排出时，即使由气体的流动或压力差对基板（10a、10b）朝上附加力，也不会有基板（10a、10b）浮起的情况。
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公开(公告)号：CN108140684A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680055920.0
申请日：2016-10-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/0747
Abstract: 本发明的HBC型晶体太阳能电池的制造方法，使用具有非受光面、且由第一导电型的晶体硅构成的基板，以覆盖所述基板的所述非受光面的方式，形成i型非晶Si层，对于所述非晶Si层，通过使用了掩模的杂质导入法，将与所述第一导电型相同的导电型的第一部位及与所述第一导电型不同的导电型的第二部位形成在彼此分离的位置，对导入杂质后的所述非晶Si层实施退火处理。形成所述第一部位及所述第二部位的工序包括：第一步，形成所述第一部位的指状部；第二步，形成所述第一部位的汇流条部；第三步，形成所述第二部位的指状部；及第四步，形成所述第二部位的汇流条部。
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公开(公告)号：CN103907208A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280054056.4
申请日：2012-10-11
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L22/20 , H01L31/022441 , H01L31/042 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L2924/0002 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 太阳能电池的制造方法具有：第一中心对准工序(S10)，设定基板中心位置作为相对于杂质注入工序(S20)的处理的基准位置；以及第二中心对准工序(S30)，设定基板中心位置作为相对于电极形成工序(S40)的处理的基准位置。
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公开(公告)号：CN101652840B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200880011080.3
申请日：2008-05-14
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32467 , H01J37/32009 , H01J37/321 , H01J37/32568
Abstract: 一种等离子体处理装置，该装置在被处理基板上进行贵金属材料和强电介质材料的等离子体处理，并且具有被加热且暴露于等离子体的构成部件，所述构成部件由铝纯度99％以上的铝合金形成。
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