公开(公告)号：CN101188212A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710169728.7

申请日：2007-11-15

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 西田征男 ,  林岳 ,  山下朋弘 ,  堀田胜之 ,  永久克己

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823835 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857

Abstract: 提供一种具有FUSI栅极中的硅化物成分一定、且晶体管特性稳定的MOS晶体管的半导体装置，并提供一种在1片晶圆内具有硅化物成分不同的MOS晶体管的半导体装置。用抗蚀剂掩模(RM)覆盖半导体衬底(1)表面，然后用光刻法及干式蚀刻工艺形成使多晶硅栅极(12)的整个上面露出的开口部(OP)。然后，通过开口部(OP)将氮以离子形式注入多晶硅栅极(12)内。此时的注入能量设定成使注入离子不穿透多晶硅栅极(12)。

公开(公告)号：CN1574279A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410048976.2

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 杉原浩平 ,  太田和伸 ,  尾田秀一 ,  林岳

IPC: H01L21/76 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/76224 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在依次层叠硅层1、化合物半导体层2、半导体层3的半导体衬底100上设置元件分离结构10a。元件分离结构10a由沟4、半导体膜5、绝缘膜6、7构成。沟4贯通半导体层3并延伸到化合物半导体层2的内部。半导体膜5设于沟4的表面，绝缘膜6设在半导体膜5上。绝缘膜7设于绝缘膜6上，将沟4充填。由于因沟4而露出的化合物半导体层2和绝缘膜6之间隔着半导体膜5，即使在将半导体膜5热氧化而形成绝缘膜6时，化合物半导体层2也不被直接热氧化。从而，提供了可提高半导体装置的元件分离特性的技术。