公开(公告)号：CN101188212A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710169728.7

申请日：2007-11-15

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 西田征男 ,  林岳 ,  山下朋弘 ,  堀田胜之 ,  永久克己

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823835 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857

Abstract: 提供一种具有FUSI栅极中的硅化物成分一定、且晶体管特性稳定的MOS晶体管的半导体装置，并提供一种在1片晶圆内具有硅化物成分不同的MOS晶体管的半导体装置。用抗蚀剂掩模(RM)覆盖半导体衬底(1)表面，然后用光刻法及干式蚀刻工艺形成使多晶硅栅极(12)的整个上面露出的开口部(OP)。然后，通过开口部(OP)将氮以离子形式注入多晶硅栅极(12)内。此时的注入能量设定成使注入离子不穿透多晶硅栅极(12)。

公开(公告)号：CN1531038A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200310116376.0

申请日：2003-11-19

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 西田征男 ,  太田和伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种在栅电极的侧面形成所期望形状的凹口的技术。在半导体衬底(1)上，依次层叠栅绝缘膜(4)、多晶硅膜(5)、多晶硅膜(7)以及氮化硅膜(9)。多晶硅膜(5、7)均含磷，多晶硅膜(5)具有磷浓度高于多晶硅膜(7)的区域。然后，对多晶硅膜(5、7)和氮化硅膜(9)进行局部刻蚀，在栅绝缘膜(4)上形成栅电极(10n、10p、40n、40p)。此时，在多晶硅膜(5)中的磷浓度高于多晶硅膜(7)的磷浓度的区域，其刻蚀速度快于在多晶硅膜(7)的刻蚀速度，因此，在栅电极(10p、40n、40p)侧面的底部形成凹口。