向保持环传递局部载荷的辊的异常检测方法和研磨装置

    公开(公告)号:CN112440202B

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202010869771.X

    申请日:2020-08-26

    Abstract: 本发明提供一种辊的异常检测方法及研磨装置,对向保持环传递局部载荷的辊的异常进行检测。其中,使具备头主体(11)和保持环(20)的研磨头(10)旋转,该头主体具有按压基板(W)的按压面(45a),该保持环被配置为包围按压面(45a),使固定于保持环(20)且具有多个辊(52)的旋转环(51)与研磨头(10)一同旋转,且一边对配置在旋转环(51)上的静止环施加局部载荷,一边测定用于使研磨头(10)旋转的转矩,生成表示用于使研磨头(10)旋转的转矩的测定值与转矩的测定时间的关系的转矩波形,对转矩波形进行傅立叶变换处理而决定转矩波形的频率成分的强度,在决定的频率成分的强度比规定的阈值大时,判断为多个辊(52)中的至少一个存在异常。

    向保持环传递局部载荷的辊的异常检测方法和研磨装置

    公开(公告)号:CN112440202A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN202010869771.X

    申请日:2020-08-26

    Abstract: 本发明提供一种辊的异常检测方法及研磨装置,对向保持环传递局部载荷的辊的异常进行检测。其中,使具备头主体(11)和保持环(20)的研磨头(10)旋转,该头主体具有按压基板(W)的按压面(45a),该保持环被配置为包围按压面(45a),使固定于保持环(20)且具有多个辊(52)的旋转环(51)与研磨头(10)一同旋转,且一边对配置在旋转环(51)上的静止环施加局部载荷,一边测定用于使研磨头(10)旋转的转矩,生成表示用于使研磨头(10)旋转的转矩的测定值与转矩的测定时间的关系的转矩波形,对转矩波形进行傅立叶变换处理而决定转矩波形的频率成分的强度,在决定的频率成分的强度比规定的阈值大时,判断为多个辊(52)中的至少一个存在异常。

    基板保持装置、弹性膜、研磨装置以及弹性膜的更换方法

    公开(公告)号:CN108015668B

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN201711013639.3

    申请日:2017-10-25

    Abstract: 本发明提供基板保持装置、弹性膜、研磨装置以及弹性膜的更换方法,该基板保持装置能够精密地调整研磨轮廓。本发明的基板保持装置(1)具有:形成用于按压基板(W)的多个压力室(16a~16f)的弹性膜(10);连结弹性膜(10)的头主体(2)。弹性膜(10)具有:与基板(W)抵接而将该基板(W)向研磨垫(19)按压的抵接部(11);从抵接部(11)的周端部向上方延伸的边缘周壁(14f);配置在边缘周壁(14f)的径向内侧,从抵接部(11)向上方延伸的多个内部周壁(14a~14e)。多个内部周壁(14a~14e)中的至少两个相邻的内部周壁为向径向内侧倾斜的倾斜周壁。倾斜周壁从其下端到上端整体地一边向径向内侧倾斜,一边向上方延伸。

    研磨方法及研磨装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118809428A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202410453591.1

    申请日:2024-04-16

    Abstract: 提供一种可抑制流体残留于工件的上表面,可将适当的力施加于工件来研磨工件的研磨方法及研磨装置。本研磨方法是,对第一压力室(25A)加压而使存在于工件(W)上表面与压力室(25A)之间的流体(Q)向外侧移动,并在压力室(25A)内形成了目标压力(TP1)以上的压力的状态下,对压力室(25B)加压,在压力室(25B)内形成比目标压力(TP1)低的压力(IP2),由此使存在于工件(W)上表面与压力室(25B)之间的流体(Q)向外侧移动,在使流体(Q)从工件(W)排出之后,研磨工件(W)。

    研磨装置及研磨方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111376171B

    公开(公告)日:2023-06-20

    申请号:CN201911309643.3

    申请日:2019-12-18

    Abstract: 本发明提供一可精确控制基板的周缘部的研磨轮廓的研磨装置及研磨方法。研磨装置(1)具备:用于支承具有研磨面(2a)的研磨垫(2)的研磨台(3);具有按压面(45a)的可旋转的头主体(11);与头主体(2a)一起旋转同时用以压靠研磨面的挡圈(20);旋转环(51);固定环(91);及用于向固定环(91)施加局部载荷的多个局部载荷施加装置(30A、30B)。局部载荷施加装置(30A、30B)包含连接至固定环(91)的第一按压构件(31A)和第二按压构件(31B)。第一按压构件(31A)配置于研磨面的行进方向上的挡圈的上游侧,第二按压构件(31B)配置于研磨面的行进方向上的挡圈的下游侧。

    研磨装置及研磨方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111376171A

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN201911309643.3

    申请日:2019-12-18

    Abstract: 本发明提供一可精确控制基板的周缘部的研磨轮廓的研磨装置及研磨方法。研磨装置(1)具备:用于支承具有研磨面(2a)的研磨垫(2)的研磨台(3);具有按压面(45a)的可旋转的头主体(11);与头主体(2a)一起旋转同时用以压靠研磨面的挡圈(20);旋转环(51);固定环(91);及用于向固定环(91)施加局部载荷的多个局部载荷施加装置(30A、30B)。局部载荷施加装置(30A、30B)包含连接至固定环(91)的第一按压构件(31A)和第二按压构件(31B)。第一按压构件(31A)配置于研磨面的行进方向上的挡圈的上游侧,第二按压构件(31B)配置于研磨面的行进方向上的挡圈的下游侧。

    半导体晶片研磨用弹性膜
    10.
    外观设计

    公开(公告)号:CN304345271S

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201730234093.9

    申请日:2017-06-09

    Abstract: 1.本外观设计产品的名称:半导体晶片研磨用弹性膜。
    2.本外观设计产品的用途:用于在半导体等的制造中的晶片研磨工序中安装于研磨装置的基板保持环内侧来保持晶片。
    3.本外观设计产品的设计要点:在于产品的形状。
    4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片:立体图2。
    5.省略视图:由于仰视图与俯视图对称,左视图与右视图对称,因此省略仰视图和左视图。

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