公开(公告)号：CN111604809A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010106480.5

申请日：2020-02-21

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 铃木佑多 ,  高桥太郎 ,  小川彰彦 ,  降矢滋行 ,  八木裕治 ,  高田畅行 ,  德永晋平

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B57/02 ,  B24B49/10 ,  H01L21/67 ,  H01L21/321

Abstract: 第一基板研磨装置及第二基板研磨装置具备膜厚传感器，该膜厚传感器用于测定基板的被研磨层的膜厚，第一基板研磨装置及第二基板研磨装通过将基板向研磨垫按压来进行所述被研磨层的研磨。第一基板研磨装置将被研磨层的下层露出时的膜厚传感器的输出值与没有基板时的膜厚传感器的输出值的差值作为第一偏移值输出。第二基板研磨装置具备：存储部，该存储部存储第一偏移值的信息；输出补正部，该输出补正部基于第一偏移值对来自膜厚传感器的输出值进行补正；以及终点检测部，在基于补正后的输出值计算出的被研磨层的膜厚的测定值达到目标值时，该终点检测部输出指示基板研磨的终点的控制信号。

公开(公告)号：CN118258427A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311794058.3

申请日：2023-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥太郎 ,  德永晋平

IPC: G01D5/14 ,  B24B49/10 ,  B24B49/02 ,  G01D5/16 ,  G01B7/06

Abstract: 本发明提供一种涡电流传感器、研磨装置及膜厚检测方法，即使在检测微细金属的情况下检测输出也大于以往技术。涡电流传感器(50)具有检测在半导体晶片(WH)产生的涡电流的第一检测部(180)和检测涡电流的第二检测部(182)。第一检测部(180)具有能够产生涡电流的第一励磁线圈(72)和能够检测涡电流的第一检测线圈(73)。第一励磁线圈(72)和第一检测线圈(73)是空芯线圈。第二检测部(182)具有能够产生涡电流的第二励磁线圈(860、862)和能够检测涡电流的第二检测线圈(864、866)。第二励磁线圈(860、862)和第二检测线圈(864、866)是具有磁性体的芯部(60)的线圈。

公开(公告)号：CN111604809B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202010106480.5

申请日：2020-02-21

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 铃木佑多 ,  高桥太郎 ,  小川彰彦 ,  降矢滋行 ,  八木裕治 ,  高田畅行 ,  德永晋平

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B57/02 ,  B24B49/10 ,  H01L21/67 ,  H01L21/321

Abstract: 第一基板研磨装置及第二基板研磨装置具备膜厚传感器，该膜厚传感器用于测定基板的被研磨层的膜厚，第一基板研磨装置及第二基板研磨装通过将基板向研磨垫按压来进行所述被研磨层的研磨。第一基板研磨装置将被研磨层的下层露出时的膜厚传感器的输出值与没有基板时的膜厚传感器的输出值的差值作为第一偏移值输出。第二基板研磨装置具备：存储部，该存储部存储第一偏移值的信息；输出补正部，该输出补正部基于第一偏移值对来自膜厚传感器的输出值进行补正；以及终点检测部，在基于补正后的输出值计算出的被研磨层的膜厚的测定值达到目标值时，该终点检测部输出指示基板研磨的终点的控制信号。

公开(公告)号：CN111152127A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201911081294.4

申请日：2019-11-07

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥太郎 ,  涩江宏明 ,  德永晋平

IPC: B24B37/013 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明提供一种涡流检测装置和使用了该涡流检测装置的研磨装置，该涡流检测装置使在被研磨物中形成的磁场更强。能够配置在形成有导电性膜的半导体晶片的附近的涡流检测装置(50)具有多个涡流传感器(56)。多个涡流传感器(56)相互配置在附近。多个涡流传感器(56)分别具有：罐形芯(60)；励磁线圈，该励磁线圈配置于罐形芯(60)，且能够在导电性膜中形成涡流；以及检测线圈，该检测线圈配置于罐形芯(60)，且能够检测在导电性膜中形成的涡流。