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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101356853A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200680050789.5
申请日：2006-12-19
Applicant: 模拟设备公司
Inventor： 贾森·W·魏戈尔德 , 约翰·R·马丁 , 蒂莫西·J·布劳斯尼汉
IPC: H04R19/00
CPC classification number: H04R19/005 , B81B2201/0257 , B81C1/00246 , B81C2203/0728 , H04R1/04 , H04R19/04 , H04R31/006
Abstract: 一种用于形成具有可变电容的麦克风的方法，其首先在管芯上沉积高温沉积材料。该高温材料最后形成贡献出所述可变电容的结构。所述方法在沉积所述沉积材料后在管芯上形成电路。所述电路被配置以检测可变电容。
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公开(公告)号：CN101356853B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200680050789.5
申请日：2006-12-19
Applicant: 模拟设备公司
Inventor： 贾森·W·魏戈尔德 , 约翰·R·马丁 , 蒂莫西·J·布劳斯尼汉
IPC: H04R19/00
CPC classification number: H04R19/005 , B81B2201/0257 , B81C1/00246 , B81C2203/0728 , H04R1/04 , H04R19/04 , H04R31/006
Abstract: 一种用于形成具有可变电容的麦克风的方法，其首先在管芯上沉积高温沉积材料。该高温材料最后形成贡献出所述可变电容的结构。所述方法在沉积所述沉积材料后在管芯上形成电路。所述电路被配置以检测可变电容。
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公开(公告)号：CN102572662A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210028878.7
申请日：2006-04-21
Applicant: 模拟设备公司
CPC classification number: H04R3/00 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81C1/00182 , H01L2224/48137 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/15151 , H04R19/005 , H04R2499/11
Abstract: 一种从硅或绝缘体上硅结构(SOI)晶片形成的微机械加工的麦克风。从晶片的顶硅层形成用于麦克风的固定的传感电极。通过淀积至少一个氧化物层、形成结构、然后通过贯穿顶硅层形成的沟槽从顶硅层的背面去除在该结构下面的氧化物的一部分，来在顶硅层的正面上形成多个多晶硅麦克风结构。这些沟槽允许声波从顶硅层的背面到达隔膜。在SOI晶片中，贯穿底硅层和中间氧化物层形成空腔，以暴露用于去除氧化物并允许声波到达隔膜的沟槽。可以在相同的晶片上形成惯性传感器，并且使用基本上与对应的麦克风结构相同的工序基本同时地形成多个惯性传感器结构。
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公开(公告)号：CN101208990B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200680022953.1
申请日：2006-04-21
Applicant: 模拟设备公司
IPC: H04R19/00
CPC classification number: H04R3/00 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81C1/00182 , H01L2224/48137 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/15151 , H04R19/005 , H04R2499/11
Abstract: 一种从硅或绝缘体上硅结构(SOI)晶片形成的微机械加工的麦克风。从晶片的顶硅层形成用于麦克风的固定的传感电极。通过淀积至少一个氧化物层、形成结构、然后通过贯穿顶硅层形成的沟槽从顶硅层的背面去除在该结构下面的氧化物的一部分，来在顶硅层的正面上形成多个多晶硅麦克风结构。这些沟槽允许声波从顶硅层的背面到达隔膜。在SOI晶片中，贯穿底硅层和中间氧化物层形成空腔，以暴露用于去除氧化物并允许声波到达隔膜的沟槽。可以在相同的晶片上形成惯性传感器，并且使用基本上与对应的麦克风结构相同的工序基本同时地形成多个惯性传感器结构。
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公开(公告)号：CN101208990A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200680022953.1
申请日：2006-04-21
Applicant: 模拟设备公司
IPC: H04R19/00
CPC classification number: H04R3/00 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81C1/00182 , H01L2224/48137 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/15151 , H04R19/005 , H04R2499/11
Abstract: 一种从硅或绝缘体上硅结构(SOI)晶片形成的微机械加工的麦克风。从晶片的顶硅层形成用于麦克风的固定的传感电极。通过淀积至少一个氧化物层、形成结构、然后通过贯穿顶硅层形成的沟槽从顶硅层的背面去除在该结构下面的氧化物的一部分，来在顶硅层的正面上形成多个多晶硅麦克风结构。这些沟槽允许声波从顶硅层的背面到达隔膜。在SOI晶片中，贯穿底硅层和中间氧化物层形成空腔，以暴露用于去除氧化物并允许声波到达隔膜的沟槽。可以在相同的晶片上形成惯性传感器，并且使用基本上与对应的麦克风结构相同的工序基本同时地形成多个惯性传感器结构。
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