公开(公告)号：CN101584226A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200880001956.6

申请日：2008-01-17

Applicant: 模拟设备公司

Inventor： 张欣 ,  迈克尔·W·朱蒂 ,  基兰·P·哈尼 ,  贾森·W·魏戈尔德

IPC: H04R19/00

CPC classification number: H04R19/005 ,  B81B3/0027 ,  B81B2201/0257 ,  H04R7/20 ,  H04R2307/207

Abstract: 一种麦克风，该麦克风包括：具有静止位置的可移动的膜片、固定部分、和可移动地联接膜片与固定部分的弹簧组。当膜片处于静止位置时，膜片与固定部分间隔第一距离。然而，当膜片不处在静止位置时，膜片与固定部分能够间隔第二距离，第二距离大于第一距离。不管距离如何变化，当膜片返回到静止位置时，膜片仍能够将间隔从第二距离恢复到第一距离。

公开(公告)号：CN102572662A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210028878.7

申请日：2006-04-21

Applicant: 模拟设备公司

Inventor： 约翰·R·马丁 ,  蒂莫西·J·布劳斯尼汉 ,  克雷格·考尔 ,  托马斯·努南 ,  贾森·魏戈尔德 ,  张欣

IPC: H04R19/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H04R3/00 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00182 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15151 ,  H04R19/005 ,  H04R2499/11

Abstract: 一种从硅或绝缘体上硅结构(SOI)晶片形成的微机械加工的麦克风。从晶片的顶硅层形成用于麦克风的固定的传感电极。通过淀积至少一个氧化物层、形成结构、然后通过贯穿顶硅层形成的沟槽从顶硅层的背面去除在该结构下面的氧化物的一部分，来在顶硅层的正面上形成多个多晶硅麦克风结构。这些沟槽允许声波从顶硅层的背面到达隔膜。在SOI晶片中，贯穿底硅层和中间氧化物层形成空腔，以暴露用于去除氧化物并允许声波到达隔膜的沟槽。可以在相同的晶片上形成惯性传感器，并且使用基本上与对应的麦克风结构相同的工序基本同时地形成多个惯性传感器结构。

公开(公告)号：CN101208990B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200680022953.1

申请日：2006-04-21

Applicant: 模拟设备公司

Inventor： 约翰·R·马丁 ,  蒂莫西·J·布劳斯尼汉 ,  克雷格·考尔 ,  托马斯·努南 ,  贾森·魏戈尔德 ,  张欣

IPC: H04R19/00

CPC classification number: H04R3/00 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00182 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15151 ,  H04R19/005 ,  H04R2499/11

Abstract: 一种从硅或绝缘体上硅结构(SOI)晶片形成的微机械加工的麦克风。从晶片的顶硅层形成用于麦克风的固定的传感电极。通过淀积至少一个氧化物层、形成结构、然后通过贯穿顶硅层形成的沟槽从顶硅层的背面去除在该结构下面的氧化物的一部分，来在顶硅层的正面上形成多个多晶硅麦克风结构。这些沟槽允许声波从顶硅层的背面到达隔膜。在SOI晶片中，贯穿底硅层和中间氧化物层形成空腔，以暴露用于去除氧化物并允许声波到达隔膜的沟槽。可以在相同的晶片上形成惯性传感器，并且使用基本上与对应的麦克风结构相同的工序基本同时地形成多个惯性传感器结构。

公开(公告)号：CN101208990A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680022953.1

申请日：2006-04-21

Applicant: 模拟设备公司

Inventor： 约翰·R·马丁 ,  蒂莫西·J·布劳斯尼汉 ,  克雷格·考尔 ,  托马斯·努南 ,  贾森·魏戈尔德 ,  张欣

IPC: H04R19/00

CPC classification number: H04R3/00 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00182 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15151 ,  H04R19/005 ,  H04R2499/11

Abstract: 一种从硅或绝缘体上硅结构(SOI)晶片形成的微机械加工的麦克风。从晶片的顶硅层形成用于麦克风的固定的传感电极。通过淀积至少一个氧化物层、形成结构、然后通过贯穿顶硅层形成的沟槽从顶硅层的背面去除在该结构下面的氧化物的一部分，来在顶硅层的正面上形成多个多晶硅麦克风结构。这些沟槽允许声波从顶硅层的背面到达隔膜。在SOI晶片中，贯穿底硅层和中间氧化物层形成空腔，以暴露用于去除氧化物并允许声波到达隔膜的沟槽。可以在相同的晶片上形成惯性传感器，并且使用基本上与对应的麦克风结构相同的工序基本同时地形成多个惯性传感器结构。