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公开(公告)号：CN103871981A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310683570.0
申请日：2013-12-12
Applicant: 辉达公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/3675 , H01L23/36 , H01L23/50 , H01L23/64 , H01L25/16 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105
Abstract: 公开了具有经改造的散热器的低外形芯片封装。集成电路系统包括热耦连到半导体芯片并且具有形成在散热器中的腔或开口的散热器。腔或开口经定位使得安装到与半导体芯片相同的封装衬底的电容器和/或其它无源部件至少部分地布置在腔或开口中。因为无源部件布置在腔或开口中，所以集成电路系统具有经降低的封装厚度。
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公开(公告)号：CN103811459A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310541147.7
申请日：2013-11-05
Applicant: 辉达公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/12
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的实施例总地涉及用于集成电路的封装衬底。封装衬底每一个包括具有穿过其的导电过孔的核心。由具有不同组合物的介电材料形成的积层布置在核心周围并且包括形成在其中的互连用于促进在耦连到封装衬底的集成电路之间的电连接。介电材料经选择以在期望的时候允许较精细互连几何形状，以及以增加封装衬底的刚性，并且因此增加平面性。示例性介电材料包括预浸复合纤维用于增加封装衬底的刚性，以及味之素累积膜用于允许形成较精细互连几何形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103811431A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310538339.2
申请日：2013-11-04
Applicant: 辉达公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/528
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L23/42 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/562 , H01L24/16 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H05K1/0271 , H05K3/4644 , H05K2201/09136 , H05K2201/2009 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供了封装衬底、经封装的半导体器件、计算设备和用于形成其的方法。在一个实施例中，提供了包括具有芯片安装面和底面的封装结构的封装衬底。封装衬底具有形成在芯片安装面和底面之间的多个导电路径。导电路径配置为在布置在芯片安装面上的集成电路芯片和封装结构的底面之间提供电连接。封装结构具有形成在芯片安装面中、近似封装结构的周长的开口。加强微结构布置在开口中并且耦连到封装结构。
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公开(公告)号：CN103839909A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310593849.X
申请日：2013-11-21
Applicant: 辉达公司
IPC: H01L23/485
CPC classification number: H01L24/17 , H01L21/563 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/131 , H01L2224/1403 , H01L2224/16225 , H01L2224/1703 , H01L2224/73204 , H01L2224/81048 , H01L2224/81815 , H01L2224/831 , H01L2924/07802 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H05K3/3436 , H05K2201/10674 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了用于集成电路封装的可变尺寸的焊料凸点结构。本发明的一个实施例提出了包括衬底、集成电路裸片、第一多个焊料凸点结构以及第一多个可变尺寸的焊料凸点结构的集成电路封装。第一多个焊料凸点结构将集成电路裸片电耦连到衬底。第一多个可变尺寸的焊料凸点结构布置在衬底的底面上。第一多个可变尺寸的焊料凸点结构的尺寸调节为与集成电路封装的底座面实质上共面。
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公开(公告)号：CN103824829A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201310541134.X
申请日：2013-11-05
Applicant: 辉达公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49894 , H01L23/50 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/16 , H01L2224/131 , H01L2224/16237 , H01L2924/15311 , H05K3/28 , H05K3/3452 , H05K2201/0376 , H05K2201/09881 , H05K2201/0989 , Y10T29/49124 , H01L2924/014
Abstract: 公开了非焊接掩膜限定的铜焊盘和嵌入式铜焊盘。本发明的实施例提供了封装系统，其总地包括衬底、形成在衬底的顶面上的第一电传导焊盘和第二电传导焊盘以及形成在衬底的顶面上并且布置在第一电传导焊盘和第二电传导焊盘之间的掩膜部分。封装系统进一步包括安装到掩膜部分的顶面上的无源部件，其中无源部件的背面的一部分分别与第一电传导焊盘和第二电传导焊盘物理接触。
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公开(公告)号：CN103839911A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310593913.4
申请日：2013-11-21
Applicant: 辉达公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/488 , H01L21/4853 , H01L23/49838 , H01L24/16 , H01L2224/16105 , H01L2224/16108 , H01L2924/07802 , H01L2924/351 , H01L2924/381 , H01L2924/00
Abstract: 公开了偏置集成电路封装互连。本发明的一个实施例阐述包括衬底、集成电路裸片以及多个焊料凸块结构的集成电路封装。衬底包括布置在衬底的第一表面上的第一多个互连。集成电路裸片包括布置在集成电路裸片的第一表面上的第二多个互连。多个焊料凸块结构将第一多个互连耦连到第二多个互连。第一多个互连配置为当集成电路封装处于大约0℃到大约-100℃的范围内的第一温度时与第二多个互连大致对齐。第一多个互连配置为当集成电路封装处于高于第一温度的温度时与第二多个互连偏置。
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公开(公告)号：CN103887266A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310714651.2
申请日：2013-12-20
Applicant: 辉达公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/13
CPC classification number: H01L23/31 , H01L21/563 , H01L24/32 , H01L2224/16225 , H01L2224/27013 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 一个实施例阐述了集成电路封装，其包括衬底、安装在衬底上的一个或多个器件、配置为将一个或多个器件固定在衬底上的底部填充层以及形成在衬底中的焊料沟，其中焊料沟的总体积大到足以捕获制造期间的过量底部填充的流动。所公开的集成电路封装的一个优势在于，使用焊料沟代替焊坝结构，从而允许网板在制造期间更靠近衬底表面被放下，这促进在制造期间对焊膏进行沉积。
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