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公开(公告)号：KR1020140091316A
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：KR1020130003439
申请日：2013-01-11
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 고려대학교 산학협력단 , 서강대학교산학협력단
IPC: C08F297/00 , C08F297/08 , C08F220/10 , G03F7/027
CPC classification number: C08F299/024 , C08F293/00 , C08G61/08 , C08G2261/1424 , C08G2261/1426 , C08G2261/3324 , C08G2261/418 , C08G2261/74
Abstract: A block copolymer is provided. According to an embodiment of the present invention, the block copolymer comprises a first block represented by the following formula 1 and a second block represented by the following formula 2. COM1 and COM2 are independently selected from a group including polystyrene, polymethylmethacrylate, polyethylene oxide, polyvinyl pyridine, polydimethylsiloxane, polyferrocenyldimethylsilane and polyisoprene, R1 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, x is 10 to 500, a is 1 to 50, R2 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, y is 10 to 500, and b is 1 to 50.
Abstract translation: 提供嵌段共聚物。 根据本发明的实施方案，嵌段共聚物包含由下式1表示的第一嵌段和由下式2表示的第二嵌段。COM1和COM2独立地选自聚苯乙烯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚环氧乙烷， 聚乙烯基吡啶，聚二甲基硅氧烷，聚二茂铁基二甲基硅烷和聚异戊二烯，R 1为氢或碳原子数1〜10的烷基，x为10〜500，a为1〜50，R 2为氢或碳原子数1〜10的烷基，y 为10〜500，b为1〜50。
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公开(公告)号：KR1020140074427A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：KR1020120141737
申请日：2012-12-07
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: C08J7/04 , G03F7/0002 , G03F7/26
Abstract: Provided is a method for manufacturing a nanostructure. The method for manufacturing a nanostructure according to an embodiment of the present invention comprises the steps of forming a first thin film comprising a first block copolymer on a substrate; forming guide patterns on the first thin film; forming a second thin film including a second block copolymer between the guide patterns; and curing the second thin film, wherein the first block copolymer has a cylindrical shape, and the second block copolymer has a lamellar shape.
Abstract translation: 提供一种纳米结构体的制造方法。 根据本发明的实施方案的纳米结构的制造方法包括以下步骤：在基材上形成包含第一嵌段共聚物的第一薄膜; 在第一薄膜上形成引导图案; 在引导图案之间形成包括第二嵌段共聚物的第二薄膜; 并固化所述第二薄膜，其中所述第一嵌段共聚物具有圆柱形形状，并且所述第二嵌段共聚物具有层状形状。
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公开(公告)号：KR102081830B1
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：KR1020190109445
申请日：2019-09-04
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 고려대학교 산학협력단 , 서강대학교산학협력단
IPC: C08F297/02 , C08F212/08 , C08F220/18 , G03F7/11 , G03F7/20
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公开(公告)号：KR102020485B1
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：KR1020130003439
申请日：2013-01-11
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 고려대학교 산학협력단 , 서강대학교산학협력단
IPC: C08F297/00 , C08F297/08 , C08F220/10 , G03F7/027
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170136291A
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：KR1020160068182
申请日：2016-06-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 부산대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , G03F7/00 , H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/324
Abstract: 본발명은용매열스핀코팅단일공정을이용한자가조립블록공중합체패턴의제조방법에관한것으로서, 더욱구체적으로는, 기판상에블록공중합체 (block copolymers, BCP) 용액을도포하고스핀코팅및 상기기판에열을가해줌으로써상기블록공중합체의자가조립에의해서상기블록공중합체의패턴을형성하는방법에있어서, 상기스핀코팅과동시에열 처리를수행하는것을특징으로하는용매열스핀코팅단일공정을이용한자가조립블록공중합체패턴의제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 블록공중합체를이용한미세구조형성의공정을간소화함으로써, 나노리소그래피를이용한대량생산에적합한공정을제공할수 있는바, 특히, 매우간단한장비구성을통해서나노패터닝을구현하는것이가능하다. 이를통해서, 기존의복잡한공정에서야기되는나노패턴의결함발생율을획기적으로낮출수 있으며, 공정시간단축을통해서대량생산의효율성을높일수 있다.
Abstract translation: 本发明溶剂热旋涂涉及一种使用一个单一的过程，并且更具体地，该嵌段共聚物中的应用（嵌段共聚物，BCP）在基板和旋涂溶液组装嵌段共聚物图案的自制造方法，以及基板 一种通过施加退火热使嵌段共聚物自组装而形成嵌段共聚物的图案的方法，其特征在于退火与旋涂同时进行。 和生产组装嵌段共聚物图案的方法。 根据本发明，通过简化由嵌段共聚物形成的微结构的过程中，也能够实现通过栏中的纳米图案化，并且特别地，一个非常简单的装置结构，可以提供一种用于使用批量生产纳米光刻合适的工艺 。 由此，能够大幅降低现有的复杂的工艺所引起的纳米图案的缺陷发生率，能够缩短处理时间，提高批量生产的效率。
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公开(公告)号：KR101781517B1
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：KR1020100095176
申请日：2010-09-30
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
IPC: G03F7/004 , H01L21/027 , G02F1/1335
CPC classification number: B81C1/00031 , B81C2201/0149 , C08F293/005 , C08F2438/03 , C23F1/02 , G03F7/165
Abstract: 본발명의한 실시예에따른패턴형성방법은케텐계열랜덤공중합체(ketene based random copolymer)와블록공중합체를이용한다.
Abstract translation: 根据本发明实施方案的图案形成方法使用乙烯酮基无规共聚物和嵌段共聚物。
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公开(公告)号：KR1020120033583A
公开(公告)日：2012-04-09
申请号：KR1020100095176
申请日：2010-09-30
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
IPC: G03F7/004 , H01L21/027 , G02F1/1335
CPC classification number: B81C1/00031 , B81C2201/0149 , C08F293/005 , C08F2438/03 , C23F1/02 , G03F7/165 , G02F1/1335 , G03F7/0045 , G03F7/0047 , H01L21/027
Abstract: PURPOSE: Block copolymer and a pattern forming method using the same are provided to implement the vertical orientation of the block copolymer and pattern small sized areas based on chemical bonds to the surface of a substrate. CONSTITUTION: A pattern forming method is based on ketene-based random copolymer and block copolymer. The method includes the following: the ketene-based random copolymer is applied on a substrate; the ultraviolet ray treatment or thermal treatment is applied to the ketene-based random copolymer; block copolymer is applied on the ketene-based random copolymer; the ultraviolet ray treatment or thermal treatment is applied to the block copolymer; a part of the block copolymer is etched. The ketene-based random copolymer is represented by chemical formula 2.
Abstract translation: 目的：提供嵌段共聚物和使用其的图案形成方法，以实现基于化学键的嵌段共聚物和图案小尺寸区域在基材表面上的垂直取向。 构成：图案形成方法是基于基于乙烯酮的无规共聚物和嵌段共聚物。 该方法包括：将基于乙烯酮的无规共聚物施加在基材上; 对乙烯酮系无规共聚物进行紫外线处理或热处理， 嵌段共聚物应用于基于乙烯酮的无规共聚物; 对嵌段共聚物进行紫外线处理或热处理; 一部分嵌段共聚物被蚀刻。 基于乙烯酮的无规共聚物由化学式2表示。
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公开(公告)号：KR1020100097837A
公开(公告)日：2010-09-06
申请号：KR1020090016689
申请日：2009-02-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/004 , G03F7/0047 , G03F7/012
Abstract: PURPOSE: A negative-tone electron beam lithography resist composition is provided to be economically manufactured, to easily control a crosslinked part by controlling a synthesis ratio, to easily control the thickness of the electron beam resist, and to be applied to a lithography process. CONSTITUTION: A negative-tone electron beam lithography resist composition includes a polystyrene random copolymer including an azide functional group. The dose of the electron beam resist is 40 μC/cm^2 - 116 μC/cm^2. The polystyrene random copolymer is synthesized by polymerizing a styrene monomer and 1-(chloromethyl)-4-vinylbenzene through a RAFT(reversible addition-fragmentation chain transfer) method.
Abstract translation: 目的：为了经济地制造负色电子束光刻抗蚀剂组合物，通过控制合成比容易控制交联部分，容易控制电子束抗蚀剂的厚度，并适用于光刻工艺。 构成：负电子束光刻抗蚀剂组合物包括包含叠氮官能团的聚苯乙烯无规共聚物。 电子束抗蚀剂的剂量为40μC/ cm 2〜116μC/ cm ^ 2。 聚苯乙烯无规共聚物是通过RAFT（可逆加成 - 断裂链转移）法聚合苯乙烯单体和1-（氯甲基）-4-乙烯基苯来合成的。
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公开(公告)号：KR100955319B1
公开(公告)日：2010-04-29
申请号：KR1020080047790
申请日：2008-05-23
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/20
Abstract: 발광다이오드 제조방법 및 이에 의해 제조되는 발광다이오드가 개시된다. 본 발명에 따른 발광다이오드 제조방법의 일 실시예는 기판의 상면에 고분자층을 형성하고, 고분자층의 상면에 복수의 비드를 도포한다. 그리고 고분자층을 유리전이온도 이상으로 가열하여, 비드의 일부분을 고분자층에 침전시킨다. 본 발명에 따른 발광다이오드 제조방법의 다른 실시예는 기판의 상면에 고분자층을 형성하고, 고분자층의 상면에 복수의 비드를 도포한다. 그리고 비드가 식각되는 속도보다 고분자층이 식각되는 속도가 큰 식각가스를 이용하여, 비드, 고분자층 및 기판의 상면을 건식식각한다. 본 발명에 따르면, 식각 공정이 없이 또는 식각 공정이 있더라도 사진식각 공정이 없이 굴곡 있는 패턴을 가진 발광다이오드를 제조할 수 있어 시간과 비용을 크게 절감할 수 있다.
LED, 외부광추출효율, 내부 전반사, 유리전이온도, 고분자
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