公开(公告)号：KR1020110116636A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：KR1020100036169

申请日：2010-04-20

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 변동진 ,  김상일 ,  김범준 ,  장삼석 ,  박지훈

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02642 ,  H01L21/0265

Abstract: 본 발명은 공정이 간단하면서도 에피택셜층 내에 생성된 결함을 최소화할 수 있는 에피택셜층을 형성하는 방법 및 이에 의해 제조된 적층 구조물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 에피층 형성방법은 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 포토레지스트 패턴을 탄화시켜 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 기판과 마스크 패턴이 함께 덮이도록 상기 기판 상에 에피택셜층을 형성하는 단계를 갖는다.

公开(公告)号：KR101082457B1

公开(公告)日：2011-11-11

申请号：KR1020100036169

申请日：2010-04-20

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 변동진 ,  김상일 ,  김범준 ,  장삼석 ,  박지훈

IPC: H01L21/20

Abstract: 본발명은공정이간단하면서도에피택셜층내에생성된결함을최소화할수 있는에피택셜층을형성하는방법및 이에의해제조된적층구조물에관한것이다. 본발명에따른에피층형성방법은기판상에포토레지스트패턴을형성하는단계와, 포토레지스트패턴을탄화시켜마스크패턴을형성하는단계와, 기판과마스크패턴이함께덮이도록상기기판상에에피택셜층을형성하는단계를갖는다.