公开(公告)号：KR1020110045407A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：KR1020090101971

申请日：2009-10-26

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 변동진 ,  김범준 ,  김상일 ,  장삼석 ,  이도한

IPC: H01L33/20

Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and manufacturing method thereof are provided to manufacture a light emitting diode with high external quantum efficiency by simple processes, thereby saving manufacturing costs. CONSTITUTION: A semiconductor buffer layer(102) is formed on a substrate(101). A first semiconductor layer(103) is formed on the semiconductor buffer layer. A light emitting area(104) is formed on the first semiconductor layer. A second semiconductor layer(105) is formed on the light emitting area. A transparent electrode(106) is formed on the second semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管及其制造方法，通过简单的工艺制造具有高外量子效率的发光二极管，从而节省制造成本。 构成：在衬底（101）上形成半导体缓冲层（102）。 在半导体缓冲层上形成第一半导体层（103）。 在第一半导体层上形成发光区域（104）。 在发光区域上形成第二半导体层（105）。 在第二半导体层上形成透明电极（106）。

公开(公告)号：KR101082457B1

公开(公告)日：2011-11-11

申请号：KR1020100036169

申请日：2010-04-20

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 변동진 ,  김상일 ,  김범준 ,  장삼석 ,  박지훈

IPC: H01L21/20

Abstract: 본발명은공정이간단하면서도에피택셜층내에생성된결함을최소화할수 있는에피택셜층을형성하는방법및 이에의해제조된적층구조물에관한것이다. 본발명에따른에피층형성방법은기판상에포토레지스트패턴을형성하는단계와, 포토레지스트패턴을탄화시켜마스크패턴을형성하는단계와, 기판과마스크패턴이함께덮이도록상기기판상에에피택셜층을형성하는단계를갖는다.

公开(公告)号：KR101363760B1

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：KR1020120117717

申请日：2012-10-23

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 변동진 ,  권준혁 ,  장삼석 ,  이도한 ,  김상일

IPC: H01L21/20

Abstract: A single crystalline substrate structure includes a single crystalline substrate, a gallium nitride layer formed on the single crystalline substrate including a carbonized nitride layer. Therefore, the gallium nitride layer can be formed by using the carbonize nitride layer pattern as a mask and by inducing the lateral growth of the gallium nitride layer.

Abstract translation: 单晶衬底结构包括单晶衬底，在包含碳化氮化物层的单晶衬底上形成的氮化镓层。 因此，可以通过使用碳化氮化物层图案作为掩模并且通过诱导氮化镓层的横向生长来形成氮化镓层。

公开(公告)号：KR101096301B1

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：KR1020090101971

申请日：2009-10-26

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 변동진 ,  김범준 ,  김상일 ,  장삼석 ,  이도한

IPC: H01L33/20

Abstract: 발광다이오드의 구조 및 이를 제조하는 방법이 개시된다. 발광다이오드는 기판 및 반도체층을 포함하며 상기 기판 및 상기 반도체층과는 상이한 물질로 구성된 광 산란부가 상기 기판과 상기 반도체층 사이에 형성되어 있다. 상기 발광다이오드를 제조하는 방법은 기판을 형성하는 단계, 기판 상부에 포토레지스트를 형성하는 단계, 포토레지스트의 패턴을 형성하는 단계, 포토레지스트의 패턴이 형성된 기판을 열처리 하는 단계, 및 열처리된 기판 상에 반도체층 및 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
발광다이오드, 외부 양자 효율, 광 산란부

公开(公告)号：KR1020110116636A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：KR1020100036169

申请日：2010-04-20

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 변동진 ,  김상일 ,  김범준 ,  장삼석 ,  박지훈

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02642 ,  H01L21/0265

Abstract: 본 발명은 공정이 간단하면서도 에피택셜층 내에 생성된 결함을 최소화할 수 있는 에피택셜층을 형성하는 방법 및 이에 의해 제조된 적층 구조물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 에피층 형성방법은 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 포토레지스트 패턴을 탄화시켜 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 기판과 마스크 패턴이 함께 덮이도록 상기 기판 상에 에피택셜층을 형성하는 단계를 갖는다.

公开(公告)号：KR101065193B1

公开(公告)日：2011-09-19

申请号：KR1020100038933

申请日：2010-04-27

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이경진 ,  김상일 ,  김우진

IPC: H03B5/40 ,  G11C11/15

CPC classification number: G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H03B15/006 ,  H01F10/3254 ,  H01L43/08

Abstract: 본 발명은 자구벽 회전을 이용한 고주파 신호 발생기에 관한 것으로, 자구벽을 구비한 나노 자성체를 포함하고, 상기 나노 자성체의 재질은 전도율이 반도체의 전도율보다 크며, 감쇠 증가 파라미터의 감소에 따른 자구벽 회전주파수의 증가하는 비율이 전류밀도
의 증가에 따른 자구벽 회전주파수의 증가하는 비율보다 더 크도록 하는
감쇠 증가 파라미터를 가지는 것을 특징으로 하여, 나노 자성체 재질이 최적화되어 고주파 신호 및 자기장 신호의 주파수가 효과적으로 증가하게 된다.

公开(公告)号：KR1020110092837A

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：KR1020100012492

申请日：2010-02-10

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 변동진 ,  장삼석 ,  김범준 ,  진정근 ,  김상일 ,  이도한

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/42 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70008

Abstract: PURPOSE: A method for eliminating a photo resist pattern is provided to irradiate light onto a substrate to increase the temperature of the substrate up to 700°C, thereby certainly eliminating a photoresist pattern and foreign materials from the substrate. CONSTITUTION: A photoresist pattern(100) is formed on a substrate(10). Light is irradiated onto the substrate to increase the temperature of the substrate up to 700°C. The light is supplied from a halogen lamp(200), a quartz tube heater, and a ceramic heater. The photoresist pattern and foreign materials(300) are eliminated from the substrate.

Abstract translation: 目的：提供消除光致抗蚀剂图案的方法以将光照射到基板上以将基板的温度升高至700℃，从而确实消除基板上的光致抗蚀剂图案和异物。 构成：在衬底（10）上形成光致抗蚀剂图案（100）。 光照射到基板上，将基板的温度升高到700℃。 灯由卤素灯（200），石英管加热器和陶瓷加热器供电。 光刻胶图案和异物（300）从衬底中去除。