公开(公告)号：KR101263133B1

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：KR1020120020012

申请日：2012-02-28

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 변동진 ,  장삼석 ,  박기선 ,  김아영 ,  이도한

IPC: H01L33/28

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08

Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and a method for manufacturing the same are provided to form an n-type semiconductor for emitting green light and absorbing blue light on an active layer for generating blue light, and secure a high efficiency green light emitting device. CONSTITUTION: A p-type compound semiconductor layer(130) is formed in the upper part of a substrate(110). An active layer(150) is formed in the upper part of the p-type compound semiconductor layer. An active layer emits blue wavelength light. An n-type oxide semiconductor layer(170) made of zinc oxide is formed in the upper part of the active layer. The n-type oxide semiconductor layer absorbs the green wavelength light to emit the blue wavelength light.

Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管及其制造方法，以形成用于发射绿光并在有源层上吸收蓝光以产生蓝光的n型半导体，并且确保高效绿色发光器件。 构成：在基板（110）的上部形成有p型化合物半导体层（130）。 在p型化合物半导体层的上部形成有源层（150）。 有源层发出蓝色波长的光。 在有源层的上部形成由氧化锌构成的n型氧化物半导体层（170）。 n型氧化物半导体层吸收绿色波长的光以发射蓝色波长的光。

公开(公告)号：KR101087266B1

公开(公告)日：2011-11-29

申请号：KR1020100033276

申请日：2010-04-12

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김동환 ,  이현주 ,  김성원 ,  김준희 ,  변동진 ,  장삼석 ,  김범준

IPC: B82B3/00 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 실리콘 나노와이어/징크옥사이드 코어/쉘 나노복합체의 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따르면 간단한 방법으로 대면적 기판상에 수직으로 정렬된 실리콘 나노와이어/징크옥사이드 코어/쉘 나노복합체를 제조할 수 있으며, 이러한 나노복합체는 표면적이 크고, 상기 실리콘 나노와이어의 수직으로 정렬된 구조를 템플레이트로 징크옥사이드를 형성시킴으로써 단위 면적당 흡착된 염료분자의 농도를 증가시켜 염료감응 태양전지의 상대전극으로 유용하게 사용될 수 있다. 이에 따라서, 본 발명에 따른 태양전지는 표면반사율이 낮고 광변환 효율이 우수하다.

公开(公告)号：KR1020110116636A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：KR1020100036169

申请日：2010-04-20

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 변동진 ,  김상일 ,  김범준 ,  장삼석 ,  박지훈

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02642 ,  H01L21/0265

Abstract: 본 발명은 공정이 간단하면서도 에피택셜층 내에 생성된 결함을 최소화할 수 있는 에피택셜층을 형성하는 방법 및 이에 의해 제조된 적층 구조물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 에피층 형성방법은 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 포토레지스트 패턴을 탄화시켜 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 기판과 마스크 패턴이 함께 덮이도록 상기 기판 상에 에피택셜층을 형성하는 단계를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020110092837A

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：KR1020100012492

申请日：2010-02-10

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 변동진 ,  장삼석 ,  김범준 ,  진정근 ,  김상일 ,  이도한

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/42 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70008

Abstract: PURPOSE: A method for eliminating a photo resist pattern is provided to irradiate light onto a substrate to increase the temperature of the substrate up to 700°C, thereby certainly eliminating a photoresist pattern and foreign materials from the substrate. CONSTITUTION: A photoresist pattern(100) is formed on a substrate(10). Light is irradiated onto the substrate to increase the temperature of the substrate up to 700°C. The light is supplied from a halogen lamp(200), a quartz tube heater, and a ceramic heater. The photoresist pattern and foreign materials(300) are eliminated from the substrate.

Abstract translation: 目的：提供消除光致抗蚀剂图案的方法以将光照射到基板上以将基板的温度升高至700℃，从而确实消除基板上的光致抗蚀剂图案和异物。 构成：在衬底（10）上形成光致抗蚀剂图案（100）。 光照射到基板上，将基板的温度升高到700℃。 灯由卤素灯（200），石英管加热器和陶瓷加热器供电。 光刻胶图案和异物（300）从衬底中去除。

公开(公告)号：KR100936869B1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：KR1020070127296

申请日：2007-12-10

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 변동진 ,  김범준 ,  장삼석 ,  이도한 ,  이광택

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/265

Abstract: 본 발명에 따른 질화물 반도체소자는 이온주입영역을 구비한 실리콘기판; 상기 이온주입영역이 형성된 실리콘기판 상에 형성되는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성되는 질화갈륨층을 포함한다.
따라서 본 발명에 따른 질화물 반도체소자 및 그 제조방법은 실리콘 기판 표면에 주기적인 패턴형상으로 이온주입층을 형성함으로써 크랙이 없는 질화갈륨층을 형성할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR101087267B1

公开(公告)日：2011-11-29

申请号：KR1020100033269

申请日：2010-04-12

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김동환 ,  이현주 ,  김성원 ,  김준희 ,  변동진 ,  장삼석 ,  김범준

IPC: B82B3/00 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 실리콘 나노와이어/탄소나노튜브/징크옥사이드 코어/다중쉘 나노복합체의 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따르면 간단한 방법으로 대면적 기판상에 수직으로 정렬된 실리콘 나노와이어/탄소나노튜브/징크옥사이드 코어/다중쉘 나노복합체를 제조할 수 있으며, 이러한 나노복합체는 실리콘 나노와이어의 표면적이 크고, 상기 실리콘 나노와이어와 탄소나노튜브와의 넓은 접합 계면에서 전자와 홀이 분리될 수 있다는 장점뿐만 아니라, 단위 면적당 흡착된 염료분자의 농도를 증가시켜 염료감응 태양전지의 상대전극으로 유용하게 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 태양전지는 표면반사율이 낮고 광변환 효율이 우수하다.

公开(公告)号：KR1020110045407A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：KR1020090101971

申请日：2009-10-26

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 변동진 ,  김범준 ,  김상일 ,  장삼석 ,  이도한

IPC: H01L33/20

Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and manufacturing method thereof are provided to manufacture a light emitting diode with high external quantum efficiency by simple processes, thereby saving manufacturing costs. CONSTITUTION: A semiconductor buffer layer(102) is formed on a substrate(101). A first semiconductor layer(103) is formed on the semiconductor buffer layer. A light emitting area(104) is formed on the first semiconductor layer. A second semiconductor layer(105) is formed on the light emitting area. A transparent electrode(106) is formed on the second semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管及其制造方法，通过简单的工艺制造具有高外量子效率的发光二极管，从而节省制造成本。 构成：在衬底（101）上形成半导体缓冲层（102）。 在半导体缓冲层上形成第一半导体层（103）。 在第一半导体层上形成发光区域（104）。 在发光区域上形成第二半导体层（105）。 在第二半导体层上形成透明电极（106）。

公开(公告)号：KR101363760B1

公开(公告)日：2014-02-18

申请号：KR1020120117717

申请日：2012-10-23

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 변동진 ,  권준혁 ,  장삼석 ,  이도한 ,  김상일

IPC: H01L21/20

Abstract: A single crystalline substrate structure includes a single crystalline substrate, a gallium nitride layer formed on the single crystalline substrate including a carbonized nitride layer. Therefore, the gallium nitride layer can be formed by using the carbonize nitride layer pattern as a mask and by inducing the lateral growth of the gallium nitride layer.

Abstract translation: 单晶衬底结构包括单晶衬底，在包含碳化氮化物层的单晶衬底上形成的氮化镓层。 因此，可以通过使用碳化氮化物层图案作为掩模并且通过诱导氮化镓层的横向生长来形成氮化镓层。

公开(公告)号：KR101096301B1

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：KR1020090101971

申请日：2009-10-26

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 변동진 ,  김범준 ,  김상일 ,  장삼석 ,  이도한

IPC: H01L33/20

Abstract: 발광다이오드의 구조 및 이를 제조하는 방법이 개시된다. 발광다이오드는 기판 및 반도체층을 포함하며 상기 기판 및 상기 반도체층과는 상이한 물질로 구성된 광 산란부가 상기 기판과 상기 반도체층 사이에 형성되어 있다. 상기 발광다이오드를 제조하는 방법은 기판을 형성하는 단계, 기판 상부에 포토레지스트를 형성하는 단계, 포토레지스트의 패턴을 형성하는 단계, 포토레지스트의 패턴이 형성된 기판을 열처리 하는 단계, 및 열처리된 기판 상에 반도체층 및 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
발광다이오드, 외부 양자 효율, 광 산란부

公开(公告)号：KR100988126B1

公开(公告)日：2010-10-18

申请号：KR1020080091436

申请日：2008-09-18

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 변동진 ,  김범준 ,  장삼석 ,  이승무 ,  이광택 ,  진정근

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/167 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/007

Abstract: 본 발명은 이온주입을 통한 질화물 반도체 형성 방법 및 이를 이용하여 제조한 발광다이오드에 관한 것으로, 실리콘 기판은 Si(111) 기판에 실리콘 결정의 [1-10] 방위와 평행한 방향으로 라인/스페이스 패턴을 형성하되, 실리콘 기판의 표면에 1E17 이온/㎠ 초과 5E18 이온/㎠ 이하의 도즈량 및 30 ~ 50keV의 주입에너지로 라인/스페이스 패턴의 이온 주입 영역을 형성한 후 질화갈륨(GaN) 박막을 수평 성장시키되, 상기 라인/스페이스 패턴 상부에는 질화갈륨(GaN) 박막의 수직 성장이 일어나지 않도록 함으로써, 질화물 박막의 격자 결함을 감소시키고, 이로 인하여 발광다이오드의 효율도 향상시킬 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.