발광다이오드 및 그 제조방법
    3.
    发明公开
    발광다이오드 및 그 제조방법 有权
    发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020110045407A

    公开(公告)日:2011-05-04

    申请号:KR1020090101971

    申请日:2009-10-26

    Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and manufacturing method thereof are provided to manufacture a light emitting diode with high external quantum efficiency by simple processes, thereby saving manufacturing costs. CONSTITUTION: A semiconductor buffer layer(102) is formed on a substrate(101). A first semiconductor layer(103) is formed on the semiconductor buffer layer. A light emitting area(104) is formed on the first semiconductor layer. A second semiconductor layer(105) is formed on the light emitting area. A transparent electrode(106) is formed on the second semiconductor layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种发光二极管及其制造方法,通过简单的工艺制造具有高外量子效率的发光二极管,从而节省制造成本。 构成:在衬底(101)上形成半导体缓冲层(102)。 在半导体缓冲层上形成第一半导体层(103)。 在第一半导体层上形成发光区域(104)。 在发光区域上形成第二半导体层(105)。 在第二半导体层上形成透明电极(106)。

    질화물 반도체소자 및 그 제조방법
    4.
    发明授权
    질화물 반도체소자 및 그 제조방법 有权
    III型氮化物半导体及其制造方法

    公开(公告)号:KR100936869B1

    公开(公告)日:2010-01-14

    申请号:KR1020070127296

    申请日:2007-12-10

    Abstract: 본 발명에 따른 질화물 반도체소자는 이온주입영역을 구비한 실리콘기판; 상기 이온주입영역이 형성된 실리콘기판 상에 형성되는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성되는 질화갈륨층을 포함한다.
    따라서 본 발명에 따른 질화물 반도체소자 및 그 제조방법은 실리콘 기판 표면에 주기적인 패턴형상으로 이온주입층을 형성함으로써 크랙이 없는 질화갈륨층을 형성할 수 있는 효과가 있다.

    포토레지스트 패턴의 제거 방법
    8.
    发明公开
    포토레지스트 패턴의 제거 방법 无效
    去除光电子图案的方法

    公开(公告)号:KR1020110092837A

    公开(公告)日:2011-08-18

    申请号:KR1020100012492

    申请日:2010-02-10

    CPC classification number: G03F7/42 G03F7/40 G03F7/70008

    Abstract: PURPOSE: A method for eliminating a photo resist pattern is provided to irradiate light onto a substrate to increase the temperature of the substrate up to 700°C, thereby certainly eliminating a photoresist pattern and foreign materials from the substrate. CONSTITUTION: A photoresist pattern(100) is formed on a substrate(10). Light is irradiated onto the substrate to increase the temperature of the substrate up to 700°C. The light is supplied from a halogen lamp(200), a quartz tube heater, and a ceramic heater. The photoresist pattern and foreign materials(300) are eliminated from the substrate.

    Abstract translation: 目的:提供消除光致抗蚀剂图案的方法以将光照射到基板上以将基板的温度升高至700℃,从而确实消除基板上的光致抗蚀剂图案和异物。 构成:在衬底(10)上形成光致抗蚀剂图案(100)。 光照射到基板上,将基板的温度升高到700℃。 灯由卤素灯(200),石英管加热器和陶瓷加热器供电。 光刻胶图案和异物(300)从衬底中去除。

    에탄올-가용성 광기전 폴리머 및 풀러렌 유도체, 그 제조방법, 상기 광기전 폴리머 및 풀러렌 유도체를 활성층으로 포함하는 폴리머 태양전지 및 그 제조방법
    9.
    发明公开
    에탄올-가용성 광기전 폴리머 및 풀러렌 유도체, 그 제조방법, 상기 광기전 폴리머 및 풀러렌 유도체를 활성층으로 포함하는 폴리머 태양전지 및 그 제조방법 审中-实审
    可溶于乙醇的光伏聚合物和富勒烯衍生物及其生产方法,包括所述光伏聚合物和富勒烯衍生物作为活性层的聚合物太阳能电池及其生产方法

    公开(公告)号:KR1020170140582A

    公开(公告)日:2017-12-21

    申请号:KR1020160073062

    申请日:2016-06-13

    Abstract: 에탄올-가용성광기전폴리머, 그제조방법, 상기광기전폴리머들을활성층으로포함하는폴리머태양전지및 그제조방법에관한것으로서, 더욱구체적으로는, 하기화학식 1로표시되는전자공여체화합물: [화학식 1]상기식에서, 각각의 X는서로독립적으로 O, S, Se 또는 Te이고, 각각의 Y는서로독립적으로 CN, Cl, F 또는 H이고, m은 10 내지 50의정수이고, n은 3 내지 10의정수이다; 및하기화학식 2로표시되는전자수용체화합물: [화학식 2]상기식에서 R은이고, 상기식에서, n은 3 내지 10의정수이다; 또한, 상기전자공여체화합물과전자수용체화합물을활성층으로포함하는폴리머태양전지및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 환경친화적용매인에탄올공정에의하면서도우수한전력변환효율을나타내는폴리머태양전지를제공할수 있다.

    Abstract translation: 更具体地说,本发明涉及由以下通式(1)表示的电子给体化合物:[化学式1]化学式1化学式1 其中每个X独立地为O,S,Se或Te,每个Y独立于另一个CN,Cl,F或H,m为10至50的数,n为3至10, 的数; 和由下式(2)表示的电子受体化合物:其中R是其中n是3至10的数; 此外,本发明涉及包含电子供体化合物和电子受体化合物作为活性层的聚合物太阳能电池及其制造方法。 工业实用性根据本发明,可以提供即使在作为环保型溶剂的乙醇工艺中也表现出优异的电力转换效率的聚合物太阳能电池。

    발광다이오드 및 그 제조방법
    10.
    发明授权
    발광다이오드 및 그 제조방법 有权
    发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR101096301B1

    公开(公告)日:2011-12-20

    申请号:KR1020090101971

    申请日:2009-10-26

    Abstract: 발광다이오드의 구조 및 이를 제조하는 방법이 개시된다. 발광다이오드는 기판 및 반도체층을 포함하며 상기 기판 및 상기 반도체층과는 상이한 물질로 구성된 광 산란부가 상기 기판과 상기 반도체층 사이에 형성되어 있다. 상기 발광다이오드를 제조하는 방법은 기판을 형성하는 단계, 기판 상부에 포토레지스트를 형성하는 단계, 포토레지스트의 패턴을 형성하는 단계, 포토레지스트의 패턴이 형성된 기판을 열처리 하는 단계, 및 열처리된 기판 상에 반도체층 및 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
    발광다이오드, 외부 양자 효율, 광 산란부

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