Abstract:
본 발명은 이종 촉매 구조체에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 이종 촉매 구조체는, 광촉매 활성을 가지는 나노 와이어 구조체와; 상기 나노 와이어 구조체에 도포되고, 금속 재질로 제공되는 촉매를 포함하되, 상기 금속 재질은 상기 나노 와이어 구조체를 이루는 물질과 상호작용하여 촉매활성을 증진시키는 금속으로 제공된다.
Abstract:
실리콘 나노와이어/탄소나노튜브/징크옥사이드 코어/다중쉘 나노복합체의 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따르면 간단한 방법으로 대면적 기판상에 수직으로 정렬된 실리콘 나노와이어/탄소나노튜브/징크옥사이드 코어/다중쉘 나노복합체를 제조할 수 있으며, 이러한 나노복합체는 실리콘 나노와이어의 표면적이 크고, 상기 실리콘 나노와이어와 탄소나노튜브와의 넓은 접합 계면에서 전자와 홀이 분리될 수 있다는 장점뿐만 아니라, 단위 면적당 흡착된 염료분자의 농도를 증가시켜 염료감응 태양전지의 상대전극으로 유용하게 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 태양전지는 표면반사율이 낮고 광변환 효율이 우수하다.
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PURPOSE: A light emitting diode and manufacturing method thereof are provided to manufacture a light emitting diode with high external quantum efficiency by simple processes, thereby saving manufacturing costs. CONSTITUTION: A semiconductor buffer layer(102) is formed on a substrate(101). A first semiconductor layer(103) is formed on the semiconductor buffer layer. A light emitting area(104) is formed on the first semiconductor layer. A second semiconductor layer(105) is formed on the light emitting area. A transparent electrode(106) is formed on the second semiconductor layer.
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본 발명에 따른 질화물 반도체소자는 이온주입영역을 구비한 실리콘기판; 상기 이온주입영역이 형성된 실리콘기판 상에 형성되는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성되는 질화갈륨층을 포함한다. 따라서 본 발명에 따른 질화물 반도체소자 및 그 제조방법은 실리콘 기판 표면에 주기적인 패턴형상으로 이온주입층을 형성함으로써 크랙이 없는 질화갈륨층을 형성할 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
실리콘 나노와이어/징크옥사이드 코어/쉘 나노복합체의 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따르면 간단한 방법으로 대면적 기판상에 수직으로 정렬된 실리콘 나노와이어/징크옥사이드 코어/쉘 나노복합체를 제조할 수 있으며, 이러한 나노복합체는 표면적이 크고, 상기 실리콘 나노와이어의 수직으로 정렬된 구조를 템플레이트로 징크옥사이드를 형성시킴으로써 단위 면적당 흡착된 염료분자의 농도를 증가시켜 염료감응 태양전지의 상대전극으로 유용하게 사용될 수 있다. 이에 따라서, 본 발명에 따른 태양전지는 표면반사율이 낮고 광변환 효율이 우수하다.
Abstract:
본 발명은 공정이 간단하면서도 에피택셜층 내에 생성된 결함을 최소화할 수 있는 에피택셜층을 형성하는 방법 및 이에 의해 제조된 적층 구조물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 에피층 형성방법은 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 포토레지스트 패턴을 탄화시켜 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 기판과 마스크 패턴이 함께 덮이도록 상기 기판 상에 에피택셜층을 형성하는 단계를 갖는다.
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PURPOSE: A method for eliminating a photo resist pattern is provided to irradiate light onto a substrate to increase the temperature of the substrate up to 700°C, thereby certainly eliminating a photoresist pattern and foreign materials from the substrate. CONSTITUTION: A photoresist pattern(100) is formed on a substrate(10). Light is irradiated onto the substrate to increase the temperature of the substrate up to 700°C. The light is supplied from a halogen lamp(200), a quartz tube heater, and a ceramic heater. The photoresist pattern and foreign materials(300) are eliminated from the substrate.
Abstract:
에탄올-가용성광기전폴리머, 그제조방법, 상기광기전폴리머들을활성층으로포함하는폴리머태양전지및 그제조방법에관한것으로서, 더욱구체적으로는, 하기화학식 1로표시되는전자공여체화합물: [화학식 1]상기식에서, 각각의 X는서로독립적으로 O, S, Se 또는 Te이고, 각각의 Y는서로독립적으로 CN, Cl, F 또는 H이고, m은 10 내지 50의정수이고, n은 3 내지 10의정수이다; 및하기화학식 2로표시되는전자수용체화합물: [화학식 2]상기식에서 R은이고, 상기식에서, n은 3 내지 10의정수이다; 또한, 상기전자공여체화합물과전자수용체화합물을활성층으로포함하는폴리머태양전지및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 환경친화적용매인에탄올공정에의하면서도우수한전력변환효율을나타내는폴리머태양전지를제공할수 있다.
Abstract:
발광다이오드의 구조 및 이를 제조하는 방법이 개시된다. 발광다이오드는 기판 및 반도체층을 포함하며 상기 기판 및 상기 반도체층과는 상이한 물질로 구성된 광 산란부가 상기 기판과 상기 반도체층 사이에 형성되어 있다. 상기 발광다이오드를 제조하는 방법은 기판을 형성하는 단계, 기판 상부에 포토레지스트를 형성하는 단계, 포토레지스트의 패턴을 형성하는 단계, 포토레지스트의 패턴이 형성된 기판을 열처리 하는 단계, 및 열처리된 기판 상에 반도체층 및 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 발광다이오드, 외부 양자 효율, 광 산란부