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公开(公告)号：KR100936869B1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：KR1020070127296
申请日：2007-12-10
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/318 , H01L21/265
Abstract: 본 발명에 따른 질화물 반도체소자는 이온주입영역을 구비한 실리콘기판; 상기 이온주입영역이 형성된 실리콘기판 상에 형성되는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성되는 질화갈륨층을 포함한다.
따라서 본 발명에 따른 질화물 반도체소자 및 그 제조방법은 실리콘 기판 표면에 주기적인 패턴형상으로 이온주입층을 형성함으로써 크랙이 없는 질화갈륨층을 형성할 수 있는 효과가 있다.-
2.发明公开질화갈륨 박막 제조용 단결정 기판, 질화갈륨 박막제조방법 및 질화갈륨 박막 제조용 단결정 기판으로 제조된질화갈륨 박막을 포함하는 발광다이오드 및레이저다이오드 有权用于制造基于GAN的EPILAYER的单晶基板，制造EPILAYER的方法，包含基于GAN的EPILAYER的LED和LD
公开(公告)号：KR1020080029603A
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：KR1020060096437
申请日：2006-09-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/32
Abstract: A single-crystal substrate for use in manufacturing a gallium-nitride thin film is provided to enhance crystalline of high gallium-nitride thin film and an optical characteristic through a rapid growth of gallium-nitride thin film. A single-crystal substrate(11) for use in manufacturing a gallium-nitride thin film(23) includes a nitrogen ion implantation pattern unit(19) and a nitrogen ion non-implantation section unit(21). The nitrogen ion implantation pattern unit is comprised of sapphire, silicon carbide, zinc oxide, silicon or GaAs, and has a plurality of patterns formed regularly and repeatedly on the same flat face. The nitrogen ion non-implantation section unit is adapted to distinguish between the patterns. A shape of the pattern is a circle, oval, stripe or polygonal shape. Material of the substrate is sapphire, and on the surface of the nitrogen ion implantation pattern unit, a nitride aluminum film is formed. A dose amount of nitrogen ion for the nitrogen ion implantation pattern unit is 1x10^15/cm^2 or 1x10^17/cm^2, and implantation energy is within a range of 10 through 100 keV.
Abstract translation: 提供了一种用于制造氮化镓薄膜的单晶衬底，以通过氮化镓薄膜的快速生长来增强高氮化镓薄膜的晶体和光学特性。 用于制造氮化镓薄膜（23）的单晶衬底（11）包括氮离子注入图案单元（19）和氮离子非注入区单元（21）。 氮离子注入图案单元由蓝宝石，碳化硅，氧化锌，硅或GaAs组成，并且具有在同一平面上规则地且重复地形成的多个图案。 氮离子非注入部分单元适于区分图案。 图案的形状是圆形，椭圆形，条状或多边形。 衬底的材料是蓝宝石，并且在氮离子注入图案单元的表面上形成氮化物铝膜。 氮离子注入图案单元的氮离子的剂量为1×10 15 / cm 2或1×10 17 / cm 2，注入能量在10〜100keV的范围内。
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公开(公告)号：KR1020160143449A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：KR1020150080203
申请日：2015-06-05
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/12
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자제조방법, 발광소자패키지및 조명장치에관한것이다. 실시예는발광소자는요철구조를갖는기판, 기판상에위치한버퍼층, 및버퍼층상에위치한발광구조물을포함하고, 버퍼층은 40% 이상의알루미늄조성비를가질수 있다.
Abstract translation: 实施例涉及发光器件，发光器件制造方法，发光器件封装和照明器件。 在一个实施例中，发光器件包括具有凹凸结构的衬底，设置在衬底上的缓冲层以及设置在缓冲层上的发光结构，并且缓冲层可以具有40％以上的铝组成比。
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公开(公告)号：KR101263133B1
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：KR1020120020012
申请日：2012-02-28
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L33/28
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/08
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and a method for manufacturing the same are provided to form an n-type semiconductor for emitting green light and absorbing blue light on an active layer for generating blue light, and secure a high efficiency green light emitting device. CONSTITUTION: A p-type compound semiconductor layer(130) is formed in the upper part of a substrate(110). An active layer(150) is formed in the upper part of the p-type compound semiconductor layer. An active layer emits blue wavelength light. An n-type oxide semiconductor layer(170) made of zinc oxide is formed in the upper part of the active layer. The n-type oxide semiconductor layer absorbs the green wavelength light to emit the blue wavelength light.
Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管及其制造方法，以形成用于发射绿光并在有源层上吸收蓝光以产生蓝光的n型半导体，并且确保高效绿色发光器件。 构成：在基板（110）的上部形成有p型化合物半导体层（130）。 在p型化合物半导体层的上部形成有源层（150）。 有源层发出蓝色波长的光。 在有源层的上部形成由氧化锌构成的n型氧化物半导体层（170）。 n型氧化物半导体层吸收绿色波长的光以发射蓝色波长的光。
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5.发明授权
公开(公告)号：KR101087266B1
公开(公告)日：2011-11-29
申请号：KR1020100033276
申请日：2010-04-12
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 실리콘 나노와이어/징크옥사이드 코어/쉘 나노복합체의 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따르면 간단한 방법으로 대면적 기판상에 수직으로 정렬된 실리콘 나노와이어/징크옥사이드 코어/쉘 나노복합체를 제조할 수 있으며, 이러한 나노복합체는 표면적이 크고, 상기 실리콘 나노와이어의 수직으로 정렬된 구조를 템플레이트로 징크옥사이드를 형성시킴으로써 단위 면적당 흡착된 염료분자의 농도를 증가시켜 염료감응 태양전지의 상대전극으로 유용하게 사용될 수 있다. 이에 따라서, 본 발명에 따른 태양전지는 표면반사율이 낮고 광변환 효율이 우수하다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110116636A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020100036169
申请日：2010-04-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02642 , H01L21/0265
Abstract: 본 발명은 공정이 간단하면서도 에피택셜층 내에 생성된 결함을 최소화할 수 있는 에피택셜층을 형성하는 방법 및 이에 의해 제조된 적층 구조물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 에피층 형성방법은 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 포토레지스트 패턴을 탄화시켜 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 기판과 마스크 패턴이 함께 덮이도록 상기 기판 상에 에피택셜층을 형성하는 단계를 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020110092837A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100012492
申请日：2010-02-10
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/42 , G03F7/40 , G03F7/70008
Abstract: PURPOSE: A method for eliminating a photo resist pattern is provided to irradiate light onto a substrate to increase the temperature of the substrate up to 700°C, thereby certainly eliminating a photoresist pattern and foreign materials from the substrate. CONSTITUTION: A photoresist pattern(100) is formed on a substrate(10). Light is irradiated onto the substrate to increase the temperature of the substrate up to 700°C. The light is supplied from a halogen lamp(200), a quartz tube heater, and a ceramic heater. The photoresist pattern and foreign materials(300) are eliminated from the substrate.
Abstract translation: 目的：提供消除光致抗蚀剂图案的方法以将光照射到基板上以将基板的温度升高至700℃，从而确实消除基板上的光致抗蚀剂图案和异物。 构成：在衬底（10）上形成光致抗蚀剂图案（100）。 光照射到基板上，将基板的温度升高到700℃。 灯由卤素灯（200），石英管加热器和陶瓷加热器供电。 光刻胶图案和异物（300）从衬底中去除。
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公开(公告)号：KR1020170128022A
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：KR1020160059119
申请日：2016-05-13
Applicant: 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
Abstract: 실시예는기판, 발광소자, 백라이트유닛및 조명시스템에관한것이다. 실시예에따른상부에요철구조를갖는성장기판과, 성장기판상에요철구조를덮는제1 반도체층및 제1 반도체층상에배치되어 7 페어내지 30 페어교번되는제1 및제2 층을포함하는 2.14 이상의굴절률을갖는반사부를포함하여발광효율및 내부양자효율을향상시킬뿐만아니라신뢰성을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 实施例涉及基板，发光元件，背光单元和照明系统。 第一半导体层，覆盖生长衬底上的凹凸结构;以及第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层， 可以包括具有折射率的反射部分以提高发光效率和内部量子效率以及可靠性。
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公开(公告)号：KR101082457B1
公开(公告)日：2011-11-11
申请号：KR1020100036169
申请日：2010-04-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: 본발명은공정이간단하면서도에피택셜층내에생성된결함을최소화할수 있는에피택셜층을형성하는방법및 이에의해제조된적층구조물에관한것이다. 본발명에따른에피층형성방법은기판상에포토레지스트패턴을형성하는단계와, 포토레지스트패턴을탄화시켜마스크패턴을형성하는단계와, 기판과마스크패턴이함께덮이도록상기기판상에에피택셜층을형성하는단계를갖는다.
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10.发明公开
公开(公告)号：KR1020110040637A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：KR1020100033276
申请日：2010-04-12
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521 , B82B3/00 , H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silicon nano-wire/zinc oxide core/shell nano composite and a solar cell including the nano composite are provided to use the nano composite as the counter electrode of a dye-sensitized solar cell by forming a zinc oxide. CONSTITUTION: A mono-crystalline silicon substrate is undergone ultraviolet/ozone treatment. The substrate is etched using an etching solution. The etching solution is based on the mixture of HF and AgNO_3. The etched substrate is immerged in a HNO_3 solution in order to eliminate silver dendrite from the substrate. A cleaning process and a drying process are implemented to obtain a silicon substrate. Silicon nano-wires are vertically arranged on the silicon substrate. Zinc source is applied to the silicon substrate, and first purging gas is purged on the silicon substrate. Oxygen source is applied to the silicon substrate, and second purging gas is purged on the silicon substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种制造硅纳米线/氧化锌核/壳纳米复合材料的方法和包括该纳米复合材料的太阳能电池，以通过形成氧化锌来使用该纳米复合材料作为染料敏化太阳能电池的对电极 。 构成：单晶硅衬底经过紫外线/臭氧处理。 使用蚀刻溶液蚀刻衬底。 蚀刻溶液基于HF和AgNO_3的混合物。 将蚀刻的基底浸入HNO 3溶液中以从基底中除去银枝晶。 实施清洁处理和干燥处理以获得硅衬底。 硅纳米线垂直排列在硅衬底上。 将锌源施加到硅衬底，并且在硅衬底上吹扫第一吹扫气体。 将氧源施加到硅衬底，并且第二清洗气体在硅衬底上被清除。
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