公开(公告)号：KR20210029674A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：KR1020200108735A

申请日：2020-08-27

Applicant: 고려대학교 산학협력단 ,  국민대학교산학협력단

Inventor： 정상택 ,  고상환 ,  이상민 ,  황보라 ,  나정현

IPC: C07K14/21

CPC classification number: C07K14/21 ,  C07K2319/60

Abstract: 본 발명은 형광 세기가 향상된 플라빈 기반 형광 단백질 변이체에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 플라빈 기반 형광 단백질 변이체를 코딩하는 유전자에 관한 것이다. 본 발명은 산소의 존재 유무 및 농도에 따라 형광세기가 차이가 발생하는 기존의 형광단백질을 이용한 검출 시스템의 한계와 낮은 형광 신호 때문에 사용이 어려운 FMN cofactor를 이용하는 형광단백질들의 한계를 극복할 수 있는 기술로 생명과학 연구, 바이오센서, 바이오칩, 질병진단 등 다양한 생명공학분야에 널리 이용될 수 있다.

公开(公告)号：WO2022225329A1

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：PCT/KR2022/005661

申请日：2022-04-20

Applicant: 고려대학교 산학협력단 ,  에스지메디칼 주식회사

Inventor： 정상택 ,  이지철 ,  민성원 ,  배공득 ,  권형선 ,  이상민

IPC: C07K16/28 ,  A61P35/00 ,  A61K39/00

Abstract: 본 발명은 한쪽은 scFv (Single-chain variable fragment) 및 다른 한쪽은 Fab (Fragment antigen-binding)을 포함하는 항-CD20 비대칭 항체 (asymmetric antibody)에 관한 것이다. 본 발명의 비대칭 항체는 대칭구조의 항체와 비교하여 보체를 효과적으로 활성화하여 현저히 향상된 보체 의존 세포사멸능(Complement Dependent Cytotoxicity, CDC)을 나타내는 바, 효율적인 암 치료제 또는 치료 보조제로 유용하게 이용될 수 있다.

公开(公告)号：KR102210877B1

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：KR1020190120443

申请日：2019-09-30

Applicant: 고려대학교 산학협력단 ,  국민대학교산학협력단

Inventor： 정상택 ,  고상환 ,  이상민 ,  황보라 ,  나정현

IPC: C07K14/415

Abstract: 본발명은 iLOV(flavoprotein improved LOV) 대비형광세기가증가된 iLOV 변이체에관한것이다. 또한, 본발명은 iLOV 변이체의스크리닝방법에관한것이다. 본발명의 iLOV 변이체는기존의 LOV 단백질또는 iLOV 단백질보다형광세기및 양자수율이증가되어산소의존재유무에상관없이목적단백질의발현여부를확인하거나발현된목적단백질을분리정제하는데유용하게활용할수 있다.

公开(公告)号：KR101448688B1

公开(公告)日：2014-10-10

申请号：KR1020130033313

申请日：2013-03-28

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이치우 ,  이상민 ,  사지,비스와나딴

IPC: C25C1/22 ,  C09K9/00 ,  G02F1/15

CPC classification number: Y02P10/234

Abstract: 본 발명은 전해질 수용액에서 전기화학적 방법으로 몰리브데늄 브론즈를 제조하는 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR101438545B1

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：KR1020130032761

申请日：2013-03-27

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이치우 ,  오미경 ,  양점식 ,  채수병 ,  이상민

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01B1/026 ,  B32B15/01 ,  C22C9/00 ,  C22C27/04 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03928 ,  Y02E10/541 ,  Y10T428/12826

Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a copper thin film on a Mo/SUS flexible substrate and, more particularly, to a method for uniformly manufacturing a copper thin film on aMo /SUS flexible substrate for a short time by applying a current. According to the present invention, a copper thin film layer becomes thicker according as the concentration of a copper precursor solution increases or current density increases. The copper precursor is selected from the group consisting of copper sulfate, copper chloride, and copper cyanide.

Abstract translation: 本发明涉及一种在Mo / SUS柔性基板上制造铜薄膜的方法，更具体地说，涉及通过施加电流在短时间内在M / SUS柔性基板上均匀地制造铜薄膜的方法。 根据本发明，随着铜前体溶液的浓度增加或电流密度增加，铜薄膜层变厚。 铜前体选自硫酸铜，氯化铜和氰化铜。

公开(公告)号：KR101170681B1

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：KR1020110066863

申请日：2011-07-06

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이치우 ,  이상민 ,  홍석인 ,  최익호

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/18

CPC classification number: C25D5/50 ,  C25D3/56 ,  C25D7/12 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 전극을 포함하는 기판을 Na
2 SO
4 , 구리(Cu) 수용성 전구체, 인듐(In) 수용성 전구체, 갈륨(Ga) 수용성 전구체 및 셀레늄(Se) 수용성 전구체를 포함하는 전해질 용액에 침지하는 단계; 상기 전해질 용액을 상온, 상압에서 DC로 -0.95V 내지 -0.85V로 전압을 인가하여 10~120분 동안 전착을 수행하여 예비 CIGS 박막을 형성하는 단계; 및 상기 예비 CIGS 박막을 230~270℃에서 열처리하여 CIGS 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020120004352A

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：KR1020110066863

申请日：2011-07-06

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이치우 ,  이상민 ,  홍석인 ,  최익호

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/18

CPC classification number: C25D5/50 ,  C25D3/56 ,  C25D7/12 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a cigs thin film is provided to enlarge the size of a thin film without a vacuum chamber by improving the crystallinity of a CIGS thin film. CONSTITUTION: A substrate is dipped in an electrolyte solution which includes Na2SO4, an indium water soluble precursor, a gallium water soluble precursor, and a selenium water soluble precursor. The substrate includes a molybdenum electrode or a silicon electrode. An auxiliary CIGS thin film is formed by performing the electrodeposition of the electrolyte solution for 10-120 minutes. A CIGS thin film is formed by thermally treating the auxiliary CIGS thin film at 230-270°C.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造起丝薄膜的方法，通过提高CIGS薄膜的结晶度来扩大没有真空室的薄膜的尺寸。 构成：将基底浸入包括Na 2 SO 4，铟水溶性前体，镓水溶性前体和硒水溶性前体的电解质溶液中。 基板包括钼电极或硅电极。 通过电解液的电沉积10-120分钟形成辅助CIGS薄膜。 通过在230-270℃热处理辅助CIGS薄膜形成CIGS薄膜。

公开(公告)号：KR1020140118069A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：KR1020130033313

申请日：2013-03-28

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이치우 ,  이상민 ,  사지,비스와나딴

IPC: C25C1/22 ,  C09K9/00 ,  G02F1/15

CPC classification number: Y02P10/234 ,  C25C1/22 ,  G02F1/15 ,  Y02P10/21

Abstract: The present invention relates to a method for producing molybdenum bronze using an electrochemical method in an electrolyte solution. The method comprises the steps of: applying a voltage in a linear sweep voltammetry (LSV) method (1); applying a voltage in chronoamperometry (CA) method (2); and applying the voltage in the LSV method (3), wherein the step (1) is a method of applying -0.9V to -0.05V of the voltage.

Abstract translation: 本发明涉及使用电解质溶液中的电化学方法生产钼青铜的方法。 该方法包括以下步骤：在线性扫描伏安法（LSV）方法（1）中施加电压; 在计时电流法（CA）方法（2）中施加电压; 以及在所述LSV方法（3）中施加电压，其中所述步骤（1）是将-0.9V至-0.05V的电压施加的方法。