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1.发明公开
公开(公告)号：KR1020100119428A
公开(公告)日：2010-11-09
申请号：KR1020090038534
申请日：2009-04-30
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/792 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42332 , H01L29/42348 , H01L29/7881 , H01L29/517
Abstract: PURPOSE: A charge storage layer, a forming method thereof, a nonvolatile memory device thereof, and a manufacturing method thereof are provided to easily control the density and size of the charge storage layer of a nonvolatile memory device. CONSTITUTION: A tunneling oxide film(11) is formed on the semiconductor substrate. The charge storage layer is discontinuously formed on the tunneling oxide film and includes at least two dissimilar metal nano crystals. A control oxide film(13) is formed on the metal nano crystal of the charge storage layer and the tunneling oxide film. A control gate(14) is formed on the control oxide film.
Abstract translation: 目的：提供一种电荷存储层，其形成方法，其非易失性存储器件及其制造方法，以容易地控制非易失性存储器件的电荷存储层的密度和尺寸。 构成：在半导体衬底上形成隧道氧化膜（11）。 电荷存储层不连续地形成在隧道氧化膜上，并且包括至少两种不同的金属纳米晶体。 在电荷存储层的金属纳米晶体和隧道氧化膜上形成控制氧化膜（13）。 控制栅极（14）形成在控制氧化膜上。
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公开(公告)号：KR100900569B1
公开(公告)日：2009-06-02
申请号：KR1020070030850
申请日：2007-03-29
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/42324 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L29/513
Abstract: 본 발명은 밀도 및 크기를 용이하게 조절할 수 있는 나노 크기의 나노 크리스탈을 고온의 열처리 공정 없이 마이셀을 이용하여 합성하여, 비휘발성 메모리 장치의 플로팅 게이트로 사용할 수 있도록 하는 플로팅 게이트 형성 방법, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방에 관한 것이다.
이러한, 본 발명은 반도체 기판 상에 플로팅 게이트를 형성하는 방법은, 반도체 기판 상에 터널링 산화막을 형성하는 단계와, 상기 터널링 산화막 상에 자기 조립 방식으로 형성되는 나노 구조에 금속염을 합성할 수 있는 선구 물질이 도입된 마이셀 템플릿을 포함하는 게이트 형성 용액을 코팅하는 단계와, 상기 반도체 기판 상의 상기 마이셀 템플릿을 제거하여 상기 터널링 산화막 상에 상기 금속염을 배열시켜 상기 플로팅 게이트를 형성하는 단계를 포함한다.
비휘발성 메모리, 플로팅 게이트, 마이셀 중합체, 나노 크리스탈, 자기 조립-
3.发明授权
公开(公告)号：KR101155108B1
公开(公告)日：2012-06-11
申请号：KR1020090038534
申请日：2009-04-30
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/792 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42332 , H01L29/42348 , H01L29/7881
Abstract: Provided is a charge trapping layer which has excellent memory characteristics, a method of forming the charge trapping layer, a nonvolatile memory device using the charge trapping layer, and a method of fabricating the nonvolatile memory device, in which a hybrid nanoparticle which is obtained by mixing a nanoparticle having an excellent programming characteristic with a nanoparticle having an excellent erasing characteristic is used as the charge trapping layer. The charge trapping layer for use in the nanoparticle is discontinuously formed between a tunneling oxide film and a control oxide film, and includes at least two different kinds of numerous nanoparticles.
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公开(公告)号：KR1020080088214A
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：KR1020070030850
申请日：2007-03-29
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/42324 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L29/513 , H01L29/66825
Abstract: A method for forming a floating gate, a non-volatile memory device, and a manufacturing thereof are provided to prevent a property change of layer quality due to a high-temperature heat treatment process by forming a nano crystal with a micell. A tunneling oxide layer(11) is formed on an upper surface of a semiconductor substrate(10). A nano structure is formed on the tunneling oxide layer by using a self-assembly method. A gate forming solution including a micell template is coated on the nano structure. A precursor material for synthesizing metal salt is introduced into the nano structure. A floating gate is formed by arranging the metal salt on the tunneling oxide layer by removing the micell template on the semiconductor substrate.
Abstract translation: 提供一种用于形成浮动栅极，非易失性存储器件及其制造的方法，以通过用胶束形成纳米晶体来防止由于高温热处理工艺引起的层质量的性质变化。 隧道氧化物层（11）形成在半导体衬底（10）的上表面上。 通过使用自组装方法在隧道氧化物层上形成纳米结构。 包含胶束模板的浇口形成溶液涂覆在纳米结构上。 将用于合成金属盐的前体材料引入纳米结构。 通过去除半导体衬底上的胶束模板，将金属盐布置在隧道氧化物层上形成浮栅。
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