公开(公告)号：KR101885996B1

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：KR1020170049864

申请日：2017-04-18

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 최성진 ,  한정민 ,  최봉식 ,  윤진수 ,  이주희 ,  전민수 ,  이용우

IPC: H01H11/00 ,  H01H1/00

CPC classification number: H01H11/00 ,  H01H1/0036 ,  H01H2237/004

Abstract: 본발명은 MEMS 칸틸레버스위치에관한것으로, 보다상세하게는 3-D 프린터로제작되는 MEMS 칸틸레버스위치및 그제조방법에관한것이다. 이를위해, 기판(10)을준비하는단계(S100); 기판(10)상에 3-D 프린터를이용하여풀다운전극(20)을형성하는단계(S110); 3-D 프린터를이용하여풀다운전극(20)의상면및 적어도일측에희생층(30)을형성하는단계(S130); 3-D 프린터를이용하여희생층(30)의상면및 적어도일측에상부전극(40)을형성하는단계(S150); 및희생층을제거하는단계(S170);로구성되는것을특징으로하는 3-D 프린터로제작되는 MEMS 칸틸레버스위치의제조방법이제공된다.

公开(公告)号：KR102077123B1

公开(公告)日：2020-02-13

申请号：KR1020180005782

申请日：2018-01-16

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 최성진 ,  김동명 ,  김대환 ,  이용우 ,  윤진수 ,  최봉식 ,  이희성 ,  한정민 ,  박진희 ,  김예민

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66

公开(公告)号：KR101978564B1

公开(公告)日：2019-05-15

申请号：KR1020170101273

申请日：2017-08-09

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 최성진 ,  김동명 ,  김대환 ,  윤진수 ,  최봉식 ,  전민수 ,  이용우 ,  한정민 ,  이지은 ,  김예민 ,  박진희

IPC: H01L41/27 ,  G01L1/00 ,  B33Y80/00 ,  C09D183/04

公开(公告)号：KR102015570B1

公开(公告)日：2019-08-28

申请号：KR1020180005784

申请日：2018-01-16

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 최성진 ,  최봉식 ,  윤진수 ,  이용우 ,  박진희 ,  김예민 ,  김동명 ,  김대환

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L51/00

公开(公告)号：KR101906005B1

公开(公告)日：2018-10-10

申请号：KR1020160160482

申请日：2016-11-29

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 최성진 ,  최봉식 ,  윤진수 ,  이주희 ,  전민수 ,  이용우 ,  한정민

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L21/84 ,  H01L29/06 ,  H01L21/324

Abstract: 본발명은종이기판상에제작된소멸가능트랜지스터전자장치및 그제조방법에대한것이다. 보다상세하게는트랜지스터전자장치에있어서, 니트로셀룰로오스종이기판; 상기니트로셀룰로오스종이기판의일측면에내장되도록구비되는히터; 및상기니트로셀룰로오스종이기판의타측면에구비되는 CNT 트랜지스터;를포함하고, 필요에따라상기히터에전압이인가되면연소되어소멸되는것을특징으로하는종이기판상에제작된소멸가능트랜지스터전자장치에관한것이다.

公开(公告)号：KR20180061534A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：KR20160160482

申请日：2016-11-29

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 최성진 ,  최봉식 ,  윤진수 ,  이주희 ,  전민수 ,  이용우 ,  한정민

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/324 ,  H01L21/84 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/4232 ,  H01L21/324 ,  H01L21/84 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/41725

Abstract: 본발명은종이기판상에제작된소멸가능트랜지스터및 그제조방법에대한것이다. 보다상세하게는트랜지스터에있어서, 니트로셀룰로오스종이기판; 상기니트로셀룰로오스종이기판의일측면에내장되도록구비되는히터; 및상기니트로셀룰로오스종이기판의타측면에구비되는 CNT 트랜지스터;를포함하고, 필요에따라상기히터에전압이인가되면연소되어소멸되는것을특징으로하는종이기판상에제작된소멸가능트랜지스터에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020170041324A

公开(公告)日：2017-04-17

申请号：KR1020150140427

申请日：2015-10-06

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 최성진 ,  김동명 ,  김대환 ,  최봉식 ,  윤진수 ,  이주희 ,  전민수

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L51/00

Abstract: 본발명은고밀도탄소나노튜브네트워크박막트랜지스터및 나노메시공정에관한것이다. 본발명의일 양상인탄소나노튜브박막트랜지스터는, 기판; 상기기판상부에형성되며, 탄소나노튜브네트워크박막으로이루어진채널층; 상기채널층상부에형성되는소오스/드레인전극; 상기소오스/드레인전극상부에형성되는절연층; 및상기절연층상부에형성되는게이트전극을포함하고, 상기탄소나노튜브네트워크박막의적어도일부가구멍이뚫려있는메쉬(mesh) 구조일수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及高密度碳纳米管网络薄膜晶体管和纳米网格工艺。 本发明的一个方面是一种碳纳米管薄膜晶体管，包括：衬底; 形成在所述基板上的沟道层，所述沟道层包括碳纳米管网络薄膜; 形成在沟道层上的源极/漏极电极; 形成在源极/漏极上的绝缘层; 以及形成在绝缘层上的栅电极，碳纳​​米管网络薄膜可以具有网状结构，其中碳纳米管网状薄膜的至少一部分被穿孔。