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公开(公告)号：KR101885996B1
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：KR1020170049864
申请日：2017-04-18
Applicant: 국민대학교산학협력단
CPC classification number: H01H11/00 , H01H1/0036 , H01H2237/004
Abstract: 본발명은 MEMS 칸틸레버스위치에관한것으로, 보다상세하게는 3-D 프린터로제작되는 MEMS 칸틸레버스위치및 그제조방법에관한것이다. 이를위해, 기판(10)을준비하는단계(S100); 기판(10)상에 3-D 프린터를이용하여풀다운전극(20)을형성하는단계(S110); 3-D 프린터를이용하여풀다운전극(20)의상면및 적어도일측에희생층(30)을형성하는단계(S130); 3-D 프린터를이용하여희생층(30)의상면및 적어도일측에상부전극(40)을형성하는단계(S150); 및희생층을제거하는단계(S170);로구성되는것을특징으로하는 3-D 프린터로제작되는 MEMS 칸틸레버스위치의제조방법이제공된다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101906005B1
公开(公告)日：2018-10-10
申请号：KR1020160160482
申请日：2016-11-29
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L29/423 , H01L29/417 , H01L21/84 , H01L29/06 , H01L21/324
Abstract: 본발명은종이기판상에제작된소멸가능트랜지스터전자장치및 그제조방법에대한것이다. 보다상세하게는트랜지스터전자장치에있어서, 니트로셀룰로오스종이기판; 상기니트로셀룰로오스종이기판의일측면에내장되도록구비되는히터; 및상기니트로셀룰로오스종이기판의타측면에구비되는 CNT 트랜지스터;를포함하고, 필요에따라상기히터에전압이인가되면연소되어소멸되는것을특징으로하는종이기판상에제작된소멸가능트랜지스터전자장치에관한것이다.
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公开(公告)号：KR20180061534A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：KR20160160482
申请日：2016-11-29
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L29/423 , H01L21/324 , H01L21/84 , H01L29/06 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/4232 , H01L21/324 , H01L21/84 , H01L29/0669 , H01L29/41725
Abstract: 본발명은종이기판상에제작된소멸가능트랜지스터및 그제조방법에대한것이다. 보다상세하게는트랜지스터에있어서, 니트로셀룰로오스종이기판; 상기니트로셀룰로오스종이기판의일측면에내장되도록구비되는히터; 및상기니트로셀룰로오스종이기판의타측면에구비되는 CNT 트랜지스터;를포함하고, 필요에따라상기히터에전압이인가되면연소되어소멸되는것을특징으로하는종이기판상에제작된소멸가능트랜지스터에관한것이다.
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