公开(公告)号：KR100260587B1

公开(公告)日：2000-08-01

申请号：KR1019940012311

申请日：1994-06-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  동경 엘렉트론 에이티 주식회사

Inventor： 고야마시로 ,  이시카와겐지 ,  고미노미쓰아키 ,  가자마고이치 ,  와타나베마사히데 ,  구보다마사미

IPC: H01L21/302

CPC classification number: G03F7/707 ,  G03F7/70708 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H02N13/00

Abstract: 본 발명의 정전척은 도전막과, 이 도전막을 피복하고, 서셉터상에 부착된 절연피복과, 이 절연피복에 정전인력을 발생시키기 위하여, 상기 도전막에 전압을 인가하는 급전회로를 구비하고, 상기 급전회로는 상기 절연피복의 일부와 치환되고, 상기 도전막에 도통하는 도체와, 서셉터의 표면쪽으로부터 배면쪽까지 관통하여 설치되고, 그 한쪽끝단부가 상기 도체에 도통하는 제1급전핀과, 이 제1급전핀을 서셉터로부터 절연하는 절연부재와, 그 한쪽끝단부가 상기 제1급전핀의 다른끝단부에 눌러붙여져 제1급전핀에 도통하는 제2급전핀과, 이 제2급전핀에 도통하는 전원을 가진다.

公开(公告)号：KR101997009416B1

公开(公告)日：2001-06-01

申请号：KR1019940001585

申请日：1994-01-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데구치요이치 ,  가와카미사토루 ,  우에다요이치 ,  고미노미쓰아키

IPC: H05H1/00

公开(公告)号：KR100290748B1

公开(公告)日：2001-03-06

申请号：KR1019940001585

申请日：1994-01-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데구치요이치 ,  가와카미사토루 ,  우에다요이치 ,  고미노미쓰아키

IPC: H05H1/00

公开(公告)号：KR100277281B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019950006681

申请日：1995-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미노미쓰아키 ,  기타무라마사유키 ,  아오키마코토

IPC: H01L21/205

Abstract: 처리장치는, 반도체 웨이퍼가 수용됨과 동시에 가스공급 및 배기가능한 처리실과, 처리실내에 수용되는 피처리체를 얹어놓는 얹어놓는대와, 처리실내에 가스를 공급하는 가스 공급계와, 처리실내를 배기하기 위한 배기계를 가지고 있다. 처리실의 내벽 및 재치대는 알루미늄계 재료로 형성되어 있고, 이들의 표면에 불소함유가스를 접촉시키므로써, 그들의 표면에 AlF
3 코팅이 형성된다.

公开(公告)号：KR1019950001928A

公开(公告)日：1995-01-04

申请号：KR1019940012311

申请日：1994-06-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  동경 엘렉트론 에이티 주식회사

Inventor： 고야마시로 ,  이시카와겐지 ,  고미노미쓰아키 ,  가자마고이치 ,  와타나베마사히데 ,  구보다마사미

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명의 정전척은 도전막과, 이 도전막을 피복하고, 서셉터상에 부착된 절연피복과, 이 절연피복에 정전인력을 발생시키기 위하여, 상기 도전막에 전압을 인가하는 급전회로를 구비하고, 상기 급전회로는 상기 절연피복의 일부와 치환되고, 상기 도전막에 도통하는 도체와, 서셉터의 표면쪽으로부터 배면쪽까지 관통하여 설치되고, 그 한쪽끝단부가 상기 도체에 도통하는 제1급전핀과, 이 제1급전핀을 서셉터로부터 절연하는 절연부재와, 그 한쪽끝단부가 상기 제1급전핀의 다른끝단부에 눌러붙여져 제1급전핀에 도통하는 제2급전핀과, 이 제2급전핀에 도통하는 전원을 가진다.

公开(公告)号：KR100238629B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019930028254

申请日：1993-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  동경 엘렉트론 에이티 주식회사

Inventor： 이시카와겐지 ,  고미노미쓰아키 ,  이와타데루오 ,  미쓰이다다시 ,  아리이이즈미 ,  다하라요시후미

IPC: H01L21/306

CPC classification number: C23C16/466 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/6831

Abstract: 반도체 웨이퍼의 플라즈마 에칭장치는 진공처리실내에 설치된 서셉터를 구비한다. 서셉터의 재치면에 열전달 가스를 통하기 위한 홈이 형성된다. 홈은 재치면의 외연에 따라 형성된 환형상홈을 구비하고, 여기에 서셉터을 수직으로 관통하는 가스 통로가 접속된다. 홈을 덮도록 기밀한 상태에서 시일형상의 정전척이 서셉터의 재치면에 첩착된다. 정정척에는 복수의 관통구명이 형성되고, 이들은 홈에 따라 또 그 바로위에 설치된다. 가스통로, 홈 및 관통구멍을 통하여 종존척과 반도체 웨이퍼와의 사이에 열전달가스가 도입된다. 열전달가스는 서셉터 하부에 설치된 액체질소원으로 부터 내열을 웨이퍼에 전달하는 것에 기여한다.

公开(公告)号：KR1019980012065A

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR1019970033443

申请日：1997-07-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미노미쓰아키 ,  아라미주니치 ,  야쓰다고이치

IPC: H01L21/306

公开(公告)号：KR1019950034505A

公开(公告)日：1995-12-28

申请号：KR1019950006681

申请日：1995-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미노미쓰아키 ,  기타무라마사유키 ,  아오키마코토

IPC: H01L21/205

Abstract: 처리장치는, 반도체 웨이퍼가 수용됨과 동시에 가스공급 및 배기가능한 처리실과, 처리실내에 수용되는 피처리체를 얹어놓은 얹어놓은대와, 처리실내에 가스를 공급하는 가스 공급계와, 처리실내를 배기하기 위한 배기계를 가지고 있다. 처리실의 내벽 및 재치대는 알루미늄계 재료로 형성되어 있고, 이들의 표면에 불소함유가스를 접촉시키므로써, 그들의 표면에 A1F
3 코팅이 형성된다.

公开(公告)号：KR1019940016554A

公开(公告)日：1994-07-23

申请号：KR1019930028254

申请日：1993-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  동경 엘렉트론 에이티 주식회사

Inventor： 이시카와겐지 ,  고미노미쓰아키 ,  이와타데루오 ,  미쓰이다다시 ,  아리이이즈미 ,  다하라요시후미

IPC: H01L21/306

Abstract: 반도체 웨이퍼의 플라스마 에칭장치는 진공처리실내에 설치된 서셉터를 구비한다. 서셉터의 재치면에 열전달 가스를 통하기 위한 홈이 형성된다. 홈은 재치면의 외연에 따라 형성된 환형상홈을 구비하고, 여기에 서셉터를 수직으로 관통하는 가스 통로가 접속된다. 홈을 덮도록 기밀한 상태에서 시일형상의 정전척이 서셉터의 재치면에 첩착된다. 정정척에는 복수의 관통구멍이 형성되고, 이들은 홈에 따라 또 그 바로위에 설치된다. 가스통로, 홈 및 관통구멍을 통하여 종존척과 반도체 웨이퍼와의 사이에 열전달가스가 도입된다.
열전달가스는 서셉터 하부에 설치된 액체 질소원으로 부터 냉열을 웨이퍼에 전달하는 것에 기여한다.

公开(公告)号：KR100392549B1

公开(公告)日：2003-12-18

申请号：KR1019970033443

申请日：1997-07-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미노미쓰아키 ,  아라미주니치 ,  야쓰다고이치

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32834

Abstract: A plasma etching apparatus (100) has a central processing chamber (101), an upper exhaust chamber (103) thereabove, and a lower exhaust chamber (105) therebelow. The processing chamber (101), the upper exhaust chamber (103), and the lower exhaust chamber (105) are airtightly formed by a central casing part (CC), an upper casing part (UC), and a lower casing part (LC) which are separably combined. The upper and lower exhaust chambers (103, 105) are respectively connected to upper and lower exhaust pumps (124, 132). A susceptor (114) having a support surface (114a) for supporting a target object (W), and an upper electrode or shower head (102) opposing it are arranged in the processing chamber (101). A processing gas spouted through the shower head (102) flows upward and downward toward the upper and lower exhaust chambers (103, 105) via the processing chamber (101).

Abstract translation: 等离子体蚀刻设备（100）具有中央处理室（101），其上的上排气室（103）和位于其下方的下排气室（105）。 处理室101，上排气室103和下排气室105由中央壳体部分CC，上壳体部分UC和下壳体部分LC气密地形成。 ），它们可分开组合。 上部和下部排气室（103,105）分别连接到上部和下部排气泵（124,132）。 在处理室（101）内配置有具有用于支撑被处理体（W）的支撑面（114a）的基座（114）和与其相对的上部电极或喷头（102）。 通过喷淋头102喷出的处理气体经由处理室101向上下方向上下排气室103,105流动。 ＆lt;图像＆GT;