公开(公告)号：KR100277281B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019950006681

申请日：1995-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미노미쓰아키 ,  기타무라마사유키 ,  아오키마코토

IPC: H01L21/205

Abstract: 처리장치는, 반도체 웨이퍼가 수용됨과 동시에 가스공급 및 배기가능한 처리실과, 처리실내에 수용되는 피처리체를 얹어놓는 얹어놓는대와, 처리실내에 가스를 공급하는 가스 공급계와, 처리실내를 배기하기 위한 배기계를 가지고 있다. 처리실의 내벽 및 재치대는 알루미늄계 재료로 형성되어 있고, 이들의 표면에 불소함유가스를 접촉시키므로써, 그들의 표면에 AlF
3 코팅이 형성된다.

公开(公告)号：KR100516844B1

公开(公告)日：2005-09-26

申请号：KR1020037009599

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토요시히로 ,  고토다다시 ,  요시타카히카루 ,  아오키마코토

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  H01J37/3244

Abstract: A first channel 30 is formed in the side of a first diffusion plate 21 which is on that side of a gas inlet tube 27 and a recess 32 is formed in the side which is on that side of an electrode plate 19. The first channel 30 and the recess 32 communicate with each other through a plurality of inlet ports 31. The first channel 30 and the inlet ports 31 form a gas flow passage L which leads to the recess 32 from the gas inlet tube 27. As a process gas supplied from the gas inlet tube 27 passes through the gas flow passage L, it is supplied, dispersed, to a hollow portion formed between the recess 32 and the electrode plate 19.

公开(公告)号：KR1020030083729A

公开(公告)日：2003-10-30

申请号：KR1020037011849

申请日：2002-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오키마코토 ,  요시타카히카루 ,  가토요시히로 ,  아시가키시게오 ,  아베쇼이치

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32633

Abstract: 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 배플판(28)을 챔버(2)의 천정(2b)과 측벽(2a)의 사이에 삽입하여 설치한다. 배플판(28)은 챔버(2)의 상부에 플라즈마를 밀폐시키는 동시에, 고주파 전원(27)으로의 리턴 전류의 리턴 경로를 구성한다. 배플판(28)을 흐르는 리턴 전류는 챔버(2)의 천정(2b)을 거쳐 고주파 전원(27)으로 되돌아간다.

公开(公告)号：KR1020030071836A

公开(公告)日：2003-09-06

申请号：KR1020037009599

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토요시히로 ,  고토다다시 ,  요시타카히카루 ,  아오키마코토

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  H01J37/3244

Abstract: 제 1 확산판(21)의 가스 도입관(27)측의 면에 제 1 채널(30)을, 전극판(19)측의 면에 오목부(32)를 형성한다. 제 1 채널(30)과 오목부(32)는 복수의 관통구(31)에 의해 연통하고 있다. 제 1 채널(30)과 관통구(31)는 가스 도입관(27)으로부터 오목부(32)로 통하는 가스 유로(L)를 형성한다. 가스 도입관(27)으로부터 공급되는 처리 가스는 가스 유로(L)를 통과함으로써, 오목부(32)와 전극판(19)의 사이에 형성되는 중공부로 확산하여 공급된다.

公开(公告)号：KR1019950034505A

公开(公告)日：1995-12-28

申请号：KR1019950006681

申请日：1995-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미노미쓰아키 ,  기타무라마사유키 ,  아오키마코토

IPC: H01L21/205

Abstract: 처리장치는, 반도체 웨이퍼가 수용됨과 동시에 가스공급 및 배기가능한 처리실과, 처리실내에 수용되는 피처리체를 얹어놓은 얹어놓은대와, 처리실내에 가스를 공급하는 가스 공급계와, 처리실내를 배기하기 위한 배기계를 가지고 있다. 처리실의 내벽 및 재치대는 알루미늄계 재료로 형성되어 있고, 이들의 표면에 불소함유가스를 접촉시키므로써, 그들의 표면에 A1F
3 코팅이 형성된다.

公开(公告)号：KR100345420B1

公开(公告)日：2002-11-21

申请号：KR1019960020284

申请日：1996-06-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아끼라 ,  오가사와라마사히로 ,  히로세게이조 ,  나가세끼가즈야 ,  도모요리리끼 ,  아오키마코토

IPC: H01L21/3065

Abstract: 하부전극이 되는 서셉터(6)의 주위에 하측 절연부재(13)를 설치히여, 상부전극(21)의 주위에는 상측 절연부재(31)를 설치한다. 상측 절연부재(31)의 바깥쪽 단부(31a)는 하측 절연부재(13)의 바깥쪽으로써, 웨이퍼(W)의 상면보다도 아래쪽에 위치한다. 하측 절연부재(13)와 위쪽 절연부재(31)사이에 가장 좁은 간격(L)은, 전극간의 갭(G)보다도 좁게 한다. 전극간에 발생한 플라즈마의 확산이 억제되어, 그대로 옆쪽으로 확산하는 일은 없으므로, 처리용기(3) 내측벽이 스퍼터링되지 않는다.

公开(公告)号：KR1019970003610A

公开(公告)日：1997-01-28

申请号：KR1019960020284

申请日：1996-06-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아끼라 ,  오가사와라마사히로 ,  히로세게이조 ,  나가세끼가즈야 ,  도모요리리끼 ,  아오키마코토

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32633 ,  H01J2237/022 ,  Y10S156/915

Abstract: 하부전극이 되는 서셉터(6)의 주위에 하측 절연부재(13)를 설치하여, 상부전극(21)의 주위에는 상측 절연부재(31)를 설치한다. 상측 절연부재(31)와 바깥쪽 단부(31a)는 하측 절연부재(13)의 바깥쪽으로서, 웨이퍼(W)의 상면보다도 아래쪽에 위치한다. 하측 절연부재(13)와 위쪽 절연부재(31) 사이에 가장 좁은 간격(L)은, 전극 간의 갭(G)보다도 좁게 한다. 전극간에 발생한 플라즈마의 확산이 억제되어, 그대로 옆쪽으로 확산하는 일은 없으므로, 처리용기(3) 내측벽이 스퍼터링되지 않는다.