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公开(公告)号：KR100238626B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019930014453
申请日：1993-07-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31
Abstract: 플라즈마 에칭장치는, 알루미늄제 처리용기에 배열설치된 웨이퍼 얹어 놓는대를 구비한다.
얹어놓는대는, 알루미늄제의 서셉터, 히터고정틀, 및 냉각블록을 이루고, 히터고정틀에는 세라믹이 장착된다.
냉각블록에는, 액체질소를 수납하는 보어가 형성된다. 냉각블록의 냉열이, 서셉터 상의 웨이퍼에 전달되고, 에칭 중에 웨이퍼가 냉각된다.
세라믹히터는, 웨이퍼의 냉각온도를 조정한다. 액체질소는 처리용기의 저부와 냉각블로을 접속하는 한 쌍의 조인트장치에 의하여 규정된 냉매통로를 통하여, 보어 내를 순환한다.
조인트장치는, 냉각블록에 고정되는 도전성의 상부커넥터와, 용기저부에 고정되는 도전성의 하부커넥터와, 양 커넥터를 절연 또 단열상태에서 접합하는 절연성이며 단열성의 링을 구비한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100238625B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019940001040
申请日：1994-01-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/18
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32045 , H01J37/321
Abstract: 본 발명은, 처리실내에 설치된 처리가스를 공급하는 가스 공급부를 가지는 상부전극과, 냉각수단을 가지고 피처리체를 상부전극과 대향하도록 올려놓는 하부전극과의 사이에, 고주파전력을 공급하여 처리가스를 플라즈마화하고, 이 플라즈마에 의해 피처리체를 처리하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 하부전극에 전기적으로 접속되고, 상기 처리실 밖으로 연장설치되어 고주파전력을 공급하는 고주파전원에 접속되는 플라즈마 처리장치에 사용하는 고주파급전수단으로서, 상기 하부전극과 상기 고주파 전원을 잇는 급전선과, 상기 급전선의 외측에 설치된 내부 도체부재와, 상기 내부 도체부재의 외측에 고정부재를 통하여 설치된 외부 도체부재로 구성되어 있고, 상기 고정부재의 표면이 요철부를 가지고 있는 고주파급전수단을 제공한다.
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