公开(公告)号：KR1020160140423A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：KR1020160063384

申请日：2016-05-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  미요시히데노리 ,  오카마사히로 ,  나카무리겐지 ,  고바야시유키 ,  스기모토야스히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32293 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/324 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3245 ,  H01L21/76826 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H05H1/46

Abstract: 본발명은게르마늄또는 III-V족을포함하는피처리기판을이용하여고품질의 PN 접합을수반하는반도체소자를제조하는것을목적으로한다. 피처리기판에도펀트를주입하여반도체소자를제조하는방법이다. 마이크로파를이용하여처리용기내에고주파플라즈마를발생시킨다. 발생시킨고주파플라즈마를이용하여, 처리용기내의유지대에유지된게르마늄을포함하는피처리기판에대해플라즈마도핑처리를행한다.

Abstract translation: 公开了一种通过将掺杂剂注入到待处理的基板上来制造半导体元件的方法。 通过使用微波在处理容器内产生高频等离子体。 通过使用所生成的高频等离子体，对保持在处理容器内的保持台上的含锗被处理基板进行等离子体掺杂处理。