公开(公告)号：KR1020170095887A

公开(公告)日：2017-08-23

申请号：KR1020177017101

申请日：2015-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  오카마사히로 ,  고바야시유우키 ,  스기모토야스히로

IPC: H01L21/22 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/335 ,  H01J2237/3365 ,  H01L21/02057 ,  H01L29/66803 ,  H01L21/22 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/265 ,  H01L29/785

Abstract: 피처리기판에도펀트를주입하여도핑을행하는도핑방법이다. 상기도핑방법에따르면, 플라즈마도핑처리시에공급하는바이어스전력의값을, 플라즈마도핑후에실시하는세정처리를전제로한 소정값으로설정하여, 마이크로파를이용하여처리용기내에플라즈마를발생시킴으로써처리용기내의유지대에유지된피처리기판에대하여플라즈마도핑처리를행한다.

Abstract translation: 并且通过将掺杂剂注入到待处理的衬底中来执行掺杂。 根据掺杂法，偏置功率的值，以通过设置预定的值被提供给等离子体掺杂处理，以在假设等离子体掺杂之后执行清洗过程时，在处理室中，从而生成所述处理容器使用微波范围内的等离子 并且，对保持在保持台上的被处理基板实施等离子体掺杂处理。

公开(公告)号：KR1020150077367A

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：KR1020140190968

申请日：2014-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  오카마사히로 ,  스기모토야스히로 ,  호리고메마사히로 ,  고바야시유우키

IPC: H01L21/265 ,  H05H1/46 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32412 ,  H01L29/66803

Abstract: 플라즈마도핑방법은, 피처리기판에도펀트를주입하여도핑을행하는플라즈마도핑방법이다. 플라즈마도핑방법은, 실시형태의일례에있어서, 마이크로파를이용하여처리용기내에플라즈마를발생시킴으로써, 처리용기내의유지대에유지된피처리기판에대하여플라즈마도핑처리를행하는플라즈마도핑처리공정을포함한다. 또한, 플라즈마도핑방법은, 실시형태의일례에있어서, 플라즈마도핑처리가행해진피처리기판에대하여어닐링처리를행하는어닐링처리공정을포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件的掺杂方法，掺杂装置和制造方法。 等离子体掺杂法通过将掺杂剂插入未处理衬底来进行掺杂。 等离子体掺杂方法包括等离子体掺杂工艺，以通过在一个实施例中通过使用微波在等离子体内在处理容器内产生等离子体来对保持在处理容器内的维持台上的未处理衬底进行等离子体掺杂。 此外，等离子体掺杂方法包括对在其中在一个实施例中执行等离子体掺杂工艺的未处理衬底执行取消处理的废止处理过程。

公开(公告)号：KR1020160140423A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：KR1020160063384

申请日：2016-05-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  미요시히데노리 ,  오카마사히로 ,  나카무리겐지 ,  고바야시유키 ,  스기모토야스히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32293 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/324 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3245 ,  H01L21/76826 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H05H1/46

Abstract: 본발명은게르마늄또는 III-V족을포함하는피처리기판을이용하여고품질의 PN 접합을수반하는반도체소자를제조하는것을목적으로한다. 피처리기판에도펀트를주입하여반도체소자를제조하는방법이다. 마이크로파를이용하여처리용기내에고주파플라즈마를발생시킨다. 발생시킨고주파플라즈마를이용하여, 처리용기내의유지대에유지된게르마늄을포함하는피처리기판에대해플라즈마도핑처리를행한다.

Abstract translation: 公开了一种通过将掺杂剂注入到待处理的基板上来制造半导体元件的方法。 通过使用微波在处理容器内产生高频等离子体。 通过使用所生成的高频等离子体，对保持在处理容器内的保持台上的含锗被处理基板进行等离子体掺杂处理。

公开(公告)号：KR1020160078880A

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：KR1020150179284

申请日：2015-12-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  오카마사히로 ,  고바야시유우키 ,  스기모토야스히로

IPC: H01L21/223 ,  H01L21/265 ,  H01J37/32 ,  H01L21/225 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L21/2256

Abstract: 본발명은도핑직후에피처리기판의열처리를할 수없는경우라도, 컨포멀도핑을실현하는것을그 과제로한다. 본발명에따른도핑방법은피처리기판에도펀트를주입하여도핑을행하는도핑방법이다. 우선, 산화막형성공정에있어서, 도핑처리를실시하기전에, 피처리기판상에산화막을형성한다. 그리고, 피처리기판상에산화막을형성한후에, 해당산화막의위로부터플라즈마도핑처리를행한다.

Abstract translation: 本发明的目的是进行适形掺杂，即使在掺杂后不能立即对待处理的基板进行热处理。 根据本发明，掺杂方法通过将掺杂剂注入待处理的基板来进行掺杂。 首先，在氧化膜形成工序中，在掺杂处理前的基板上形成氧化膜。 此外，在待处理的基板上形成氧化膜之后，从相应的氧化膜的顶部进行等离子体掺杂处理。