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公开(公告)号：KR1020100069601A
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：KR1020090124258
申请日：2009-12-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/6708 , B08B7/0042 , B23K26/0006 , B23K26/0066 , B23K26/0823 , B23K26/12 , B23K26/127 , B23K26/14 , B23K26/16 , B23K2201/40 , B23K2203/56 , H01L21/67115 , H01L21/67742 , H01L21/681
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for removing foreign materials, and a storage medium are provided to improve heating control by heating a wanted part of the surface of a substrate through the radiation of laser by a laser beam radiation unit. CONSTITUTION: A mounting unit mounts a substrate(W). A laser beam radiation unit(34) removes foreign materials on the surface of the substrate by radiating a laser beam for cleaning the foreign materials on the substrate mounted on the mounting unit. The laser beam with a long radiation cross section is radiated on the surface of the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于去除异物的装置和方法，以及存储介质，以通过激光束辐射单元通过激光辐射加热衬底的所需部分来改善加热控制。 构成：安装单元安装基板（W）。 激光束辐射单元（34）通过辐射用于清洁安装在安装单元上的基板上的异物的激光束来去除衬底表面上的异物。 具有较长辐射截面的激光束辐射在基板的表面上。
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公开(公告)号：KR100242529B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019930026459
申请日：1993-12-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6831 , C23C16/4586 , H01L21/6833
Abstract: 반도체 웨이퍼의 플라즈마 에칭장치는, 진공처리실 내에 배설된 서셉터를 구비한다. 서셉터에는 웨이퍼를 흡착유지하기 위한 정전척이 배설된다. 정전척은 서셉터상에 절연층을 통하여 배설된 척전극을 구비한다. 척전극은 스위치를 통하여 직류전원의 정극에 접속된다. 척전극은 저항층에 의하여 피복되며, 웨이퍼는 이 위에 직접 재치된다. 저항층은, 에칭시의 온도범위에서 1×10
10 Ωㆍ㎝ ~ 1×10
12 Ωㆍ㎝ 의 비저항을 가진다. 또, 저항층은, 중심선 평균 거칠기가, 0.1~1.5㎛의 범위로 되는 표면 거칠기를 가지도록 설정된다. 척전극에 직류전원의 정극의 전위가 부여되며, 또 웨이퍼가 플라즈마를 통하여 접지되면, 저항층의 표면과 웨이퍼의 이면과의 사이에 접촉전위차가 생기고, 이 정전인력에 의하여 웨이퍼가 저항층에 흡착유지된다.-
公开(公告)号：KR101211079B1
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：KR1020100109723
申请日：2010-11-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/677
CPC classification number: B08B6/00 , H01L21/67028 , H01L21/67742 , H01L21/6833
Abstract: 반송암에부착되어있는오염물을제거하는기판처리장치의세정방법을제공한다. 기판의반송을행하기위한정전척을가지는반송암의세정방법으로서, 상기반송암에대전된이물이부착되어있는경우에, 상기반송암에상기기판이재치되어있지않은상태로상기정전척의전극의각각에대전된이물의전하의극성과동일한극성의전압을인가하는전압인가공정을가지고, 상기반송암에부착되어있는이물을제거하는것을특징으로하는반송암의세정방법을제공함으로써상기과제를해결한다.
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公开(公告)号：KR1020110018843A
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：KR1020100079326
申请日：2010-08-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/31138 , H01L21/0209 , H01L21/67069
Abstract: PURPOSE: A device and a method for removing polymer are provided to suppress particles by not rotating a substrate. CONSTITUTION: A process container(11) receives a substrate with edges to which polymer is circularly attached. The substrate is mounted on a mounting stand(12). A laser radiating unit radiates a ring type laser beam to the polymer circularly attached to the substrate. An ozone gas supply device supplies ozone gas to the polymer circularly attached to the substrate. An exhaust device(23,24) exhausts ozone gas.
Abstract translation: 目的：提供一种除去聚合物的装置和方法，以通过不旋转基底来抑制颗粒。 构成：处理容器（11）接收具有圆形附着聚合物边缘的基底。 基板安装在安装台（12）上。 激光辐射单元将环形激光束辐射到环绕着基片的聚合物上。 臭氧气体供给装置向循环地附接到基板的聚合物供给臭氧气体。 排气装置（23,24）排出臭氧气体。
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公开(公告)号：KR1020150141140A
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：KR1020150077913
申请日：2015-06-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 곤도마사키
IPC: H01L21/3065 , H01L21/268 , H01L21/67 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67253 , B23K26/0626 , B23K26/361 , B23K26/362 , H01L21/02087 , H01L21/6708 , H01L21/67115 , H01L22/00
Abstract: 본발명은기판의베벨부에조사되기전의레이저광을모니터해, 레이저광의출력값의변동을검출하는것을목적으로한다. 레이저제너레이터와, 상기레이저제너레이터로부터출력된레이저광을계측하는파워미터를구비하고, 레이저광을조사하여기판을에칭하는베벨에칭장치를이용한에칭처리방법으로서, 레이저광을조사하여기판을에칭하기전에, 소정시간레이저광을파워미터에조사하는공정과, 상기파워미터에의해레이저광의출력값을계측하는공정과, 상기계측한레이저광의출력값이, 상기레이저제너레이터로부터출력되는레이저광의출력설정값에대해소정의임계값의범위내인지를판정하는공정을포함하는에칭처리방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明是通过在照射到基板的斜面单元之前监视激光束来检测激光束的输出值的变化。 本发明提供一种使用斜面蚀刻装置的蚀刻处理方法，其具有激光发生器和用于测量从激光发生器输出的激光束的功率计，并通过向其照射激光来蚀刻基板。 蚀刻处理方法包括以下处理：在通过用激光束照射基板来蚀刻基板之前，将激光束照射到功率计一段预定时间; 通过功率计测量激光束的输出值; 以及确定所测量的激光束的输出值是否在相对于从激光发生器输出的激光束的输出设定值的预定阈值的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101546975B1
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：KR1020090124258
申请日：2009-12-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/6708 , B08B7/0042 , B23K26/0006 , B23K26/0066 , B23K26/0823 , B23K26/12 , B23K26/127 , B23K26/14 , B23K26/16 , B23K2201/40 , B23K2203/56 , H01L21/67115 , H01L21/67742 , H01L21/681
Abstract: 본발명은피처리기판으로의유입열량을적정화하여무용한가열을없애는동시에, 무용한처리를없애서처리시간을단축할수 있는이물질제거방법을제공한다. 피처리기판에외경치수측정용의레이저광을조사하는측정용레이저광조사단계와, 측정용의레이저광중 기판의단부에차단된레이저광을제외한나머지의레이저광을수광하여레이저광의출력을검출하는출력검출단계와, 회전하는기판의회전각을검출하는회전각검출단계와, 출력검출단계에서검출된데이터와회전각검출단계에서검출된데이터에근거하여기판의외경치수를산출하는산출단계와, 산출된외경치수에근거하여, 기판의외측가장자리로부터소정범위의기판표면에대하여, 조사단면이긴 형상의이물질세정용의레이저광을조사하는동시에이물질과반응하는처리가스를분사하여소정범위의기판표면에부착된이물질을분해및 제거하는분해단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020080075202A
公开(公告)日：2008-08-14
申请号：KR1020087015401
申请日：2007-01-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/4408 , C23C16/54 , H01L21/02041 , H01L21/67196 , H01L21/67288 , Y10S414/139
Abstract: An exhaust mechanism (24) evacuates the inside of a vacuum transporting chamber (10) at a constant exhaust amount or exhaust rate. An exhaust valve (36) is kept normally open, and purge gas (N2 gas) is supplied from a purge gas supply source (30) into the vacuum transporting chamber (10) via an MFC (34) and an on/off valve (36). A main control unit (38) controls a pressure in the vacuum transporting chamber (10) to within a specified range through a flow rate value set to the MFC (34), monitors, at the same time, a pressure in the vacuum transporting chamber (10) via a vacuum gage (40), and judges abnormality when the pressure exceeds a specified upper limit to take such actions as changing a flow rate value set to the MFC (34), giving an alarm and stopping a device operation.
Abstract translation: 排气机构（24）以恒定的排气量或排气速率排出真空输送室（10）的内部。 排气阀（36）保持常开，并且吹扫气体（N 2气体）经由MFC（34）和开/关阀（...）从吹扫气体供应源（30）供应到真空输送室（10） 36）。 主控制单元（38）通过设置在MFC（34）的流量值将真空输送室（10）中的压力控制在规定范围内，同时监视真空输送室 （40），并且当压力超过规定的上限时判断异常，以采取改变设定到MFC（34）的流量值的动作，发出警报并停止装置的操作。
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公开(公告)号：KR101647155B1
公开(公告)日：2016-08-09
申请号：KR1020100079326
申请日：2010-08-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/31138 , H01L21/0209 , H01L21/67069
Abstract: 본발명은처리수율이높고또한피처리기판의회전에수반하는파티클의발생및 열스트레스에의한폴리머의박리의발생을억제하면서피처리기판의주연부에환상으로부착된폴리머를제거하는폴리머제거장치및 방법을제공한다. 피처리기판 W의주연부에환상으로부착된폴리머(2)를제거하는폴리머제거장치로서, 주연부에환상으로폴리머가부착된피처리기판 W를수용하는처리용기(11)와, 피처리기판 W를탑재하는탑재대(12)와, 피처리기판 W에환상으로부착된폴리머(2)에링형상레이저광을일괄조사하는레이저조사부(20)와, 피처리기판 W에환상으로부착된상기폴리머에오존가스를공급하는오존가스공급기구(15, 19)와, 오존가스를배기하는배기기구(23, 24)를구비한다.
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公开(公告)号：KR1019940016390A
公开(公告)日：1994-07-23
申请号：KR1019930026459
申请日：1993-12-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
Abstract: 반도체 웨이퍼의 플라즈마 에칭장치는, 진공처리실 내에 배설된 서셉터를 구비한다. 서셉터에는 웨이퍼를 흡착유지하기 위한 정전척이 배설된다. 정전척은 서셉터상에 절연층을 통하여 배설된 척전극을 구비한다. 척전극은 스위치를 통하여 직류전원의 정극에 접속된다. 척전극은 저항측에 의하여 피복되며, 웨이퍼는 이위에 직접 재치된다. 저항층은, 에칭시의 온도범위에서 1×10
10 Ω·cm ·1×10
12 Ω·cm의 비저항을 가진다. 또, 저항층은, 중심선 평균 거칠기가 0.1~1.5㎛의 범위로 되는 표면 거칠기를 가지도록 설정된다. 척전극에 직류전원의 정극의 전위가 부여되며, 또 웨이퍼가 플라즈마를 통하여 접지되면, 저항층의 표면과 웨이퍼의 이면과의 사이에 접촉전위차가 생기고, 이 정전인력에 의하여 웨이퍼가 저항층에 흡착유지된다.-
公开(公告)号：KR1020160072044A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：KR1020150175608
申请日：2015-12-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 곤도마사키
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/66 , H01L21/3065 , H01L21/268
CPC classification number: H01L22/26 , B23K26/032 , B23K26/361 , B23K26/362 , H01L21/0209 , H01L21/31138 , H01L21/6708 , H01L21/67115 , H01L21/67253 , H01L22/12
Abstract: (과제) 베벨부의에칭처리에있어서레이저광의출력치의이상을검출한다. (해결수단) 레이저제네레이터와촬상부를갖고, 레이저광을조사하여기판을에칭하는베벨에칭장치를이용한에칭처리방법으로서, 상기레이저제네레이터로부터조사되는레이저광의산란광에의해처리용기내를비추고, 상기촬상부에의해상기처리용기내의화상을촬상하는공정과, 촬상한상기처리용기내의화상중, 미리선정한소정영역의화상의휘도를산출하는공정과, 상기레이저제네레이터로부터출력되는레이저광의출력치와휘도의상관관계를나타내는데이터에근거하여, 산출한상기휘도에대한상기레이저광의출력치를감시하는공정을포함하는에칭처리방법이제공된다.
Abstract translation: 在斜面部件的蚀刻工艺中，检测出激光束的输出值的异常。 公开了一种蚀刻处理方法，该蚀刻处理方法使用用于通过照射激光来蚀刻衬底的斜面蚀刻装置，该斜面蚀刻装置包括激光发生器和图像捕获单元。 该方法包括以下步骤：通过图像捕获单元，通过从激光发生器发射的激光束的散射光照射处理容器的内部来捕获处理容器的内部部分的图像; 从处理容器的内部的捕获图像计算预定区域的图像的亮度; 并且基于表示从激光发生器输出的激光束的输出值与亮度之间的相关性的数据，相对于计算出的亮度的激光束的输出值进行监视。
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